-
公开(公告)号：CN117038779A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310977949.6
申请日：2023-08-04
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明的实施例涉及了一种偏振光探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该偏振光探测器包括：作为栅电极的N型衬底；生长在N型衬底上的绝缘层；具有各向异性的锗锑硒三元晶体形成的有源层，有源层将入射至偏振光探测器的偏振光转换为光电流；形成在有源层两端的源电极和漏电极，以输出偏振光探测器的电信号。本发明利用锑部分代替了锗的晶格位点，在保留了硒化亚锗晶体结构的同时，得到的锗锑硒三元晶体拥有相较于硒化亚锗晶体更窄的带隙，从而得到更宽的光谱响应范围。
-
公开(公告)号：CN116936623A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311011249.8
申请日：2023-08-11
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。
-
公开(公告)号：CN117070216A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311020829.3
申请日：2023-08-14
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法，属于量子点和低维异质结构技术领域。该超晶格量子点包括：具有范德华表面的衬底、量子点核壳层和超晶格外延层。量子点核壳层外延于衬底的范德华表面上，量子点核壳层与衬底的范德华表面通过范德华力结合，量子点核壳层由第一金属和砷组成，第一金属选自III‑V族金属。超晶格外延层外延于量子点核壳层上，超晶格外延层形成叠层结构或超晶格外延层与量子点核壳层形成叠层结构。本发明利用了超晶格量子点与衬底的范德华表面通过范德华力的相互作用，使得超晶格量子点能够形成核壳结构，并且通过超晶格外延层的叠层结构，控制该超晶格量子点的形貌和尺寸。
-
公开(公告)号：CN117070216B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202311020829.3
申请日：2023-08-14
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法，属于量子点和低维异质结构技术领域。该超晶格量子点包括：具有范德华表面的衬底、量子点核壳层和超晶格外延层。量子点核壳层外延于衬底的范德华表面上，量子点核壳层与衬底的范德华表面通过范德华力结合，量子点核壳层由第一金属和砷组成，第一金属选自III‑V族金属。超晶格外延层外延于量子点核壳层上，超晶格外延层形成叠层结构或超晶格外延层与量子点核壳层形成叠层结构。本发明利用了超晶格量子点与衬底的范德华表面通过范德华力的相互作用，使得超晶格量子点能够形成核壳结构，并且通过超晶格外延层的叠层结构，控制该超晶格量子点的形貌和尺寸。
-
公开(公告)号：CN114836827A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210477996.X
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提供一种量子点制备方法，包括：采用二维材料制备二维材料衬底；将二维材料衬底置于生长腔中，升高生长腔的温度使二维材料衬底处于第一预设温度；通过分子束外延束源炉将原材料以预设密度的束流喷射至二维材料衬底的表面，使反应物以范德华外延模式在二维材料衬底的表面依次经过吸附、脱附、迁移、成核、长大的动力学反应过程以生长量子点。该方法以二维材料为衬底生长量子点，不需要特定晶格匹配条件，甚至在晶格对称性不一样的情况下，也能够实现量子点的生长。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.028 秒)
