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公开(公告)号：CN114395800A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111489021.0
申请日：2021-12-08
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
摘要： 本发明属于二维纳米材料技术领域，具体涉及了一类含氮族元素端基的MXene材料晶体。所述MXene材料晶体的分子表达式为Mn+1XnTx，T包含AaBb，其中A为氮族元素端基中一种或多种，B为非氮族元素端基中的一种或多种，a+b＝1～2，a>0，b≥0，x为端基的化学计量数，x＝1～2。所述的氮族元素端基包括P、As、Sb中的一种或多种。本发明实现了在MXene材料晶体的端基含氮族元素，有效的扩展了MXene材料的结构和元素多样性，通过端基修饰调控其物理、化学性质，从而拓展该类材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN114408873B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111488980.0
申请日：2021-12-08
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 本发明属于二维纳米材料技术领域，具体涉及了一种MXene材料的刻蚀方法。一种MXene材料的刻蚀方法，包括将前驱体MAX相材料、硫族或氮族单质元素粉体或其相关的合金相、以及无机盐混合，高温反应。本发明方法简单高效，环境友好，避免了使用高毒性、高危险性的氢氟酸(HF)溶液作为刻蚀剂制备MXene的诸多缺陷，同时实现了MXene材料表面的化学修饰，通过端基修饰可以有效调控MXenes材料的物理、化学性质，有望进一步促进MXenes的功能应用和大规模制备。
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公开(公告)号：CN114395800B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111489021.0
申请日：2021-12-08
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
摘要： 本发明属于二维纳米材料技术领域，具体涉及了一类含氮族元素端基的MXene材料晶体。所述MXene材料晶体的分子表达式为Mn+1XnTx，T包含AaBb，其中A为氮族元素端基中一种或多种，B为非氮族元素端基中的一种或多种，a+b＝1～2，a>0，b≥0，x为端基的化学计量数，x＝1～2。所述的氮族元素端基包括P、As、Sb中的一种或多种。本发明实现了在MXene材料晶体的端基含氮族元素，有效的扩展了MXene材料的结构和元素多样性，通过端基修饰调控其物理、化学性质，从而拓展该类材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN115872404A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310193194.0
申请日：2023-03-03
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
摘要： 本发明属于二维纳米材料技术领域，涉及一种金属插层二维化合物及其制备方法。所述金属插层二维化合物的分子通式为M(n+1)mIm‑1XnmTx，M选自III B、IV B、V B、VI B、VII B元素中的任意一种或两种以上的任意组合，I为插层元素，X为碳或/和氮元素，T为表面端基；其中，n为1~3中的任意数，x为1~3中的任意数，m为2~20中的任意数。所述金属插层二维化合物兼具了MAX相材料的稳定结构特点和MXene丰富的表面化学特征，在储能、催化等领域表现出巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN113816378B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111330269.2
申请日：2021-11-11
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
IPC分类号： C01B32/90 , C01B21/082 , C01B19/00 , C04B35/515 , C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/626
摘要： 本发明公开了一种A位含锑元素的MAX相层状材料、其制备方法及应用。所述MAX相层状材料是一种具有纳米层状化合物，分子式表示为Mn+1AXn，M选自前过渡金属族元素中的任意一种或两种以上的任意组合，A为锑或含锑合金的任意组合，X为C和/或N元素，n为1、2、3或4。本发明提供的A位含锑元素的MAX相层状材料具有六方晶系结构，空间群为P63/mmc，晶胞由Mn+1Xn亚结构层与含锑原子层交替堆垛而成。本发明提供的A位含锑元素的MAX相层状材料在超导、储能、催化、电磁屏蔽、摩擦磨损等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN114408873A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111488980.0
