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发明公开
冷凝乙锗烷的制备装置和制备方法以及高阶锗烷的制备装置、制备系统和制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118512980A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410580320.2

申请日：2024-05-11

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 薛春来 , 李悦 , 徐驰 , 王钇心 , 丛慧

IPC分类号： B01J3/03 , B01D8/00 , C01B6/06

摘要： 本发明提供了冷凝乙锗烷的制备装置和制备方法以及高阶锗烷的制备装置、制备系统和制备方法，属于半导体技术领域。所述冷凝乙锗烷的制备装置和制备方法可以制备出高纯度的冷凝乙锗烷，冷凝乙锗烷可以作为后续制备高阶锗烷的原料。所述高阶锗烷的制备装置、制备系统和制备方法可以制备出高纯度的高阶锗烷，所述高阶锗烷的制备方法具有低成本、高效率的特点。