-
公开(公告)号：CN105568379A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410539258.9
申请日：2014-10-13
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺，所述工艺包括：对生长炉内抽真空至真空度小于6×10-3Pa；以10～100℃/小时的升温速率升温至500～600℃后充入高纯保护氩气；继续升温至950～1050℃，保温至原料全部熔化；再以2～10℃/小时速率降温至800～850℃，保温至晶体完全结晶；当晶体结晶结束，将温度梯度调整为零，进行原位退火；退火结束，以5～20℃/小时速率降温至室温。本发明工艺具有温场稳定，生长过程中无需通入有毒气体，生长的BaMgF4单晶完整性好，成品率高，晶体尺寸和外形可控，且对设备无苛刻要求、操作简单、环境友好、有利于实现工业化生产等优点。
-
公开(公告)号：CN118422312A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410442364.9
申请日：2024-04-12
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明属于氟化钙晶体技术领域，具体涉及一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法。为解决特定使用场景下氟化钙晶体的抗辐照损伤特性，本发明通过控制氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子的含量，使得在受到高能辐射照射时，所述氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子相较F空位优先俘获电子，从而减少或抑制F心的形成，最终实现氟化钙晶体在可见光波段抗辐照损伤性能的提升。本发明利用引入痕量的变价离子Yb3+，氟化钙晶体辐照损伤性能得到明显提升。
-
公开(公告)号：CN116334756A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310391214.5
申请日：2023-04-13
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本申请涉及一种基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法，所述生长装置包括真空炉体，设于真空炉体内的环状多孔坩埚、中心单孔坩埚，附带电极的双加热体以及用于控制所述环状多孔坩埚和所述中心单孔坩埚同步升降的升降机构；所述双加热体包括外围加热体和内围加热体，所述电极包括与所述外围加热体电性连接的外围加热体电极和与所述内围加热体电性连接的内围加热体电极，所述环状多孔坩埚设置于所述外围加热体和所述内围加热体之间，所述中心单孔坩埚设置于所述内围加热体内。本申请打破了传统多孔坩埚方案孔位数量、规格尺寸的限制，实现了多规格尺寸氟化物晶体的高通量制备，降低了晶体尤其是氟化物晶体的生产成本。
-
公开(公告)号：CN113070273A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010005067.X
申请日：2020-01-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开一种提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法。所述提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法，包括如下步骤：步骤A：对氟化钙晶体光学元件的表面进行HNO3溶液酸洗；步骤B：氟化钙晶体光学元件酸洗完成后，放入超纯水中超声清洗。
-
公开(公告)号：CN106149053A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510171336.9
申请日：2015-04-13
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供了一种导模法生长高灵敏度热释光掺碳蓝宝石晶体的方法，包括：1）取Al2O3粉和纯度至少达到6N的碳粉均匀混合后压块，得到原料块体；2）将原料块体置于导模炉内的密封坩埚中，采用导模法生长得到掺碳蓝宝石晶体。本发明采用6N高纯碳粉作为掺杂碳源，一定程度上的实现掺杂量的可控，能够快速生长掺杂量可控的高灵敏热释光性能α-Al2O3:C晶体。
-
公开(公告)号：CN103046137A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310000804.7
申请日：2013-01-04
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种高强力学性能蓝宝石晶体及其制备方法。本发明的高强力学性能蓝宝石晶体为一种掺碳钛蓝宝石晶体，碳掺杂量为晶体总质量的1000~10000ppm，钛掺杂量为晶体总质量的500~3000ppm。本发明还公开了该晶体的制备方法，包括如下步骤：按配比将原料混料、研磨和成型工艺制得晶体生长原料，然后采用温梯法或下降法或泡生法技术生长。本发明的掺碳钛蓝宝石晶体具有更强的表面硬度，更高的断裂强度和断裂韧性，同时掺杂离子不会损害蓝宝石晶体的光学透过性能。
-
公开(公告)号：CN117166051A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311066971.1
申请日：2023-08-23
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种基于逆向激光加热基座法快速生长稀土掺杂铝酸钇晶体的方法。所述方法包括：(1)将氧化钇粉体、氧化铝粉体、稀土氧化物粉体按比例混合，经冷等静压成型、烧结、滚圆后制得Re:YAP陶瓷料棒；(2)利用激光加热基座法进行单晶光纤的正向生长；(3)将步骤(2)正向生长后的单晶光纤作为源棒，进行Re:YAP晶体的逆向生长；(4)设置分段降温程序，使激光器功率程序降温至0W。
-
公开(公告)号：CN116377580A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111593196.6
申请日：2021-12-23
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种稀土离子掺杂降低氟化钙晶体解理特性的方法。选用CaF2粉末作为原料，采用坩埚下降法或温度梯度法制备氟化钙晶体过程中，选用RF3作为掺杂源，通过掺杂不超过2at%的稀土阳离子R3+以降低解理效应；所述稀土离子R3+为Y3+或三价镧系元素离子=La3+～Lu3+。
-
公开(公告)号：CN110760930A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911081341.5
申请日：2019-11-07
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种掺杂有多种三价调剂离子的碱土金属氟化物激光晶体及其制备方法，所述掺杂有多种三价调剂离子的碱土金属氟化物激光晶体的化学式为Nd3+,R3+:MeF2；其中，Me为Ca、Sr、Ba中的一种，R3+为Y3+、La3+、Gd3+、Lu3+、Sc3+中的至少两种。
-
公开(公告)号：CN107740186A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711034484.1
申请日：2017-10-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： C30B29/12 , C30B11/00 , H01S3/1603
摘要： 本发明涉及一种大尺寸Yb,R:CaF2/SrF2激光晶体及其制备方法，包括：（1）将特定方向的籽晶和晶体生长原料装入晶体生长装置的坩埚中，所述晶体生长装置包括上发热体、下发热体、以及位于上发热体和下发热体之间的隔热板，所述隔热板以上为高温区，所述隔热板以下为低温区，所述隔热板附近为梯度区，所述晶体生长原料位于高温区中；（2）将所述晶体生长装置的炉腔密闭，抽真空后升温化料，然后恒温接种，待所述晶体生长原料充分熔化后下降坩埚使晶体生长原料从高温区经过梯度区向低温区运动，以进行晶体生长；（3）晶体生长结束后停止下降坩埚，将高温区的温度降低至与低温区温度相等，然后使高温区和低温区同步分阶段降温至室温。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
46 条记录 (耗时 0.04 秒)