申请日：2021-12-08
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 本发明属于二维纳米材料技术领域，具体涉及了一种MXene材料的刻蚀方法。一种MXene材料的刻蚀方法，包括将前驱体MAX相材料、硫族或氮族单质元素粉体或其相关的合金相、以及无机盐混合，高温反应。本发明方法简单高效，环境友好，避免了使用高毒性、高危险性的氢氟酸(HF)溶液作为刻蚀剂制备MXene的诸多缺陷，同时实现了MXene材料表面的化学修饰，通过端基修饰可以有效调控MXenes材料的物理、化学性质，有望进一步促进MXenes的功能应用和大规模制备。
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公开(公告)号：CN113816378A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111330269.2
申请日：2021-11-11
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
IPC分类号： C01B32/90 , C01B21/082 , C01B19/00 , C04B35/515 , C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/626
摘要： 本发明公开了一种A位含锑元素的MAX相层状材料、其制备方法及应用。所述MAX相层状材料是一种具有纳米层状化合物，分子式表示为Mn+1AXn，M选自前过渡金属族元素中的任意一种或两种以上的任意组合，A为锑或含锑合金的任意组合，X为C和/或N元素，n为1、2、3或4。本发明提供的A位含锑元素的MAX相层状材料具有六方晶系结构，空间群为P63/mmc，晶胞由Mn+1Xn亚结构层与含锑原子层交替堆垛而成。本发明提供的A位含锑元素的MAX相层状材料在超导、储能、催化、电磁屏蔽、摩擦磨损等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN117865214A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311591460.1
申请日：2023-11-27
申请人： 宁波杭州湾新材料研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明涉及一种耐高温抗氧化电磁波吸收材料的制备方法，属于复合无机材料技术领域。本发明公开了一种耐高温抗氧化电磁波吸收材料的制备方法，所述制备方法包括：采用路易斯酸盐对前驱体MAX相材料Mn+1(AzA'1‑z)Xn中的A'元素进行刻蚀，得到耐高温抗氧化电磁波吸收材料Mn+1AzXnTx；其中M选自IIIB、IVB、VB、VIB族元素中的任意一种或多种；A和A'均选自IB、IIB、VIIIB、IIIA、IVA、VA、VIA元素中任意一种或多种；X为C、N元素中的任意一种或两种；Tx为表面基团，包括‑Cl、‑Br、‑I中任意一种或多种；n为1、2、3或4，0＜z＜1。本发明还公开了制得的耐高温抗氧化电磁波吸收材料在电磁波屏蔽与吸收领域中的应用。
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公开(公告)号：CN114349006B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111488622.X
申请日：2021-12-08
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
IPC分类号： C01B32/914 , C01B32/921
摘要： 本发明属于二维纳米材料技术领域，具体涉及了一种MXene材料的表面修饰方法，是基于熔盐环境中的阴离子配位竞争的MXene表面修饰方法。具体包括将前驱体MAX相材料、路易斯酸熔盐、端基相关的单质元素粉体或端基相关的合金相、以及无机盐混合，高温反应制成MXene材料。本发明方法简单高效，环境友好，避免了使用高毒性、高危险性的氢氟酸溶液作为刻蚀剂制备MXene的诸多缺陷，同时实现了MXene材料表面的化学修饰，通过端基修饰可以有效调控MXenes材料的物理、化学性质，有望进一步促进MXenes的功能应用和大规模制备。
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公开(公告)号：CN115872404B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310193194.0
申请日：2023-03-03
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
摘要： 本发明属于二维纳米材料技术领域，涉及一种金属插层二维化合物及其制备方法。所述金属插层二维化合物的分子通式为M(n+1)mIm‑1XnmTx，M选自III B、IV B、V B、VI B、VII B元素中的任意一种或两种以上的任意组合，I为插层元素，X为碳或/和氮元素，T为表面端基；其中，n为1~3中的任意数，x为1~3中的任意数，m为2~20中的任意数。所述金属插层二维化合物兼具了MAX相材料的稳定结构特点和MXene丰富的表面化学特征，在储能、催化等领域表现出巨大的应用前景。
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