公开(公告)号：CN118748206A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410819259.2

申请日：2024-06-24

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 梁亚楠 ,  陈睿 ,  陈钱 ,  王籽彧 ,  韩建伟

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/528 ,  H01L29/45 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：依次生长在衬底上的GaN缓冲层和具有凹槽区域的势垒层；覆盖在势垒层上的钝化保护层；覆盖在凹槽区域上的高空穴浓度结构层；贯穿势垒层和钝化保护层并位于高空穴浓度结构层两侧的源极电极和漏极电极；位于高空穴浓度结构层上的栅极电极；和位于源极电极和漏极电极外且与GaN缓冲层接触的第一地电极和第二地电极。由于在漏极电极和源极电极边缘增加第一地电极和第二地电极，其与GaN缓冲层形成欧姆接触，可抽取重离子入射产生的电子空穴对，因此可有效改善粒子入射到GaN高电子迁移率晶体管中引起器件单粒子烧毁情况。

公开(公告)号：CN118597450A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410714708.7

申请日：2024-06-04

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 蔡明辉 ,  杨涛 ,  朱翔 ,  赵旭 ,  许亮亮 ,  夏清 ,  贾鑫禹 ,  张琬迎 ,  韩建伟

IPC分类号： B64G1/54 ,  H05K5/02 ,  H05K5/04 ,  H05K5/03 ,  H05K7/14

摘要： 本发明涉及航空航天技术领域，特别涉及一种铝钽金属复合材料的卫星有效载荷抗辐射装置，包括：电子学箱，包括底板和主体结构骨架；侧板，覆盖主体结构骨架外侧面；顶层盖板，覆盖主体结构骨架顶部；和印制电路板组件，安装至主体结构骨架内；其中，所述侧板和顶层盖板分别由铝钽复合层状板轧制而成；所述电子学箱的底板和主体结构骨架由铝锭雕铣一体成型。本发明提供的铝钽金属复合材料的卫星有效载荷抗辐射装置相较于传统的2A12铝合金制作的卫星有效载荷抗辐射装置，在相同面密度情况下，可以在保证足够的结构强度和良好的抗力学能力的同时提升抗辐射能力。

公开(公告)号：CN115711574A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211434947.4

申请日：2022-11-16

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 张龙龙 ,  李宏伟 ,  陶孟泽 ,  寇彬 ,  胡紫楠 ,  马英起 ,  韩建伟

IPC分类号： G01B9/02 ,  G01B9/02001 ,  G01M11/02

摘要： 本发明涉及测量辐照效应导致液晶光学部件折射率变化领域，具体一种迈克尔逊干涉仪及其测量液晶光学部件折射率变化的方法，本发明的迈克尔逊干涉仪用于实现液晶光学部件空间辐射环境效应的原位测试。该干涉仪由激光器、准直扩束透镜、分光镜、水平倾斜反射镜、竖直反射镜、聚束透镜、液晶装置CCD、和辐射源构成。液晶装置置于分光镜和竖直反射镜之间。液晶装置与液晶驱动电源连接。竖直反射镜是正面为光滑镜面而背面开有非贯穿小孔的铝板。射线由辐射源出射垂直照射竖直反射镜背面，穿透小孔底部实现对液晶的局部辐照。通过对比有无辐照时CCD中的干涉条纹的畸变，计算被辐照的液晶区域的折射率。

公开(公告)号：CN114671055A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210301192.4

申请日：2022-03-24

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 蔡明辉 ,  夏清 ,  许亮亮 ,  杨涛 ,  贾鑫禹 ,  韩建伟

IPC分类号： B64G7/00

摘要： 本发明公开一种月面综合环境下摩擦带电的地面模拟实验装置及方法，包括防尘组件，防尘组件包括温控盒，温控盒设置于真空室内部，温控盒的顶端具有可开闭的出入口；摩擦组件包括设置于温控盒内的滚轮，滚轮的外侧设有待测材料，滚轮安装于高度调节支架上，温控盒的底面开设有月尘槽，月尘槽内盛放有月尘模拟物；光照组件设置于真空室的顶端；等离子环境模拟组件包括气路，气路用于通入惰性气体，气路的输出端伸入至真空室内部，且气路的输出端设有阴极钨丝；表面电位测量组件包括静电电位计探头。本发明同时考虑光照、高低温度、等离子体环境等关键因素，模拟月表复杂空间环境中的摩擦充电效应，可评估月表环境对摩擦充电效应的影响。

公开(公告)号：CN113985240A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111264358.1

申请日：2021-10-28

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 陈睿 ,  韩建伟 ,  李赛 ,  陈钱 ,  梁亚楠 ,  马英起 ,  上官士鹏 ,  朱翔 ,  李悦 ,  王璇

