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公开(公告)号：CN103630242A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210303615.2
申请日：2012-08-23
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明实施例提供了一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括：透明衬底、具有高热导系数的衬底传热结构和微悬臂梁单元，其中，所述微悬臂梁单元以嵌套的方式通过所述衬底传热结构平铺于所述透明衬底上；所述微悬臂梁单元包括热形变结构、反光板复合结构和支撑结构；所述反光板复合结构采用双材料结构，其中，朝向所述透明衬底的一侧由金属材料制作，而朝向目标物体的一层由具有高红外吸收系数的材料制作。通过该检测器对目标物体进行检测时，来自目标物体的红外光直接照射在探测器的红外吸收层上，提高了测量的灵敏度。另外，由于该探测器所采用的透明衬底，无需将微悬臂梁单元下方的衬底掏空，降低了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN102211096A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010145225.8
申请日：2010-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B08B3/08
摘要： 本发明公开了一种超临界水射流清洗设备，用于硅片无损清洗。该设备包括超临界水射流生成装置、清洗室和清洗产物回收处理装置。本发明中超临界水以射流形式到达硅片，并在硅片表面形成超临界水恒温恒压微环境，利用超临界水的物理及化学性质，对硅片表面实施无损清洗。利用本发明，可对硅片表面的微细结构进行有效清洗，同时避免高压清洗腔的使用。
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公开(公告)号：CN101470074A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710303888.6
申请日：2007-12-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N21/35
摘要： 本发明公开了一种MEMS光谱气敏传感器，利用光谱分析的手段实现目标气体的定性及定量分析。该传感器由目标气体放电发出的红外光在待测气体中的吸收量得到目标气体的浓度。该吸收量是由通过参比室的红外光光强与通过测量室的红外光光强之差确定。该传感器主要由射频发光管、目标气体特征吸收参比室(主参比室)、目标气体特征吸收测量室(主测量室)、非特征吸收测量室(副测量室)和非特征吸收参比室(副参比室)组成。主参比室和主测量室用于目标气体的浓度检验，副参比室和副测量室用于确定主测量室内的红外吸收是否是由干扰气体引起。利用本发明，解决了现有传感器选择性低、抗干扰能力差、寿命短的缺点，并且成本低廉，便于广泛使用。
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公开(公告)号：CN101923052B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910087345.4
申请日：2009-06-17
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种基于滤波结构分光的红外光谱式MEMES气敏传感器，通过分析气体的红外吸收谱，确定气体的成分和浓度，该气敏传感器由集成在硅衬底上的红外光源(1)、分析气室(2)、光子晶体滤波器(3)和红外光强检测阵列(4)构成。该传感器利用气体的红外透射信息进行气体检测，通过特征峰的位置判断气体种类，并通过特征波长的吸光度确定气体含量，有效解决现有气敏传感器灵敏度低、检测气体种类有限、抗干扰能力低的问题。且本传感器的制作与CMOS工艺兼容，便于集成、可降低成本并推广使用。
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公开(公告)号：CN102213673A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010145221.X
申请日：2010-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种MEMS红外发射式气敏传感器，通过激发待测气体发光，分析其发射谱判断气体种类，并通过测量吸光度确定该气体的浓度，包括集成在硅衬底上的气体发光管(1)、吸收气室(2)、发射谱分光阵列(3)、吸收谱分光阵列(4)、发射谱检测阵列(5)和吸收谱检测阵列(6)；其中，所述气体发光管(1)位于吸收气室(2)的中部，吸收气室(2)的两端分别安装有发射谱分光阵列(3)和吸收谱分光阵列(4)，发射谱分光阵列(3)的外侧进一步安装有发射谱检测阵列(5)，吸收谱分光阵列(4)的外侧进一步安装有吸收谱检测阵列(6)。利用本发明，满足了人们对于气体分析准确、便捷、低成本的要求。
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公开(公告)号：CN102115024A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244528.2
申请日：2009-12-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法，该方法利用二氟化氙作为刻蚀反应气体，超临界二氧化碳作为运载气体对硅牺牲层进行释放。二氧化碳利用其超临界态特有的性质使得二氟化氙对硅的刻蚀更加均匀，腐蚀表面的光滑度更高，刻蚀更完全。与传统的湿法释放和等离子体释放相比，该释放方法避免了湿法释放中由于搅拌或粘连对器件的损伤，可以提高整片晶圆的均匀性，反应速率较快，效率高，时间短，使XeF2刻蚀成为可行的大批量生产工艺。
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公开(公告)号：CN101447396A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178323.X
申请日：2007-11-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，该装置包括：超临界清洗室，用于硅片的清洗，由高压反应室4和温度控制室5组成；其中，所述高压反应室4位于温度控制室5的上方，用于盛放硅片支架，提供二氧化碳气化清洗的反应室；温度控制室5通过蒸发器盘管与高压反应室4相连，实现高压反应室4的制冷和加热；分离减压室6，通过管道与高压反应室4相连，用于减压后将醇类与二氧化碳分离，并循环使用；所述超临界清洗室与分离减压室6通过支座台2固定连接。利用本发明，解决了微电子工艺中的半导体清洗问题，并降低了对衬底的损伤，循环使用二氧化碳达到了节约能源的目的。
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公开(公告)号：CN103728025A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210383276.3
申请日：2012-10-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明实施例提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括透明衬底（1）以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底（1）上的多个微悬臂梁单元（2）；所述透明衬底（1）对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明。本发明实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，对目标物体进行检测时，由于衬底透明，避免了硅衬底对于来自目标物体的红外光的遮挡和反射引起的能量损失，可有效提高检测灵敏度；同时，因为衬底透明，也无需对衬底进行镂空，避免了制作全镂空结构所需的长时间体硅腐蚀工艺，简化制作流程，提高产品成品率。
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公开(公告)号：CN102211096B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010145225.8
申请日：2010-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B08B3/08
摘要： 本发明公开了一种超临界水射流清洗设备，用于硅片无损清洗。该设备包括超临界水射流生成装置、清洗室和清洗产物回收处理装置。本发明中超临界水以射流形式到达硅片，并在硅片表面形成超临界水恒温恒压微环境，利用超临界水的物理及化学性质，对硅片表面实施无损清洗。利用本发明，可对硅片表面的微细结构进行有效清洗，同时避免高压清洗腔的使用。
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公开(公告)号：CN102213673B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010145221.X
申请日：2010-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种MEMS红外发射式气敏传感器，通过激发待测气体发光，分析其发射谱判断气体种类，并通过测量吸光度确定该气体的浓度，包括集成在硅衬底上的气体发光管(1)、吸收气室(2)、发射谱分光阵列(3)、吸收谱分光阵列(4)、发射谱检测阵列(5)和吸收谱检测阵列(6)；其中，所述气体发光管(1)位于吸收气室(2)的中部，吸收气室(2)的两端分别安装有发射谱分光阵列(3)和吸收谱分光阵列(4)，发射谱分光阵列(3)的外侧进一步安装有发射谱检测阵列(5)，吸收谱分光阵列(4)的外侧进一步安装有吸收谱检测阵列(6)。利用本发明，满足了人们对于气体分析准确、便捷、低成本的要求。
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