-
公开(公告)号：CN118726930A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410941104.6
申请日：2024-07-15
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明提供一种半导体激光器镀膜夹具，包括镀膜架和倾角调整夹具；镀膜架包括压片组件，滑块组件以及待镀膜bar条，其中，滑块组件与待镀膜bar条沿压片组件的长边方向并列布设于压片组件的第一凹槽内；倾角调整夹具包括外框架，其中，外框架在沿第一方向上的侧面分别对称布设有第一固定槽与第二固定槽；镀膜架通过第一固定螺钉和第二固定螺钉和倾角调整夹具连接，其中，第一固定螺钉在第一固定槽内滑动，第二固定螺钉在第二固定槽内滑动。该装置结构简单且装取便捷，有效避免激光器表面被腔面薄膜影响而导致芯片短路。
-
公开(公告)号：CN118367430A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410538737.2
申请日：2024-04-30
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/02
摘要： 本发明提供了一种大功率半导体激光器真空解理装置，涉及半导体解理技术领域。该装置包括：框架；解理托装置，设于框架上，用于承托待解理的半导体外延片，其中，半导体外延片的P面预先制备有多道划痕；解理台装置，设于框架上，用于放置半导体外延片；解理刀装置，设于解理台装置的上方，用于通过划痕解理半导体外延片；其中，框架、解理托装置、解理台装置以及解理刀装置被置于超真空环境中，解理台装置位置固定，解理托装置和解理刀装置相对于解理台装置的位置可实现自动化调节，通过调节解理托装置和解理刀装置的位置，使解理刀装置对准半导体外延片的划痕，对半导体外延片进行解理，得到带F‑P腔面的bar条。
-
公开(公告)号：CN113488846B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110797498.9
申请日：2021-07-14
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种亚波长光栅及垂直腔面发射激光器。其中，亚波长光栅包括：氧化铟锡形成的基底层(2)；以及非晶硅或砷化铝镓形成的光栅层(1)，所述光栅层形成于所述基底层(2)上。基于以氧化铟锡形成的基底层(2)的亚波长光栅作为P面反射镜的垂直腔面发射激光器，包括发光器件；以及亚波长光栅，所述亚波长光栅设置在所述发光器件的P型掺杂层的上(4)。其中的发光器件，包括：由下至上依此层叠的衬底(8)、N型掺杂层(7)以及支撑台(10)；所述衬底的底面设置有下电极(9)。
-
公开(公告)号：CN113140961B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110427471.0
申请日：2021-04-20
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提出一种光子晶体垂直腔面发射激光器，包括：氧化限制层；P型DBR反射层，生长于所述氧化限制层上；所述P型DBR反射层刻蚀有发光区以及沿所述发光区的径向周期性布置的多层孔径渐变光子晶体空气孔结构；其中，所述多层孔径渐变光子晶体空气孔结构为带有中心点缺陷的二维光子晶体空气孔结构。本公开中的光子晶体垂直腔面发射激光器可以实现大功率的单模激射，而且在发光区径向引入了折射率的梯度分布，可以进一步减小远场发散角，提高光束质量。
-
公开(公告)号：CN113764968B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202111046426.7
申请日：2021-09-07
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/02
摘要： 本发明公开了一种将外延片衬底完全去除的方法，外延片自下而上顺次包括衬底、腐蚀停止层、外延层，该方法包括如下制作步骤：对外延片的衬底进行切削，得到超薄衬底的外延片；将超薄衬底的外延片的外延层与临时牺牲片键合，得到键合外延片；利用腐蚀液对键合外延片进行腐蚀，直至暴露所述外延层，得到暴露外延层的键合外延片；以及对暴露外延层的键合外延片进行解键合，分离外延层和临时牺牲片。本发明能够将大功率半导体发光器件的衬底完全去除，降低器件热耗散，提高散热能力，从而增大器件输出功率和功率转换效率。
-
公开(公告)号：CN114765341A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110045443.2
申请日：2021-01-13
