公开(公告)号：CN103956653B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201410204718.2

申请日：2014-05-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 乐伶聪 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  杨静 ,  何晓光 ,  李晓静 ,  杨辉

IPC: H01S5/06

Abstract: 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。

公开(公告)号：CN104681374B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510093713.1

申请日：2015-03-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈平 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  刘宗顺 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/38

Abstract: 一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射-接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。

公开(公告)号：CN104734015A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510052314.0

申请日：2015-02-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈平 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  刘宗顺 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器，包括：一氮化镓同质衬底；一n型GaN同质外延层，其制作在氮化镓同质衬底上；一n型AlGaN限制层，其制作在n型GaN同质外延层上；一n型GaN波导层，其制作在n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN量子阱有源区，其制作在n型GaN波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层，其制作在InGaN/GaN量子阱有源区上；一p型GaN波导层，其制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型AlGaN限制层，其制作在p型GaN波导层上，该p型AlGaN限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层，其制作在p型AlGaN限制层凸起的脊形上；一p型欧姆电极，其制作在p型掺杂/p型重掺接触层上；一n型欧姆电极，其制作在氮化镓同质衬底的下表面。

公开(公告)号：CN104681374A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510093713.1

申请日：2015-03-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈平 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  刘宗顺 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/38

Abstract: 一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射-接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。

公开(公告)号：CN104658830A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510094613.0

申请日：2015-03-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈平 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  刘宗顺 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y30/00 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025

Abstract: 一种碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一SiC纳米尖端结构，其制作在n型SiC衬底上表面，其与n型SiC衬底的材料相同；一AlN冷阴极薄膜，其制作在SiC纳米尖端结构的上表面；一电压源，其正极与AlN冷阴极薄膜连接，负极与n型金属电极连接；一金属阳极，其位于AlN冷阴极薄膜的上面，且不与AlN冷阴极薄膜接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极连接n型金属电极。本发明是利用负电子亲和势进行电子发射，进一步提高电子发射密度。

公开(公告)号：CN104617487A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510012720.4

申请日：2015-01-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  陈平 ,  刘宗顺 ,  朱建军 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法，包括：在氮化镓同质衬底上依次外延生长n型GaN同质外延层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型掺杂/p型重掺接触层，其中量子阱有源区中的阱层和垒层在相同的温度下生长；在p型掺杂/p型重掺接触层一侧采用光刻的方法刻蚀出脊型结构；在脊型结构的上表面制作一p型电极；在氮化镓同质衬底的下表面制作n型电极。本发明减少由于阱层和垒层生长温度不同导致的翘曲程度不同以及量子阱界面平整度的下降，从而增强量子阱内载流子的发光复合率，提高激光器的性能。

公开(公告)号：CN102832272B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210319268.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李亮 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  吴亮亮 ,  乐伶聪 ,  杨辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。

公开(公告)号：CN103578986A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310566981.1

申请日：2013-11-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何晓光 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  杨静 ,  乐伶聪 ,  李晓静 ,  杨辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2056

Abstract: 本发明公开了一种高阻GaN薄膜及其制作方法。该高阻GaN薄膜包括：衬底；GaN低温成核层，其制作在衬底上；GaN高阻层，其制作在GaN低温成核层上。该高阻GaN薄膜利用MOCVD设备，并用三甲基镓和氨气作为镓源和氮源，以氢气为载气进行生长，所述GaN低温成核层的生长温度为550℃，反应室压强为200Torr，厚度为0.2～0.3μm；GaN高阻层的生长温度为1040℃，反应室压强为50Torr，厚度为2μm。本发明提出的上述高阻GaN薄膜是通过控制材料生长时的反应室压强，控制反应前驱物TMGa中碳原子的并入，从而在不单独添加碳源的情况下引入碳杂质得到受主能级，使背景载流子浓度得到补偿。

公开(公告)号：CN101872798B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010183403.6

申请日：2010-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘宗顺 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  张书明 ,  王辉 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。

公开(公告)号：CN101740654B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810226677.1

申请日：2008-11-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王辉 ,  朱建军 ,  张书明 ,  杨辉

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长；一InxGa1-xN材料模板，该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上；一纳米柱阵列，该纳米柱阵列加工形成于InxGa1-xN材料模板上；一半导体太阳能电池p-i-n结构，该p-i-n结构外延生长在纳米柱阵列的侧壁、顶部及纳米柱之间的材料模板表面。本发明同时公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片的制备方法。利用本发明，可以极大地增加单位芯片上光电转换区的面积，降低半导体薄膜表面对太阳光的反射，提高光子收集率，减少光生载流子的复合，提高器件的工作效率。