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公开(公告)号：CN101741009B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200810226287.4
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体固态白光光源的方法，该方法包括：将激射波长位于蓝光的半导体激光器芯片烧结在热沉和基板上，并封装到管壳上；将荧光粉与固化剂混合，并在一定温度下固化在洁净的玻璃片上；利用半导体激光器光源激发固化后的荧光粉，使荧光粉产生白光。利用本发明所制备的白光光源具有较高能效、较高光通量和较高亮度；可单独对核心器件进行温控制冷，避免高温时器件和荧光粉发生退化；可制备出很小尺寸、具有特殊用途的白光光源。
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公开(公告)号：CN101741008B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810226286.X
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备微小化固态白光光源的方法，该方法包括：将蓝光半导体激光器芯片烧结在热沉上，再将热沉烧结到散热基板上，再将散热基板固定在激光器管壳上；选用光纤棒作柱透镜，对激光器的快轴进行压缩，将压缩后的激光耦合进入光纤，靠近激光器一面的光纤棒和光纤端面均蒸镀增透膜，光纤的出光端面固定在陶瓷插针上；将黄色荧光粉与胶体按照一定比例混合均匀，将混合后的荧光粉和胶体固化在透明薄片上形成荧光粉片；从透明薄片上取下该荧光粉片，并将荧光粉片切成一定的形状，放入石英容器中。利用本发明，解决了如何将微小化的荧光粉片放在光纤端面附近，使其能被光纤出射的激光有效地激发。
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公开(公告)号：CN101741008A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226286.X
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备微小化固态白光光源的方法，该方法包括：将蓝光半导体激光器芯片烧结在热沉上，再将热沉烧结到散热基板上，再将散热基板固定在激光器管壳上；选用光纤棒作柱透镜，对激光器的快轴进行压缩，将压缩后的激光耦合进入光纤，靠近激光器一面的光纤棒和光纤端面均蒸镀增透膜，光纤的出光端面固定在陶瓷插针上；将黄色荧光粉与胶体按照一定比例混合均匀，将混合后的荧光粉和胶体固化在透明薄片上形成荧光粉片；从透明薄片上取下该荧光粉片，并将荧光粉片切成一定的形状，放入石英容器中。利用本发明，解决了如何将微小化的荧光粉片放在光纤端面附近，使其能被光纤出射的激光有效地激发。
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公开(公告)号：CN101471533A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304216.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种制造半导体固态白光光源的方法，包含一个发光波长位于近紫外的半导体激光器芯片，将其出射的激光用来做激发光源，激发由红色、绿色、蓝色三基色按照一定比例混合后的荧光粉，由此制备固态白光光源。由于半导体激光器的光斑易整形为均匀的发散光或是会聚一点的高亮度光源，并且还可与光纤进行耦合输出，可用与某些具有特殊要求的应用领域。该固态白光光源可广泛应用于投影、电视等彩色显示装置的背光源、普通白光照明以及具有特殊要求的白光照明领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101316025A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710099864.3
申请日：2007-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法，包括：在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；在外延片上光刻腐蚀出光台面；在出光台面上淀积电绝缘膜；在电绝缘膜上制备P面电极；对N型衬底减薄抛光后制备N面电极；将具有P、N电极的片子解理成条作为激光器的谐振腔面，并在激光器前后腔面蒸镀增透膜和高反膜；将单管芯激光器烧结到铜热沉上；采用柱透镜压缩半导体激光器的垂直发散角；采用自聚焦透镜将半导体激光器的光束压缩聚焦并耦合到多模光纤中。本发明利于制备大功率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN101316027A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710099865.8
申请日：2007-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；C.在外延片上通过两次光刻出双沟脊波导，制备脊形台面作为出光面；D.在脊形台面上淀积电绝缘膜；E.在电绝缘膜上制备P面电极；F.对N型衬底减薄抛光后制备N面电极。利用本发明，在保证脊形光波导激光器原有输出功率、电光转换效率基本不受影响的同时，增大了平行发散角，改善了激光器的输出光斑。
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公开(公告)号：CN1222769A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98100008.8
申请日：1998-01-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收,利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管,它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层,其中磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量子阱发光区,各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低,因此具有实用性。
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公开(公告)号：CN101741009A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226287.4
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体固态白光光源的方法，该方法包括：将激射波长位于蓝光的半导体激光器芯片烧结在热沉和基板上，并封装到管壳上；将荧光粉与固化剂混合，并在一定温度下固化在洁净的玻璃片上；利用半导体激光器光源激发固化后的荧光粉，使荧光粉产生白光。利用本发明所制备的白光光源具有较高能效、较高光通量和较高亮度；可单独对核心器件进行温控制冷，避免高温时器件和荧光粉发生退化；可制备出很小尺寸、具有特殊用途的白光光源。
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公开(公告)号：CN1084055C
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN98100008.8
申请日：1998-01-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收，利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层，其中磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量子阱发光区，各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低，因此具有实用性。
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