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种锥形半导体激光器，包括：衬底；依次覆盖于衬底表面的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型刻蚀阻挡层；N型反型层，覆盖于P型刻蚀阻挡层表面，N型反型层中间开设有凹陷且使P型刻蚀阻挡层暴露的脊形单模区和锥形放大区，锥形放大区与脊形单模区相连且沿背离脊形单模区方向的宽度逐渐增大；P型限制层，覆盖于N型反型层表面，P型限制层上靠近N型反型层一侧设有与N型反型层的凹陷侧面和凹陷底面匹配的脊形凸台结构；欧姆接触层，覆盖于P型限制层表面；P面电极和N面电极。本发明还提供了该锥形半导体激光器的制作方法。本发明可明显减少光刻和刻蚀工艺次数，提高器件的性能。
-
公开(公告)号：CN107230932A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710572640.3
申请日：2017-07-13
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18
摘要： 一种半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置，其中方法包括以下步骤：将划有解理线的晶片放入解理腔，解理腔根据解理线，解理得到至少一个bar条；将至少一个bar条传送至钝化腔，以对每一个bar条的两个腔面钝化；将上述至少一个bar条传送至镀膜腔，对其每一个的两个腔面分别蒸镀高反膜和高透膜，完成半导体激光器的腔面制备；其中，解理腔、钝化腔及镀膜腔均处于真空状态。本发明在真空条件下对半导体激光器进行解理和钝化，并在真空中直接蒸镀半导体激光器前后腔面的光学膜，可有效避免其与空气接触、避免新解理的腔面被空气中的氧和碳等杂质所污染，避免腔面形成表面态，从而可有效抑制腔面光学灾变的产生。
-
公开(公告)号：CN104166020B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410426177.8
申请日：2014-08-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种适用于激光二极管的测试老化夹具，包括：水座；底座，其固定在所述水座上，一端固定激光二极管；另一端具有两个引线孔；绝缘块，固定在所述底座上表面的中部；负极引线片，其第一端与激光二极管的负极连接，第二端将激光二极管的负极引出；压块，为凹形柱体，置于激光二极管上表面，包括滚花控制杆和两定位杆；控制块，其上开设有对称分布在控制块两端的两个第一螺孔、中心部位的第二螺孔，以及位于两个第一螺孔两侧的两个通孔，所述两个第一螺孔用于固定支撑杆，所述第二螺孔用于旋拧滚花控制杆，所述两通孔用于固定定位杆；支撑杆，其一端固定在控制块上，另一端固定在底座上，用于支撑压块。
-
公开(公告)号：CN104037617B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410270114.8
申请日：2014-06-17
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/028
摘要： 本发明公开了一种镀膜架，其包括：主体，中间薄两端厚，其中一端的端面中间开有两个螺纹孔，另一端表面的上表面开有两个通孔，中间为一具有开口的框架，所述框架的上表面和下表面各有一片金属片相对延伸到矩形方口中间；装配附件，其大小与主体相同，中间厚两端薄，第一端上表面开有两个螺纹孔，位置与所述主体的通孔相对应，同螺纹与所述主体固定；所述装配附件中间为两个高、低凸台，所述两个高、低凸台的高度差不小于主体下表面金属片的厚度，高凸台中间开有一细沟；滑片，在所述主体的矩形框架方口间移动，且由所述两个金属片上下夹持。本发明对镀膜样品完全没有遮挡，大大提高了芯片的利用率，降低了激光器的成本。
-
公开(公告)号：CN104901160A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510338379.1
申请日：2015-06-17
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/12
摘要： 一种分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法，包括如下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在该外延片的表面涂覆光刻胶，通过纳米压印工艺，在该外延片表面的光刻胶上制作出光栅图形；步骤3：清洁感应耦合等离子体反应室；步骤4：将制作有光栅图形的外延片放入感应耦合等离子体反应室中进行刻蚀，刻蚀出压印的光栅图形；步骤5：使用氧等离子体对外延片表面进行清洁处理；步骤6：把清洁处理后的外延片放入负胶去膜剂中加热处理，然后再用异丙醇进行清洁，完成制备。利用本方法制作出带有内置光栅的分布反馈激光器，从而使得激光器稳定地单纵模工作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
140 条记录 (耗时 0.041 秒)
