公开(公告)号：CN113466650B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110761209.X

申请日：2021-07-06

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 韩建伟 ,  刘鹏程 ,  马英起 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开一种用于检测半导体器件硬缺陷故障点的定位装置及方法，装置包括光源模块、光学模块、物镜、信号提取系统、三维移动台、移动台控制箱、控制计算机；方法包括采集物镜焦点处被测器件的红外显微图像,并记录该图像对应的物镜焦点坐标以及坐标点的频率信号强度，获得频率强度分布图；通过将红外显微图像和频率强度分布图进行叠加，获得信号强度分布图；通过分析信号强度分布图，定位被测器件上硬缺陷故障点的位置；本发明用于Flip‑Chip封装的集成电路进行故障点定位以及集成电路内部的扫描链电路全功能的故障点定位，同时适用于短路、漏电、观察微小失效如晶体管击穿、铝硅互熔短路和介质层裂纹这几种失效模式并且定位准确。

公开(公告)号：CN113466674A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110760925.6

申请日：2021-07-06

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  崔艺馨 ,  韩建伟 ,  上官士鹏 ,  王英豪

IPC分类号： G01R31/311

摘要： 本发明公开了一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法，利用GaN功率器件单粒子效应的单、双光子吸收机制脉冲激光等效重离子评价技术，创新采用理论与试验相结合的技术方法；以GaN功率器件为典型应用示范，针对宽禁带器件单粒子效应的试验要求，形成脉冲激光正面、背部辐射GaN样品沉积有效能量和等效LET值的理论模型，明确激光定量评估试验的表征方法和依据；进行单粒子效应敏感度的激光和重离子比对试验，确定器件的激光有效能量与重离子LET值的对应关系。本发明方法能够作为重离子实验的重要补充，降低实验成本，提高实验效率及准确性，为实际应用中抗辐射器件的选用及抗辐射加固设计提供测试参考。

公开(公告)号：CN111781446A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010578602.0

申请日：2020-06-23

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 李悦 ,  朱翔 ,  马英起 ,  陈睿 ,  上官士鹏 ,  韩建伟

IPC分类号： G01R31/00 ,  G11C29/56

摘要： 本发明属于单粒子效应测试技术领域，具体涉及一种多类型器件单粒子效应统筹监测系统，包括：设置在测试间的上位机、设置在辐照间的多类型器件单粒子效应监测模块和辐照源；所述多类型器件单粒子效应监测模块包括：综合测试单元、实验单元和母板单元；所述综合测试单元，用于根据接收到的上位机指令，对实验单元中的每个待测器件的单粒子效应进行循环检测，并将检测得到的每个待测器件的单粒子翻转次数、单粒子锁定次数以及循环检测次数以日志形式打包成测试数据，并将该测试数据及其对应的待测器件信息，发送至上位机；所述上位机，用于接收每个待测器件的测试数据及其对应的待测器件信息，并将其进行图形界面显示。

公开(公告)号：CN113985240A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111264358.1

申请日：2021-10-28

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 陈睿 ,  韩建伟 ,  李赛 ,  陈钱 ,  梁亚楠 ,  马英起 ,  上官士鹏 ,  朱翔 ,  李悦 ,  王璇

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/265

摘要： 本发明公开了用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置，方法包括将半导体测试器件固定在测试区域并通过直流电压源为半导体测试器件进行供电，通过辐照源诱发半导体测试器件产生感生信号；通过移动半导体测试器件，获取半导体测试器件发生单粒子瞬态脉冲信号的敏感位置，固定辐照源的入射位置，改变辐照源的入射能量，采集不同能量下的第一辐射感生信号；固定入射位置和入射能量，通过改变直流电压源的电压，采集不同电压下器件的第二辐射感生信号；根据第一辐射感生信号和第二辐射感生信号，获取半导体测试器件的瞬态辐射感生电荷，本发明根据上述方法对应设计了实现系统和装置，从而为半导体器件的抗辐射加固设计提供依据。

公开(公告)号：CN113030688A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110255495.2

申请日：2021-03-09

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  陈钱 ,  韩建伟 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。

公开(公告)号：CN105136049A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510523492.7

