公开(公告)号：CN101101934A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610111261.6

申请日：2006-08-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨辉 ,  梁骏吾 ,  李向阳 ,  龚海梅

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种提高GaN基pin结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层上面的中间；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层制作在有源层上；P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在P型欧姆接触层上面；一N型欧姆接触电极，该欧姆电极为点状结构或环形结构，制作在N型欧姆接触层上面。

公开(公告)号：CN101101935A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610111262.0

申请日：2006-08-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨辉 ,  梁骏吾 ,  李向阳 ,  龚海梅

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一高浓度的N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间；一肖特基接触电极，该肖特基接触电极制作在有源层上；一欧姆接触电极，该欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在欧姆接触层上面的两侧。

公开(公告)号：CN1956227A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200510118017.8

申请日：2005-10-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨辉 ,  梁骏吾 ,  李向阳 ,  龚海梅

IPC: H01L31/108 ,  G01J1/02

Abstract: 本发明一种背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一欧姆接触层，该欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在欧姆接触层上，该有源层的面积小于欧姆接触层的面积，位于欧姆接触层上面的一侧或中间；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上，位于欧姆接触层上面的另一侧或有源层的四周；一肖特基电极，该肖特基电极制作在有源层上，完成器件的制作。

公开(公告)号：CN1956148A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200510118016.3

申请日：2005-10-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨辉 ,  梁骏吾 ,  李向阳 ,  龚海梅

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种提高铝镓氮材料质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层成核层；步骤3：在该成核层上生长一层过渡层；步骤4：在该过渡层上生长一层掺杂的铝镓氮层，完成材料的制作。