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公开(公告)号：CN116963573A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310703113.7
申请日：2023-06-14
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H10N10/17 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本发明公开了一种高性能双段结构热电发电器件，包括上基板、下基板和至少一个固定设置在上基板与下基板之间的热电单体组件，热电单体组件包括N型热电单体和P型热电单体，N型热电单体和P型热电单体均由两类不同温区的热电粒子沿温度梯度方向组合构成，N型热电单体的高温端与上基板相固定，N型热电单体的低温端与下基板相固定，P型热电单体的高温端与上基板相固定，P型热电单体的低温端与下基板相固定，本发明还公开了上述高性能双段结构热电发电器件的制备方法和应用，与现有技术相比，本发明由在不同温区具有优异热电性能的两类热电材料沿温度梯度方向组合构成的双段器件，能够实现不同温区能量转换效率最大化，具有更高的热电转换效率，且能够实现整个温区能量转换效率最大化。
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公开(公告)号：CN114835495B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110138674.8
申请日：2021-02-01
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本申请公开了一种择优取向的n型碲化铋烧结材料及其制备方法与应用，所述n型碲化铋烧结材料选自具有式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种。所述择优取向的n型碲化铋烧结材料择优取向明显，且具有良好的电性能和热性能，具有良好的作为热电材料的应用。
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公开(公告)号：CN115072671B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110274145.0
申请日：2021-03-15
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： C01B19/00 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本申请公开了一种锗铋碲基热电材料及其制备方法，所述锗铋碲基热电材料包括化学式GeAxBi2‑xTe4的化合物。本申请通过改变A、Bi的掺杂比例，特别是在掺杂Sb元素后，改变Bi和Sb的比例，能有效调控材料的载流子浓度，达到最佳范围，获得较大的功率因子。且得到的锗铋碲基热电材料为组织和性能分布均匀的单一相。
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公开(公告)号：CN113328031A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010905401.7
申请日：2020-09-01
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本申请公开了一种高强高效碲化铋块体，所述碲化铋块体为层片状；所述碲化铋块体为Bi0.5Sb1.5Te3+x的P型层片状碲化铋块体，其中，x取值范围为0～0.05；或为Bi2Te3‑ySey的N型层片状碲化铋块体，其中，y取值范围为0～0.3。本申请所提供的是一种具有特殊层片状结构，并具有高取向度和晶粒细化双重特征的碲化铋块体，所述碲化铋块体，无需切割和/或研磨成粉，可直接用于真空热压烧结或真空热变形烧结，实现快速制备高热电优值、高强度的碲化铋基热电材料。
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公开(公告)号：CN117888203A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410075304.8
申请日：2024-01-17
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明提供了一种SnSe晶体的制备方法，包括：S1，将SnSe多晶料锭置于石英坩埚底部，将SnSe籽晶倒置悬挂在石英坩埚内，将石英坩埚抽真空并密封；S2，将石英坩埚置于晶体生长炉中，升高石英坩埚内温度，使SnSe多晶料锭熔化为SnSe熔体并与SnSe籽晶接种；自上而下降低石英坩埚内温度，使SnSe熔体结晶为SnSe晶体；结晶完成后，继续降低石英坩埚内温度，对SnSe晶体进行退火，得到SnSe晶体。本发明可抑制SnSe晶体生长过程中Se元素挥发，并避免降温过程中坩埚对SnSe晶体挤压产生应力和坩埚破裂熔体外溢，大幅提升SnSe晶体结晶质量和晶体生长成功率。
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公开(公告)号：CN115073176B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110274171.3
申请日：2021-03-15
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H10N10/852
摘要： 本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法，所述碲化铋基热电材料包括基体材料和掺杂在所述基体材料内的半导体材料；所述基体材料包括碲化铋；所述半导体材料为三元化合物半导体材料。本申请热电材料通过在基体材料中掺入三元化合物半导体材料并结合湿法高能球磨及真空热压烧结工艺，提升了功率因子，优化了电输运性能；形成多种缺陷中心，增强了声子散射，有效降低了碲化铋基热电材料晶格热导率，优化了热输运性能；同时提高了热电材料的各向同性和维氏硬度。
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公开(公告)号：CN115072671A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110274145.0
申请日：2021-03-15
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： C01B19/00 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , H01L35/16 , H01L35/34
摘要： 本申请公开了一种锗铋碲基热电材料及其制备方法，所述锗铋碲基热电材料包括化学式GeAxBi2‑xTe4的化合物。本申请通过改变A、Bi的掺杂比例，特别是在掺杂Sb元素后，改变Bi和Sb的比例，能有效调控材料的载流子浓度，达到最佳范围，获得较大的功率因子。且得到的锗铋碲基热电材料为组织和性能分布均匀的单一相。
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公开(公告)号：CN111710775A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010710025.6
申请日：2020-07-22
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本申请公开了一种硒化锡基热电材料，包括具有式Ⅰ所示化学式的化合物中至少一种，其中，元素A选自Ag；元素M选自Sb、Bi中的至少一种；元素N选自Se、Te中的至少一种；x的取值范围为：0.15＜x＜0.5。本申请通过固相合成工艺，成功制备了高性能立方相硒化锡块体材料，对热电研究和应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN117923901A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211238764.5
申请日：2022-10-11
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/622 , H10N10/852
摘要： 本申请公开了一种碲化锗基热电材料和应用，化学式为Ge1‑nMnTe；其中，M选自Bi、In、Cd中的至少一种；M的摩尔分数为n，0＜n≤0.11。本申请采用三种元素共同掺杂的策略，三种不同元素的共同掺杂不仅优化了碲化锗的载流子浓度和能带结构，并且在保持高载流子迁移率的情况下有效降低碲化锗的晶格热导率。因此，在电、热性能综合调控效果下使得碲化锗的热电优值得到了提高。本申请的碲化锗基热电材料，制备工艺简单、稳定、高效，热电性能优异，可以很好地满足中温区热电发电应用的需求。
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公开(公告)号：CN116456799A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310173156.9
申请日：2023-02-22
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 浙江吉润汽车有限公司
IPC分类号： H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法。所述碲化铋基热电材料包括基体材料和复合在所述基体材料内的半导体材料；所述基体材料为碲化铋；所述半导体材料为三元化合物半导体材料，其中所述三元化合物半导体材料的元素为银元素、锗元素和碲元素。本申请热电材料通过在基体材料中复合三元化合物半导体材料以及非金属元素，结合球磨、真空热压烧结、退火工艺，在小幅提升功率因子优化电输运性能的同时，形成不同维度的缺陷中心增强对于多种频率声子的散射作用，从而大幅度降低碲化铋基热电材料的晶格热导率，优化热输运性能；此外协同改性还提高了复合材料的维氏硬度，增强了机械性能。
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