公开(公告)号：CN117542875A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202210915204.2

申请日：2022-08-01

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 栾田田 ,  黄森 ,  刘新宇 ,  蒋其梦 ,  王鑫华 ,  魏珂

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明提供一种氮化镓基增强型射频器件及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，形成在所述衬底层上表面；势垒层，形成在所述缓冲层的上表面；钝化层，设置在所述势垒层的部分上表面；源/漏欧姆接触，设置在所述势垒层未被所述钝化层覆盖的上表面；T型栅，设置在所述源/漏欧姆接触之间，所述T型栅设置在所述势垒层未被所述钝化层覆盖的上表面，所述T型栅的栅脚与所述钝化层间隔设置；复合层，设置在所述T型栅的栅脚与所述钝化层的间隔区域及T型栅与源漏间的有源区区域，所述复合层包括在所述钝化层上表面依次叠层设置的氮化铝膜层和氮化硅膜层。本发明提供的氮化镓基增强型射频器件及其制备方法，能够恢复栅脚两侧未被钝化层覆盖的裸漏区域的二维电子气，保证器件具有良好的功率射频特性。

公开(公告)号：CN117393581A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311358353.4

申请日：2023-10-19

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 黄森 ,  冯超 ,  栾田田 ,  蒋其梦 ,  魏珂 ,  王鑫华 ,  刘新宇

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供一种MIS晶体管，包括：GaN缓冲层；AlGaN势垒层，形成在GaN缓冲层表面，与GaN缓冲层构成形成AlGaN/GaN异质结；其中，AlGaN势垒层与GaN缓冲层表面之间形成有二维电子气沟道区域；二维电子气层，设置在二维电子沟道区域，其中，在MIS晶体管未增加栅极电压时，二维电子气层在二维电子沟道区域的第一范围内处于电子耗尽状态；AlN极化增强插入层，形成在AlGaN势垒层表面，使二维电子气在二维电子沟道区域的第一范围外为电子积累状态。本发明通过AlGaN势垒层实现了电子的本征耗尽，通过AlN极化增强插入层来恢复电子积累状态，使得MIS晶体管实现了增强型，并具有、高性能、高稳定性和高均匀性。