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公开(公告)号:CN103944518B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201310023713.5
申请日:2013-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供一种宽带低噪声放大器,包括与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连的电调电路,所述电调电路包括:第一晶体管,所述第一晶体管的输出端与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连,所述第一晶体管的输入端和控制端相连,并接收控制电压。本发明提供的宽带低噪声放大器中所述电调电路与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连,通过改变电调电路接收的控制电压的大小,调节所述宽带低噪声放大器的输入匹配电路和控制所述低噪声放大器的输入阻抗,从而降低宽带低噪声放大器的噪声系数,增大低噪声放大器的增益,达到宽带低噪声放大器在电路制作完成后仍可调节的效果。
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公开(公告)号:CN103095225A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201110343752.4
申请日:2011-11-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明属于功率放大器技术领域,具体公开了一种功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法,其中功率放大晶体管电路包括一个功率放大晶体管(T1)和一个连接于功率放大晶体管基极的稳定电路(5),稳定电路(5)由一射频输入通路和一直流输入通路并联而成,射频输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的电学稳定性,直流输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的热稳定性。本发明解决了同时优化满足功率放大晶体管的热稳定性和电学稳定性的技术问题,能实现良好的功率放大晶体管设计。
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公开(公告)号:CN102638227A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201210120521.1
申请日:2012-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域,公开了一种带有片上有源平衡-不平衡变换器的超宽带混频器电路,该电路包括片上有源balun构成的本振LO开关级、RF跨导放大级和中频IF负载级,其中RF放大级将RF电压信号经过跨导放大转换成电流信号,单端LO大信号通过片上有源balun输出两路轮流导通的周期性时变电流,使RF电流信号以LO频率在输出差分负载上交替输出实现RF频率与LO频率的相乘混频操作,混频后得到的IF信号输出在负载上。该混频器电路在超宽频带内具有直流功耗小、转换增益高、线性度高、能够抑制本振LO开关噪声、噪声系数小且无需额外LO单端转差分电路的特点。
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公开(公告)号:CN104078736A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201310100333.7
申请日:2013-03-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种小型化宽带功分器电路,包括第一端口、第二端口、第三端口、第一阻抗变换单元、第二阻抗变换单元、第一隔离电阻、第二隔离电阻和谐振单元,信号由第一端口进入后分为两路信号链路,一路经过第一阻抗变换单元到达第二端口输出,另一路经过第二阻抗变换单元到达第三端口输出;第一隔离电阻一端位于第一阻抗变换单元与第二端口之间,另一端与第二隔离电阻相连接,第二隔离电阻一端位于第二阻抗变换单元与第三端口之间,另一端与第一隔离电阻相连接。本发明能够实现各端口回波损耗、隔离度的带宽同时展宽,在克服了已有宽带展宽技术电路尺寸大、电路结构难调整、性能不佳等缺点的同时,具有带宽可调范围大,结构紧凑等优点。
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公开(公告)号:CN103944518A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201310023713.5
申请日:2013-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供一种宽带低噪声放大器,包括与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连的电调电路,所述电调电路包括:第一晶体管,所述第一晶体管的输出端与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连,所述第一晶体管的输入端和控制端相连,并接收控制电压。本发明提供的宽带低噪声放大器中所述电调电路与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连,通过改变电调电路接收的控制电压的大小,调节所述宽带低噪声放大器的输入匹配电路和控制所述低噪声放大器的输入阻抗,从而降低宽带低噪声放大器的噪声系数,增大低噪声放大器的增益,达到宽带低噪声放大器在电路制作完成后仍可调节的效果。
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