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公开(公告)号：CN119861053A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411801811.1
申请日：2024-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种反射率测试系统及反射率对比验证方法，系统包括：沿光路依次设置的光源系统、收集镜腔室以及样品测试腔室；所述收集镜腔室中设置有聚焦收集镜，所述样品测试腔室中设置有滤光片、能量归一化结构、第一能量探测器、位移台和第二能量探测器。反射率对比验证方法用于对所述反射率测试系统的测试准确性进行验证。相较于现有技术，本申请提供的反射率测试系统结构简单，并且能够通过本申请提供的反射率对比验证方法验证并提高测试结果的准确性，因此能够在使反射率测试系统小型化的情况下，保证反射率测试准确性。
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公开(公告)号：CN115390365B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210952172.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及光刻技术领域，提供了一种气浴发生器及光刻设备，其中气浴发生器包括环体结构和出风口加强结构，环体结构设有豁口，环体结构在豁口处形成相对设置的两端；出风口加强结构设于两端，出风口加强结构包括第二出气口；环体结构用于围绕工作区域设置，且环体结构内形成有气体流道，环体结构上设置有与气体流道连通的沿周向分布的多个第一出气口，第二出气口与气体流道连通，流经第一出气口的气体能够形成围绕工作区域分布的封闭气流层，流经第二出气口的气体能够形成封闭气流层和封堵豁口的封堵气流层。本发明提供的气浴发生器及光刻设备，很好地解决了如何降低光刻设备内硅片微环境的气体污染和颗粒污染的问题。
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公开(公告)号：CN117907229A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311775356.8
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种反射率测试系统及方法，系统包括：沿光路依次设置的光源系统、椭球面收集镜、单色仪、反射式聚焦镜、准直镜以及反射率测试腔室；反射率测试腔室包括快门、能量归一化结构和第一能量探测器，能量归一化结构包括离轴波带片、双孔光阑和第二能量探测器。在反射率测试腔室中，多级衍射光束入射所述双孔光阑时，0级和+1级衍射光束分别通过所述双孔光阑的一个光阑；0级衍射光束入射到待测样品上进行反射率测试，得到经过所述待测样品的反射光能量；+1级衍射光束入射到所述第二能量探测器，得到+1级衍射光束的光能量。可见，本申请能够实现光束能量的在线测试，从而可降低光束能量波动对反射率测试的影响，可提高反射率的测试精度。
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公开(公告)号：CN117893844A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311686818.9
申请日：2023-12-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/094 , G06N3/045 , G06N3/0475 , G06V10/776 , G06N3/084 , G06V10/74 , G06N3/0464
Abstract: 本申请公开一种生成缺陷掩模样本的方法、装置和电子设备，涉及图像处理技术领域。方法包括：基于预设软件所设计的掩模板生成带缺陷的掩模版图设计文件；获取所述掩模版图设计文件对应的实际掩模板图像；将所述掩模版图设计文件和所述实际掩模板图像经过深度学习网络算法训练确定生成掩模样本的目标最佳网络参数，得到目标图像处理网络模型；在接收到最新掩模版图设计文件时，通过所述目标图像处理网络模型生成对应的目标缺陷掩模样本图像。解决了掩模检测中实际图像样本难以获取且价格昂贵的问题，有助于更好的实现掩模缺陷的提取与识别算法。该方法对反射式掩模板的颗粒检测的样本集获取同样适用。
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公开(公告)号：CN117647916A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311412303.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提出了一种光刻胶污染测试装置及测试方法，光刻胶污染测试装置包括测试腔、第一光源系统、放气测试系统和抽气系统。本发明提出的光刻胶污染测试装置通过将光刻胶放置在气体氛围或者真空环境中，利用第一光源系统对光刻胶进行曝光，使其产生气体污染物，然后再通过放气测试系统基于小孔流导法对光刻胶在曝光时产生的气体污染物进行测试，小孔流导法是测量材料放气率的常用方法之一，其基本原理可描述为小孔两侧的压力差乘以小孔流导得到材料放出的气体量，进而除以材料表面积得到放气率。最终得出光刻胶在曝光时的放气率以及放气成分，根据此可进行光刻胶的曝光污染评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117631472A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311415474.