公开(公告)号：CN117888203A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410075304.8

申请日：2024-01-17

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 胡皓阳 ,  蒋俊 ,  周文杰 ,  谈小建 ,  吴洁华

IPC分类号： C30B29/52 ,  C30B9/04 ,  C30B33/02

摘要： 本发明提供了一种SnSe晶体的制备方法，包括：S1，将SnSe多晶料锭置于石英坩埚底部，将SnSe籽晶倒置悬挂在石英坩埚内，将石英坩埚抽真空并密封；S2，将石英坩埚置于晶体生长炉中，升高石英坩埚内温度，使SnSe多晶料锭熔化为SnSe熔体并与SnSe籽晶接种；自上而下降低石英坩埚内温度，使SnSe熔体结晶为SnSe晶体；结晶完成后，继续降低石英坩埚内温度，对SnSe晶体进行退火，得到SnSe晶体。本发明可抑制SnSe晶体生长过程中Se元素挥发，并避免降温过程中坩埚对SnSe晶体挤压产生应力和坩埚破裂熔体外溢，大幅提升SnSe晶体结晶质量和晶体生长成功率。