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公开(公告)号：CN106710661B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201611229216.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明公开了一种适用于超高流强氘氚聚变中子源的高压差气态靶装置，包括加速器接口和反应气体腔室，还包括：真空差分系统，包括二级差分室、一级差分室、小孔径长管道、以及小孔径法兰；束流约束装置，用于对小孔径长管道中的氘束流进行聚焦，使得束流包络小于小孔径长管道与小孔径法兰的内径；以及反应气体循环回收装置，通过真空泵与一级差分室和二级差分室连接，用于将真空泵排出的气体经过分离提纯后通过节流阀进入反应气体腔室，其中，自加速器接口离开的氘束流经过真空差分系统、实现加速器末端10‑5Pa量级至反应气体腔室103Pa量级的压强跨越后，与反应气体腔室内的氚气或氘气发生聚变反应，产生高能聚变中子，并对氚气或氘气在线提纯、回收、循环。
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公开(公告)号：CN106679470A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710076820.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种针对极高热流密度的基于细通道冷却的高效旋转散热装置，包括冷却元件、旋转驱动机构、冷却工质供收管、旋转接头以及冷却工质；旋转驱动机构设置在冷却元件的内侧面，冷却工质供收管设置在冷却元件的外侧面；受热点位于冷却元件的内侧；旋转接头设置在所述冷却工质供收管上；旋转接头内通入所述冷却工质；旋转驱动机构驱动冷却元件旋转，用于提高冷却元件可承载的热流密度。利用细通道强化传热，同时利用旋转驱动机构带动冷却元件高速旋转，使冷却元件由原本的点集中受热转化为环带均匀受热，从而极大地降低受热点的时均热流密度，突破常规细通道冷却方式所能承载的最高热流密度限值。
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公开(公告)号：CN110473647B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201810884604.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G21H1/02
Abstract: 本发明属于同位素电池领域，涉及一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池。所述电池包括发射极、收集极、填充介质和电池外壳，所述电池包括多个基本单元，一个基本单元由一个发射极和一个收集极组成，填充介质填充在发射极和收集极之间，发射极的两端通过发射极连接材料与电池外壳连接，发射极为双层或三层结构；每两个收集极之间通过绝缘支撑材料连接，所有收集极通过收集极连接材料串联，发射极为双面发射，除两端的收集极外其余收集极为双面收集。所述结构简单，通过双面直接收集放射性同位素源衰变过程中不断释放出的带电粒子，将其衰变能直接转化为电能。
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公开(公告)号：CN106594288B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201611226615.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: F16J15/40 , F16J15/43 , F16J15/447
Abstract: 本发明公开了一种分子牵引型真空动密封结构和超高速真空旋转设备，该分子牵引型真空动密封结构用于转子和真空腔室二者之间的动密封，所述转子的密封面和所述真空腔室的密封面二者之间形成密封间隙，所述真空腔室的密封面上设有导引槽，所述导引槽的出口与排气腔连通，其中，高速旋转的所述转子将动量传递给气体分子，所述气体分子在所述导引槽内被牵引至所述排气腔中排出。本发明利用线速度达到分子热运动速度的刚体表面对气体分子的牵引作用，实现超高速旋转条件下对大直径真空室的真空动密封。利用该结构，可以实现大直径转子超高速旋转时，装置两端的气压从105Pa到10‑7Pa的跨越。
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公开(公告)号：CN106710661A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611229216.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G21G4/02
CPC classification number: G21G4/02
Abstract: 本发明公开了一种适用于超高流强氘氚聚变中子源的高压差气态靶装置，包括加速器接口和反应气体腔室，还包括：真空差分系统，包括二级差分室、一级差分室、小孔径长管道、以及小孔径法兰；束流约束装置，用于对小孔径长管道中的氘束流进行聚焦，使得束流包络小于小孔径长管道与小孔径法兰的内径；以及反应气体循环回收装置，通过真空泵与一级差分室和二级差分室连接，用于将真空泵排出的气体经过分离提纯后通过节流阀进入反应气体腔室，其中，自加速器接口离开的氘束流经过真空差分系统、实现加速器末端10‑5Pa量级至反应气体腔室103Pa量级的压强跨越后，与反应气体腔室内的氚气或氘气发生聚变反应，产生高能聚变中子，并对氚气或氘气在线提纯、回收、循环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106251912B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610671119.0
