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公开(公告)号：CN101445955A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178282.4
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02
Abstract: 一种空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中包括：一进气蓬头，该进气蓬头为桶形，该进气蓬头内分成多个区，每一个区都是原料气的进气喷口；一基座，该基座为柱状体，该基座的上面制作有多个圆形凹槽，该圆形凹槽用以放置衬底，该基座的直径小于或等于进气蓬头的直径，该基座可以旋转；其中进气蓬头位于基座具有圆形凹槽的表面的一侧，该进气蓬头与基座之间相隔有一距离，该进气蓬头靠近基座的一端为气体出口，远离基座的另一端为气体入口。
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