公开(公告)号：CN114324390A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111576967.0

申请日：2021-12-22

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 陈睿 ,  韩建伟 ,  杨涵 ,  陈钱 ,  梁亚楠 ,  马英起 ,  上官士鹏 ,  朱翔 ,  李悦

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01R31/28

摘要： 本发明公开了一种基于连续激光源的集成电路失效定位系统及方法，包括：基于红外激光器照射待测电路样品，获取所述待测电路样品的扫描数据；基于红外相机对所述待测电路样品进行拍照，获取电路布局图；将所述扫描数据与所述电路布局图进行对照，获得失效定位点。本发明解决了集成电路阻性失效的失效点定位问题，实现了集成电路阻性失效和晶体管栅极破损的精确、快速定位。提高了集成电路失效定位的测试效率和定位精度，为集成电路失效分析的研究提供了技术支持。

公开(公告)号：CN115420979A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211062156.3

申请日：2022-08-31

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 韩建伟 ,  袁润杰 ,  王璇 ,  陈睿 ,  陈钱 ,  梁亚楠 ,  李宏伟

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28

摘要： 本发明公开了一种集成电路空间静电放电脉冲精确注入系统及测试方法，其中系统包括：静电发生器、静电发生器固定支架、静电放电板、放电脉冲接收器、放电脉冲传导装置、法拉第笼、探针精确注入系统、供电系统、测试系统；测试方法包括：构建静电发生器，获取待测集成电路样品；产生静电放电脉冲，利用探针台将静电放电脉冲精确注入待测集成电路样品的目标位置，影响待测集成电路样品的内部功能；对待测集成电路样品进行恒压或恒流供电，注入放电脉冲，监测电流电压状态。本发明解决了半导体集成电路空间静电放电脉冲的精确注入问题，为集成电路的SESD薄弱位置定位及后续防护设计提供技术支持。

公开(公告)号：CN118748206A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410819259.2

申请日：2024-06-24

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 梁亚楠 ,  陈睿 ,  陈钱 ,  王籽彧 ,  韩建伟

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/528 ,  H01L29/45 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：依次生长在衬底上的GaN缓冲层和具有凹槽区域的势垒层；覆盖在势垒层上的钝化保护层；覆盖在凹槽区域上的高空穴浓度结构层；贯穿势垒层和钝化保护层并位于高空穴浓度结构层两侧的源极电极和漏极电极；位于高空穴浓度结构层上的栅极电极；和位于源极电极和漏极电极外且与GaN缓冲层接触的第一地电极和第二地电极。由于在漏极电极和源极电极边缘增加第一地电极和第二地电极，其与GaN缓冲层形成欧姆接触，可抽取重离子入射产生的电子空穴对，因此可有效改善粒子入射到GaN高电子迁移率晶体管中引起器件单粒子烧毁情况。

公开(公告)号：CN113985240A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111264358.1

申请日：2021-10-28

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 陈睿 ,  韩建伟 ,  李赛 ,  陈钱 ,  梁亚楠 ,  马英起 ,  上官士鹏 ,  朱翔 ,  李悦 ,  王璇

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/265

摘要： 本发明公开了用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置，方法包括将半导体测试器件固定在测试区域并通过直流电压源为半导体测试器件进行供电，通过辐照源诱发半导体测试器件产生感生信号；通过移动半导体测试器件，获取半导体测试器件发生单粒子瞬态脉冲信号的敏感位置，固定辐照源的入射位置，改变辐照源的入射能量，采集不同能量下的第一辐射感生信号；固定入射位置和入射能量，通过改变直流电压源的电压，采集不同电压下器件的第二辐射感生信号；根据第一辐射感生信号和第二辐射感生信号，获取半导体测试器件的瞬态辐射感生电荷，本发明根据上述方法对应设计了实现系统和装置，从而为半导体器件的抗辐射加固设计提供依据。

公开(公告)号：CN113030688A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110255495.2

申请日：2021-03-09

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  陈钱 ,  韩建伟 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。

公开(公告)号：CN113030688B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110255495.2

申请日：2021-03-09

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  陈钱 ,  韩建伟 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。