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公开(公告)号：CN102064258A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910237781.5
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/22 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。
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公开(公告)号：CN101898751A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种III族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101872798A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010183403.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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公开(公告)号：CN101740654A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226677.1
申请日：2008-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长；一InxGa1-xN材料模板，该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上；一纳米柱阵列，该纳米柱阵列加工形成于InxGa1-xN材料模板上；一半导体太阳能电池p-i-n结构，该p-i-n结构外延生长在纳米柱阵列的侧壁、顶部及纳米柱之间的材料模板表面。本发明同时公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片的制备方法。利用本发明，可以极大地增加单位芯片上光电转换区的面积，降低半导体薄膜表面对太阳光的反射，提高光子收集率，减少光生载流子的复合，提高器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN101736398A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810225783.8
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514775C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610113238.0
申请日：2006-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作氮化镓基激光器管芯的方法，该方法包括：A、在制作的激光器外延结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；B、利用介质膜或光刻胶作掩膜在蒸镀了P型欧姆接触电极的激光器外延结构上刻蚀出激光器的N型接触区域；C、利用光刻胶作掩膜刻蚀出激光器的脊型结构，并保留剩余的光刻胶掩膜；D、在刻蚀出脊型结构的激光器上蒸镀或沉积介质膜隔离层；E、采用剥离的方法露出脊型表面的P型欧姆接触电极；F、采用光刻和蒸镀金属电极的方法形成激光器的P型加厚电极和N型欧姆接触电极。利用本发明，使激光器工作电流的注入均匀，进而易于制作脊型宽度窄的激光器，实现了激光器的基模工作。
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公开(公告)号：CN101471533A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304216.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种制造半导体固态白光光源的方法，包含一个发光波长位于近紫外的半导体激光器芯片，将其出射的激光用来做激发光源，激发由红色、绿色、蓝色三基色按照一定比例混合后的荧光粉，由此制备固态白光光源。由于半导体激光器的光斑易整形为均匀的发散光或是会聚一点的高亮度光源，并且还可与光纤进行耦合输出，可用与某些具有特殊要求的应用领域。该固态白光光源可广泛应用于投影、电视等彩色显示装置的背光源、普通白光照明以及具有特殊要求的白光照明领域。
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公开(公告)号：CN100353576C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410095294.7
申请日：2004-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层，发光有源区和P型氮化镓层；在P型氮化镓层上淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层；将蓝宝石衬底从背面减薄；在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅绝缘隔离层；利用光刻和电镀或蒸发、溅射、印刷的方法分别在P型、N型引出电极金属层的部分区域制作P型金属焊料凸块和N型金属焊料凸块；利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起；根据设计的管芯大小，将支撑体用划片或切割的方法分割成具有单个管芯的支撑体，也可以先将支撑体切割成单个管芯的支撑体之后，再利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起。
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公开(公告)号：CN1627543A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200310120176.2
申请日：2003-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，包括：1)在蓝宝石等绝缘衬底上利用金属化学有机气相沉积方法外延生长N型氮化镓层、发光有源区和P型氮化镓层；2)在设计好的管芯的P型氮化镓层上制备具有高反射率的P型欧姆接触电极；3)将蓝宝石等绝缘衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄；4)利用切割法或划片法等管芯分割技术沿设计好的管芯的分割道将外延片上的管芯分割成单个管芯；5)在高热导率的支撑体上制备N型欧姆接触电极和与P型层相对应的倒装焊金属焊料层及其引线电极；6)最后利用倒装焊技术将管芯倒装焊到具有N型欧姆接触电极和与P型层相对应的倒装焊金属焊料层及其引线电极的热导率高的支撑体上。
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公开(公告)号：CN101267088A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710064385.8
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 一种氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：在该绝缘衬底上的一侧利用化学腐蚀或干法刻蚀的方法将部分区域刻蚀到一深度形成台面结构；步骤3：用光刻的方法在该绝缘衬底上和形成的台面结构上形成激光器倒装用的电极图形，并用蒸发的方法及剥离技术在电极图形区域形成金属层；步骤4：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤5：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。
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