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/265

摘要： 本发明公开了用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置，方法包括将半导体测试器件固定在测试区域并通过直流电压源为半导体测试器件进行供电，通过辐照源诱发半导体测试器件产生感生信号；通过移动半导体测试器件，获取半导体测试器件发生单粒子瞬态脉冲信号的敏感位置，固定辐照源的入射位置，改变辐照源的入射能量，采集不同能量下的第一辐射感生信号；固定入射位置和入射能量，通过改变直流电压源的电压，采集不同电压下器件的第二辐射感生信号；根据第一辐射感生信号和第二辐射感生信号，获取半导体测试器件的瞬态辐射感生电荷，本发明根据上述方法对应设计了实现系统和装置，从而为半导体器件的抗辐射加固设计提供依据。

公开(公告)号：CN113030688A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110255495.2

申请日：2021-03-09

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  陈钱 ,  韩建伟 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。

公开(公告)号：CN105136049A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510523492.7

申请日：2015-08-24

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 封国强 ,  马英起 ,  韩建伟 ,  上官士鹏 ,  朱翔 ,  陈睿

IPC分类号： G01B11/06

摘要： 本发明提供了一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法，首先，通过聚焦的激光垂直照射置于空气中的半导体器件；垂直移动半导体器件，调节激光的聚焦平面分别移至半导体器件的上表面和下表面，使得两个表面产生的反射光通过CCD相机接收后均形成清晰的光斑成像，然后记录两个位置的高度h2和高度h1；最后，利用公式h＝n·ΔZ计算得出半导体器件的厚度h，n表示半导体器件的材料折射率，ΔZ＝h1-h2。上述光学测量方法利用光在不同材料的界面处具有较强的反射原理，测量时将聚焦光束的焦平面分别定位于被测材料的两个界面处，得出聚焦光束定位距离ΔZ，从而计算得到被测材料的厚度h，无需增加膜厚测量设备，即可实现材料厚度的现场原位测量，降低了测量成本。

公开(公告)号：CN115420979A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211062156.3

申请日：2022-08-31

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 韩建伟 ,  袁润杰 ,  王璇 ,  陈睿 ,  陈钱 ,  梁亚楠 ,  李宏伟

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28

摘要： 本发明公开了一种集成电路空间静电放电脉冲精确注入系统及测试方法，其中系统包括：静电发生器、静电发生器固定支架、静电放电板、放电脉冲接收器、放电脉冲传导装置、法拉第笼、探针精确注入系统、供电系统、测试系统；测试方法包括：构建静电发生器，获取待测集成电路样品；产生静电放电脉冲，利用探针台将静电放电脉冲精确注入待测集成电路样品的目标位置，影响待测集成电路样品的内部功能；对待测集成电路样品进行恒压或恒流供电，注入放电脉冲，监测电流电压状态。本发明解决了半导体集成电路空间静电放电脉冲的精确注入问题，为集成电路的SESD薄弱位置定位及后续防护设计提供技术支持。

公开(公告)号：CN113466650B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110761209.X

申请日：2021-07-06

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 韩建伟 ,  刘鹏程 ,  马英起 ,  朱翔 ,  上官士鹏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开一种用于检测半导体器件硬缺陷故障点的定位装置及方法，装置包括光源模块、光学模块、物镜、信号提取系统、三维移动台、移动台控制箱、控制计算机；方法包括采集物镜焦点处被测器件的红外显微图像,并记录该图像对应的物镜焦点坐标以及坐标点的频率信号强度，获得频率强度分布图；通过将红外显微图像和频率强度分布图进行叠加，获得信号强度分布图；通过分析信号强度分布图，定位被测器件上硬缺陷故障点的位置；本发明用于Flip‑Chip封装的集成电路进行故障点定位以及集成电路内部的扫描链电路全功能的故障点定位，同时适用于短路、漏电、观察微小失效如晶体管击穿、铝硅互熔短路和介质层裂纹这几种失效模式并且定位准确。

公开(公告)号：CN113466674A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110760925.6

申请日：2021-07-06

申请人： 中国科学院国家空间科学中心

发明人： 马英起 ,  崔艺馨 ,  韩建伟 ,  上官士鹏 ,  王英豪

IPC分类号： G01R31/311

摘要： 本发明公开了一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法，利用GaN功率器件单粒子效应的单、双光子吸收机制脉冲激光等效重离子评价技术，创新采用理论与试验相结合的技术方法；以GaN功率器件为典型应用示范，针对宽禁带器件单粒子效应的试验要求，形成脉冲激光正面、背部辐射GaN样品沉积有效能量和等效LET值的理论模型，明确激光定量评估试验的表征方法和依据；进行单粒子效应敏感度的激光和重离子比对试验，确定器件的激光有效能量与重离子LET值的对应关系。本发明方法能够作为重离子实验的重要补充，降低实验成本，提高实验效率及准确性，为实际应用中抗辐射器件的选用及抗辐射加固设计提供测试参考。