申请日：2016-08-15
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
CPC classification number: Y02E30/16
Abstract: 本发明公开一种基于质子导体陶瓷膜的自循环氚靶系统，主要适用于氘氚聚变中子发生器中的氚靶系统。本发明将质子导体陶瓷膜作为氚靶的核心部件，其中质子导体陶瓷膜由致密的氧化物陶瓷固体电解质和两个多孔电极构成。自循环过程为：氚水通过外接电源在阳极被电离为氚离子，氚离子在多孔阳极中扩散并通过电解质迁移到阴极后，被还原为氚原子同时受到氘束流的轰击发生氘氚聚变。而阴极未参与聚变反应的氚通过净化系统氧化为氚水，收集后循环回至阳极继续使用。此系统的氚靶工作温度可提高至800‑1000℃，同时实现了氚的循环利用，极大提高了氚的利用率。
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公开(公告)号：CN109119179B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810884647.3
申请日：2018-08-06
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G21H1/00
Abstract: 本发明涉及一种新型亚微米级放射性薄膜源及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。所述薄膜源由石墨烯层和亚微米级放射性薄膜组成，亚微米级放射性薄膜沉积附着在石墨烯层表面；所述的亚微米级放射性薄膜中放射性物质为含β放射性同位素或α放射性同位素的单质、化合物或混合物。所述方法步骤如下：首先在衬底材料上沉积石墨烯，然后在石墨烯层上沉积制备亚微米级放射性薄膜，之后将衬底材料置于衬底溶解液中，溶解衬底材料，最后冲洗，干燥后得到。所述薄膜源满足自支撑薄膜的使用要求且不影响放射源性能。本发明所述的制备方法简单，极大促进亚微米级薄膜放射源的应用范围。
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公开(公告)号：CN106679470B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710076820.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种针对极高热流密度的基于细通道冷却的高效旋转散热装置，包括冷却元件、旋转驱动机构、冷却工质供收管、旋转接头以及冷却工质；旋转驱动机构设置在冷却元件的内侧面，冷却工质供收管设置在冷却元件的外侧面；受热点位于冷却元件的内侧；旋转接头设置在所述冷却工质供收管上；旋转接头内通入所述冷却工质；旋转驱动机构驱动冷却元件旋转，用于提高冷却元件可承载的热流密度。利用细通道强化传热，同时利用旋转驱动机构带动冷却元件高速旋转，使冷却元件由原本的点集中受热转化为环带均匀受热，从而极大地降低受热点的时均热流密度，突破常规细通道冷却方式所能承载的最高热流密度限值。
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公开(公告)号：CN108269639B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810031055.7
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明公开了一种强流中子源持续产生装置，包括沿束流运动方向依次设置的真空差分系统、节流管道、线性靶管及固态靶盘装置，线性靶管用于实现束流与气态介质发生反应，固态靶盘装置用于实现束流与固态介质发生反应，线性靶管内部腔体两端分别与节流管道和固态靶盘装置的固态靶盘腔室密封连接。在本申请提供的强流中子源持续产生装置中，通过将固态靶盘装置安装在线性靶盘后方，实现在线性靶盘产生线中子源后，在固态靶盘装置产生点中子源，通过设置真空差分系统实现线性靶管隔离的情况，使得稳定产生线中子源和点中子源及较高的中子源强。
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公开(公告)号：CN105405471B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510968390.6
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G21B1/11
Abstract: 本发明公开了一种聚变用低电导率液态氚增殖剂及其制备方法，该氚增殖剂为液态基体与弥散颗粒组成的混合物，电导率区间在1‑106s/m，按体积百分数，氚增殖剂包含如下组分：液态增殖剂基体60％‑99.99％，弥散颗粒0.01％‑40％，弥散颗粒材质采用碳化硅、或三氧化二铝、或氧化铍、或二氧化硅、或氧化铒、或硅酸锂、或正硅酸锂、或钛酸锂、或氧化锂、或偏铝酸锂、或锆酸锂、或上述二者或多者混合。其制备方法是：在带气氛保护的高温炉中，通过机械搅拌，将煅烧后的弥散颗粒分散于液态金属中。本发明氚增殖剂在保证良好氚增殖性能的前提下，有效的降低电导率，增强热导率，从而显著的降低液态金属氚增殖剂在强磁场下的磁流体动力学压降(MHD效应)。
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