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公开(公告)号：CN114988353A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210667493.9
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米图形的方法，属于纳米图形技术领域，解决了现有的纳米图形制备方法需要昂贵的设备投入和复杂的工艺要求的问题。所述方法包括：在衬底上涂覆牺牲层，在牺牲层上涂覆光刻胶层；在产品上制备微米级图形，通过控制显影时间把牺牲层的缺陷控制到纳米级；在图形化好的产品上斜入射整层生长所需要的材料，使生长的材料能够进入牺牲层的缺陷处；材料生长结束后，去除在牺牲层缺陷处之外生长的材料；剥离掉光刻胶层和牺牲层，形成纳米图形。本发明的方法避免了昂贵的设备投入和复杂的工艺要求，制备条件简单、成本低，不需要复杂的设备，易于操作，适用于规模化产业应用制作大面积纳米图形。
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公开(公告)号：CN106959482B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710368980.4
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开了一种极紫外光的二维单级衍射光栅，包括：透明基底以及位于所述透明基底表面的栅条层；所述栅条层具有多个透光栅条以及多个不透光栅条；所述透光栅条以及所述不透光栅条在第一方向上交替分布，且所述透光栅条以及所述不透光栅条均沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于所述第二方向；在所述第一方向上，所述透光栅条相对的两边均为锯齿形；且所述透光栅条在所述第一方向上的宽度处处相同。本发明技术方案通过锯齿形的透光栅条与不透光栅条实现衍射，透光栅条的宽度不变，并设置随机分布的透光栅条，使得不透光栅条的宽度满足预设的随机分布，可以在实现对预设波段实现衍射的同时消除高次谐波。
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公开(公告)号：CN106094087B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610625575.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明提供了一种单级衍射光栅，所述衍射光栅包括：不透光薄膜及N个透光孔；其中，所述N个透光孔以预设的几率密度、呈准斜方格子分布在所述不透光薄膜上；且所述透光孔的大小与所述准斜方格子的周期之间具有预设的比例；如此，不透光薄膜上分布N个透光孔，且透光孔以一定的几率密度呈准斜方格子分布，因此只有0级和+/‑1级衍射，不存在高级衍射，能够消除谐波污染，提高分辨率，进而确保分析结果的准确性，提高了摄谱精度；并且，该光栅能够实现自支撑，因此可以消除衬底带来的损耗；另外，由于该光栅结构上只存在透光和不透光两种区域，这种二值化的结构易于加工。
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公开(公告)号：CN106094445B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610407163.0
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种大高宽比纳米级金属结构的制作方法，所述方法包括：利用电子束蒸发金属材料，以在特定参数的单晶硅衬底上金属薄膜图案；将表面形成有金属薄膜图案的单晶硅衬底浸在混合液中进行催化腐蚀一段时间，以在单晶硅衬底上形成大高宽比的深硅槽；以深硅槽底部的金属薄膜为导电电镀种子层，将具有深硅槽的单晶硅衬底浸在电镀液中进行电镀，以增加金属薄膜的厚度至指定高度，以形成指定高宽比的金属结构；将形成有指定高宽比的金属结构的单晶硅衬底浸在混合液中进行各向同性湿法腐蚀一段时间，以去除所述金属结构之间的单晶硅。本发明的制作方法制作的纳米级金属结构的高宽比大。
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公开(公告)号：CN107045156A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710157606.X
申请日：2017-03-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B5/18
CPC classification number: G02B5/1838
Abstract: 本申请公开了一种极紫外高级抑制衍射光栅，通过在不透光薄膜上开设多个形状和面积相同的多边形透光通孔，且使多边形透光通孔在所述不透光薄膜上呈准三角阵列随机分布。从而能够使得光栅在可见光、极紫外光、红外光各个波段都可以有效抑制高级衍射，包括2n、3n、4n、5n级的衍射(n为非零整数)，消除谐波污染，完全抑制了背景噪声，同时最大化的减少了噪点的影响，提高了分辨率和灵敏度，简化工艺难度，为极紫外波段的有效抑制提供了技术保证和工艺支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102466967B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201010544430.1
申请日：2010-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种大高宽比衍射光学元件的制作方法，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光实现透射衍射光学元件的制作，在透射薄膜衬底面溅射电镀种子层，然后旋涂负性光刻胶，再次利用X射线曝光，并显影电镀刻蚀电镀种子层，进而形成大高宽比衍射光学元件。本发明利用电子束直写制备X射线光刻掩模，利用X射线进行两次曝光的方法，制备出高宽比可以达到10∶1衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠、易于批量制备且与传统的光刻工艺兼容的优点。
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公开(公告)号：CN103018808A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110286868.9
申请日：2011-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例公开了一种光子筛及其制作方法。所述光子筛包括：透光衬底；位于所述透光衬底上的不透光多层膜，所述不透光多层膜包括多层相间设置的金属膜和介质膜；设置在所述不透光多层膜上、呈多个环带状分布的多个小孔，每一环带上的多个小孔随机分布且彼此不重叠。本发明所提供的光子筛由于在透光衬底上设置有多层相间排列的金属膜和介质膜，且在所述多层相间排列的金属膜和介质膜内设置有呈环带状分布的多个小孔，因此，当光照射在所述光子筛上时，在金属膜和介质膜的表面等离子体极化和表面等离子体耦合将得到增强，从而有效地提高了光的透过率，进而提高了光子筛的衍射效率。
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公开(公告)号：CN102681335A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110061444.2
申请日：2011-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。该方法快速有效地去除了X射线曝光后的SU-8负性光刻胶，并且在X射线曝光的同时将HSQ转变为类石英，可以制备出石英底部非常光滑的位相型衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠且与传统的光刻工艺相兼容的优点。
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公开(公告)号：CN102466980A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010544428.4
申请日：2010-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于电子束光刻和X射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光，在负性光刻胶上形成闪耀光栅图形，之后在此图形上生长多层膜，形成多层膜闪耀光栅。利用本发明，克服了电子束效率低和难制作闪耀角的缺点，结合了电子束的图形输出能力和X射线的高分辨率、高效率的优点，通过接触式曝光，调整曝光卡具的方向来改变X射线入射角度，完成闪耀光栅图形的生成，然后通过生长多层膜实现多层膜闪耀光栅的制作。
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公开(公告)号：CN114988353B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210667493.9
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米图形的方法，属于纳米图形技术领域，解决了现有的纳米图形制备方法需要昂贵的设备投入和复杂的工艺要求的问题。所述方法包括：在衬底上涂覆牺牲层，在牺牲层上涂覆光刻胶层；在产品上制备微米级图形，通过控制显影时间把牺牲层的缺陷控制到纳米级；在图形化好的产品上斜入射整层生长所需要的材料，使生长的材料能够进入牺牲层的缺陷处；材料生长结束后，去除在牺牲层缺陷处之外生长的材料；剥离掉光刻胶层和牺牲层，形成纳米图形。本发明的方法避免了昂贵的设备投入和复杂的工艺要求，制备条件简单、成本低，不需要复杂的设备，易于操作，适用于规模化产业应用制作大面积纳米图形。
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