一种快速连接碳化硅的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118495979A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410425968.2

    申请日:2024-04-10

    发明人: 周小兵 许洁 黄庆

    IPC分类号: C04B37/00

    摘要: 本发明属于碳化硅材料的连接技术领域,具体涉及一种快速连接碳化硅的方法。所述快速连接碳化硅的方法,包括以下步骤:在两件待连接的碳化硅材料中间设置中间层,再将夹有中间层的两件待连接的碳化硅材料置于两件发热材料之间,且碳化硅材料与发热材料接触,发热材料与电源的电极相连形成回路,通电后进行连接。以发热材料为热源,接通电源后发热材料快速产生大量焦耳热,通过热传导和热辐射作用使碳化硅温度瞬间升高,在中间层的作用下,实现碳化硅的快速连接。

    一种液态富碳型金属基SiCN陶瓷先驱体的制备方法

    公开(公告)号:CN115746308B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202211232780.3

    申请日:2022-10-10

    IPC分类号: C08G77/62

    摘要: 本发明属于陶瓷先驱体制备技术领域,涉及一种液态富碳型金属基SiCN陶瓷先驱体的制备方法。所述制备方法包括以下步骤:(1)在惰性气氛下,以乙烯基硅氮烷单体和金属基化合物为原料,进行反应,生成含金属乙烯基硅氮烷单体;(2)使包括含金属乙烯基硅氮烷单体、液态小分子聚碳硅烷或液态小分子聚硅碳硅烷、以及催化剂的体系混合均匀,获得液态富碳型金属基SiCN陶瓷先驱体。该制备工艺简单,制备的先驱体室温下呈液态,可与空气较长时间接触、长期稳定储存。

    一种碳化硅材料中不同类型氧元素的检测方法

    公开(公告)号:CN117288805A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311200147.0

    申请日:2023-09-15

    IPC分类号: G01N25/48 G01N1/32

    摘要: 本发明公开了一种碳化硅材料中不同类型氧元素的检测方法,包括:S1、以梯度升温方式分别对多种氧标准品进行加热,且记录多种氧标准品所含的不同类型氧元素释放时的温度及时间;S2、采用酸对多种氧标准品进行刻蚀,以除去多种氧标准品所含的不同类型氧元素,以所述梯度升温方式分别对经过刻蚀的多种氧标准品进行加热,且也记录经过刻蚀的多种氧标准品所含的不同类型氧元素释放时对应的温度及时间;S3、将步骤S1所获测试结果与步骤S2所获测试结果进行比对,并由此建立不同类型氧元素的特征温度曲线;S4、采用已知氧含量的标准品对标准特征温度曲线进行氧含量的标定。本发明能够快速、准确的检测出待测碳化硅材料中的氧元素类型及含量。

    一种MXene材料的刻蚀方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114408873B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202111488980.0

    申请日:2021-12-08

    IPC分类号: C01B19/00

    摘要: 本发明属于二维纳米材料技术领域,具体涉及了一种MXene材料的刻蚀方法。一种MXene材料的刻蚀方法,包括将前驱体MAX相材料、硫族或氮族单质元素粉体或其相关的合金相、以及无机盐混合,高温反应。本发明方法简单高效,环境友好,避免了使用高毒性、高危险性的氢氟酸(HF)溶液作为刻蚀剂制备MXene的诸多缺陷,同时实现了MXene材料表面的化学修饰,通过端基修饰可以有效调控MXenes材料的物理、化学性质,有望进一步促进MXenes的功能应用和大规模制备。

    一种纳米硅碳复合材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116682958A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310688180.6

    申请日:2023-06-12

    摘要: 本发明涉及一种纳米硅碳复合材料及其制备方法与应用,属于电池材料技术领域。本发明公开了一种纳米硅碳复合材料,纳米硅碳复合材料由碳基材、纳米硅和空隙组成,碳基材包括基质碳、连续三维网络状碳中的一种或两种,纳米硅碳复合材料的结构为纳米硅和空隙均匀分布在基质碳中,和/或,分布有纳米硅和空隙的基质碳中,纳米硅周围有连续三维网络状碳;所有空隙的体积占基质碳的体积的20~50%;部分空隙分布在纳米硅中,分布在纳米硅中的空隙的体积占纳米硅体积的10~40%。本发明还公开了纳米硅碳复合材料的制备方法及制得的纳米硅碳复合材料在锂离子电池中作为负极材料的应用。

    一类含氮族元素端基的MXene材料晶体

    公开(公告)号:CN114395800B

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202111489021.0

    申请日:2021-12-08

    IPC分类号: C30B29/10 C30B29/46 C30B9/12

    摘要: 本发明属于二维纳米材料技术领域,具体涉及了一类含氮族元素端基的MXene材料晶体。所述MXene材料晶体的分子表达式为Mn+1XnTx,T包含AaBb,其中A为氮族元素端基中一种或多种,B为非氮族元素端基中的一种或多种,a+b=1~2,a>0,b≥0,x为端基的化学计量数,x=1~2。所述的氮族元素端基包括P、As、Sb中的一种或多种。本发明实现了在MXene材料晶体的端基含氮族元素,有效的扩展了MXene材料的结构和元素多样性,通过端基修饰调控其物理、化学性质,从而拓展该类材料的应用范围。