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种气浴模块、气浴装置、光刻设备及该气浴装置的控制方法。该气浴模块包括具有豁口结构的环体，环体围绕曝光区域设置，且环体的内部设有流道，沿环体的周向，环体上还设有出气面，出气面为环体的顶面和/或环体的内周面，出气面上还开设有与流道连通的多个出气口。根据本发明的气浴模块，出气口产生围绕曝光区域分布的半封闭气流层和吹扫气流层，其中，半封闭气流层可能有助于维护曝光区域内的清洁度，因为这个气流层可以阻挡外部的颗粒和其他污染物进入曝光区域，朝向豁口结构产生的吹扫气流层可以帮助将曝光区域内的颗粒或污染物推向豁口结构并排出，从而进一步确保曝光区域的清洁度。
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公开(公告)号：CN117452776A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311386803.0
申请日：2023-10-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种光刻照明装置的扫描路径规划方法、装置及设备。方法包括：根据光刻照明装置的扫描照明系统设计与关键参数，构建扫描照明系统模型，包括照明系统光学结构子模型、可动元件运动子模型及仿真子模型；确定对于目标特定面的优化目标，优化目标包括照明系统光学结构子模型的光学优化子目标和可动元件运动子模型的运动优化子目标；基于预设的路径规划算法生成对目标特定面的初始扫描路径；基于优化目标对所述初始扫描路径进行优化，得到优化后的扫描路径。本申请通过对扫描照明系统进行光学优化以及运动优化来优化光刻照明装置的扫描路径，通过扫描路径控制可以实现对于目标特定面的光强分布与特定光瞳填充下的光束传输效率的优化。
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公开(公告)号：CN114415388B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202111675894.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B27/48
Abstract: 本发明涉及一种提升照明均匀性的装置，该装置包括：提升照明均匀性的装置，其特征在于，装置包括：依此设置在光源输出的光束的传输路径上的光束处理单元和斑纹衰减单元；其中，光束处理单元用于将光束的光学参数调整为预设值并发射至斑纹衰减单元；斑纹衰减单元包括旋转盘，设置在旋转盘表面上的多个反射微结构，多个反射微结构在旋转盘上呈环形排布或螺旋状排布，各反射微结构包括反射面，反射微结构的反射面面对光束处理单元，任意两个反射微结构的反射面距离旋转盘的基准面的距离不相同。上述装置实对激光相干性所导致的斑纹图案具有很好的抑制效果。
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公开(公告)号：CN116297541A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310208697.0
申请日：2023-03-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N21/956 , G01N21/88
Abstract: 本发明提供一种掩模缺陷检测系统，包括：光源，所述光源用于发射入射光场；聚焦组件，所述聚焦组件用于所述入射光场聚焦；掩膜，所述掩膜的检测面位于所述入射光场的焦点上，所述检测面设有缺陷，所述入射光场经所述检测面反射并形成反射光场，所述入射光场经所述缺陷反射并形成散射光场；明场成像波带片、暗场成像波带片，所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片中的其中一者设于所述反射光场和所述散射光场的照射路径上，以用于使所述反射光场和所述散射光场照射于所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片中的其中一者。根据本发明提供的掩模缺陷检测系统，很好地解决了现有掩模缺陷检测系统无法兼顾快速扫描和精确扫描的问题。
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公开(公告)号：CN115685695A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211260982.9
申请日：2022-10-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种滤光结构及其制造方法、成像系统及成像方法。该滤光结构包括由下而上依次层叠的锆膜、中间层膜和铝膜；所述中间层膜包括钼膜、铌膜或氮化锆膜。该滤光结构的制造方法包括：提供第一预设厚度的锆膜；在所述锆膜上镀上第二预设厚度的中间层膜，所述中间层膜包括钼膜、铌膜或氮化锆膜；在所述中间层膜上镀上第三预设厚度的铝膜，得到滤光结构。本申请实施例提供的滤光结构包括由下而上依次层叠的锆膜、中间层膜和铝膜，能够在很大程度上滤除杂散光，大大消除了杂散光的影响，从而提高了极紫外成像的成像质量，解决了相关技术中存在的对于杂散光的滤除效果不佳，受到杂散光的影响较大，导致极紫外成像系统的成像质量不高的技术问题。
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