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公开(公告)号：CN119082881A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411220791.9
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明属于新材料与先进制造领域，尤其是一种真空热退火调控TaS2同质异构结的方法及产物。本发明具体步骤如下：S1、将1T‑TaS2单晶转移至真空环境；S2、在真空环境下，以350‑800℃对1T‑TaS2单晶进行热退火处理；S3、热退火处理完成后，自然冷却至室温，获得异相堆叠结构的TaS2材料。在350‑400℃退火温度下，制备出阶梯状的1H/1T超晶格堆叠构型；在450‑800℃退火温度下，制备出三明治状的1H/1T/1H’超晶格堆叠构型。本发明在真空环境下进行热处理，制备了完全洁净无污染的同质异构结材料；通过精确控制退火温度和时间实现了高精度的孤立的单层结构相变调控，调制了材料堆叠结构的多样性和功能性。
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