公开(公告)号：CN118352408A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298053.X

申请日：2024-03-15

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 叶继春 ,  曾俞衡 ,  杜浩江 ,  张洪宇 ,  欧亚梨 ,  水丽蓁 ,  刘伟 ,  廖明墩

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构及其制备方法，钝化接触结构包括依次层叠设置的隧穿层、第一掺硼多晶硅层、氮硅化物层和第二掺硼多晶硅层，所述第二掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度大于所述第一掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度。本发明提出一种具有多层多晶硅及硅化物体系的钝化接触结构，此结构可有效降低界面硼积累，降低界面态密度和改善p型隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)结构钝化性能，同时适用于产业大规模生产，有助于提升p型TOPCon结构相关器件的性能。