公开(公告)号：CN1410603A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02145449.3

申请日：2002-11-15

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 郭益平 ,  罗豪甦 ,  徐海清 ,  贺天厚 ,  殷之文

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/22

摘要： 本发明涉及一种坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶(PINT)，属于晶体生长领域。其特征在于晶体组成为x PIN－(1－x)PT，其中PIN代表Pb(In1/2Nb1/2)O3，PT代表PbTiO3，x＝0.50－0.70；晶体生长炉温范围1350－1430℃，坩埚下降的速率为0.1－2.0mm/h，最大温度梯度不小于50℃/cm；以异质同构的PMNT单晶作籽晶，S籽晶/S晶体≥70％；选用密封的铂坩埚作为生长坩埚。用本发明的技术可以生长出直径大于40mm，长度大于60mm的PINT单晶，其压电性能可以达到d33＞2000pC/N，k33＞90％，不仅可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料性能的要求，而且可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料的使用温度要求。

公开(公告)号：CN1196817C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02145449.3

申请日：2002-11-15

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 郭益平 ,  罗豪甦 ,  徐海清 ,  贺天厚 ,  殷之文

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/22

摘要： 本发明涉及一种坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶(PINT)，属于晶体生长领域。其特征在于晶体组成为xPIN-(1-x)PT，其中PIN代表Pb(In1/2Nb1/2)O3，PT代表PbTiO3，x＝0.50-0.70；晶体生长炉温范围1350-1430℃，坩埚下降的速率为0.1-2.0mm/h，最大温度梯度为70℃/cm；以异质同构的PMNT单晶作籽晶，S籽晶/S晶体＝70%；选用密封的铂坩埚作为生长坩埚。用本发明的技术可以生长出直径大于40mm，长度大于60mm的PINT单晶，其压电性能可以达到d33＞2000pC/N，k33＞90%，不仅可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料性能的要求，而且可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料的使用温度要求。