公开(公告)号：CN1490844A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02145890.1

申请日：2002-10-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冯淦 ,  杨辉 ,  梁骏吾

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或碳化硅(0001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅，随后其上沉积一层氮化硅或二氧化硅或氮氧化硅作为掩模区，利用光刻和湿法刻蚀或干法刻蚀技术在掩模区上刻出图形，掩模区的图形设计成相邻窗口边沿氮化镓的[10－10]晶向，夹角为60度或120度的三角形或平行四边形或菱形或六角形或以上图形的组合图形结构，最后再采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延进行氮化镓及其化合物的二次外延生长，即横向外延。

公开(公告)号：CN1209793C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02145890.1

申请日：2002-10-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冯淦 ,  杨辉 ,  梁骏吾

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或碳化硅(0001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅，随后其上沉积一层氮化硅或二氧化硅或氮氧化硅作为掩模区，利用光刻和湿法刻蚀或干法刻蚀技术在掩模区上刻出图形，掩模区的图形设计成相邻窗口边沿氮化镓的(10-10)晶向，夹角为60度或120度的三角形或平行四边形或菱形或六角形或以上图形的组合图形结构，最后再采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延进行氮化镓及其化合物的二次外延生长，即横向外延。