申请日：2015-08-24

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 封国强 ,  马英起 ,  韩建伟 ,  上官士鹏 ,  朱翔 ,  陈睿

IPC分类号： G01B11/06

摘要： 本发明提供了一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法，首先，通过聚焦的激光垂直照射置于空气中的半导体器件；垂直移动半导体器件，调节激光的聚焦平面分别移至半导体器件的上表面和下表面，使得两个表面产生的反射光通过CCD相机接收后均形成清晰的光斑成像，然后记录两个位置的高度h2和高度h1；最后，利用公式h＝n·ΔZ计算得出半导体器件的厚度h，n表示半导体器件的材料折射率，ΔZ＝h1-h2。上述光学测量方法利用光在不同材料的界面处具有较强的反射原理，测量时将聚焦光束的焦平面分别定位于被测材料的两个界面处，得出聚焦光束定位距离ΔZ，从而计算得到被测材料的厚度h，无需增加膜厚测量设备，即可实现材料厚度的现场原位测量，降低了测量成本。

公开(公告)号：CN113466674B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110760925.6

申请日：2021-07-06

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  崔艺馨 ,  韩建伟 ,  上官士鹏 ,  王英豪

IPC分类号： G01R31/311

摘要： 本发明公开了一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法，利用GaN功率器件单粒子效应的单、双光子吸收机制脉冲激光等效重离子评价技术，创新采用理论与试验相结合的技术方法；以GaN功率器件为典型应用示范，针对宽禁带器件单粒子效应的试验要求，形成脉冲激光正面、背部辐射GaN样品沉积有效能量和等效LET值的理论模型，明确激光定量评估试验的表征方法和依据；进行单粒子效应敏感度的激光和重离子比对试验，确定器件的激光有效能量与重离子LET值的对应关系。本发明方法能够作为重离子实验的重要补充，降低实验成本，提高实验效率及准确性，为实际应用中抗辐射器件的选用及抗辐射加固设计提供测试参考。

公开(公告)号：CN113030688B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110255495.2

申请日：2021-03-09

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  陈钱 ,  韩建伟 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。

公开(公告)号：CN113466650A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110761209.X

申请日：2021-07-06

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 韩建伟 ,  刘鹏程 ,  马英起 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开一种用于检测半导体器件硬缺陷故障点的定位装置及方法，装置包括光源模块、光学模块、物镜、信号提取系统、三维移动台、移动台控制箱、控制计算机；方法包括采集物镜焦点处被测器件的红外显微图像,并记录该图像对应的物镜焦点坐标以及坐标点的频率信号强度，获得频率强度分布图；通过将红外显微图像和频率强度分布图进行叠加，获得信号强度分布图；通过分析信号强度分布图，定位被测器件上硬缺陷故障点的位置；本发明用于Flip‑Chip封装的集成电路进行故障点定位以及集成电路内部的扫描链电路全功能的故障点定位，同时适用于短路、漏电、观察微小失效如晶体管击穿、铝硅互熔短路和介质层裂纹这几种失效模式并且定位准确。

公开(公告)号：CN108173645B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201711441238.8

申请日：2017-12-27

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 朱翔 ,  韩建伟 ,  马英起 ,  上官士鹏 ,  李悦

IPC分类号： H04L9/08 ,  H04L9/00 ,  G01R31/308 ,  H04L12/26

摘要： 本发明涉及一种密码芯片的安全检测方法，其包括：根据激光攻击策略，在一个或多个第一激光注入点处对密码芯片进行激光注入，该密码芯片生成一个或多个第一密文；对其进行分析，在该一个或多个第一激光注入点中筛选出符合该激光攻击策略的一个或多个第二激光注入点；该一个或多个第一密文分别与该一个或多个第一激光注入点相关联；在不同的激光触发时间，在该一个或多个第二激光注入点处对该密码芯片进行激光注入；从该密码芯片生成的一个或多个第二密文中筛选出符合不同的激光触发时间的一个或多个第三密文；该一个或多个第二密文与该一个或多个第二激光注入点相关联；以及根据该一个或多个第三密文进行密钥分析，得出恢复密码芯片的密钥。