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公开(公告)号：CN108336145B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810086638.X
申请日：2018-01-29
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京大学
IPC分类号： H01L29/786 , G06N3/063
摘要： 本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分别与两个所述源漏金属层接触，且叠置于所述外延层之上，其中，该有机薄膜层上设有两个开孔，用于裸露至少部分的两个所述源漏金属层。该人工神经元结构通过模拟生物神经元的工作原理，利用电化学反应提供的电荷调控半导体沟道中的载流子浓度分布，对多种电刺激实现对应的输出；具有含时变化的特性；可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合低功耗电路应用；同时还具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108336145A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810086638.X
申请日：2018-01-29
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 北京大学
IPC分类号： H01L29/786 , G06N3/063
CPC分类号： H01L29/786 , G06N3/0635
摘要： 本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分别与两个所述源漏金属层接触，且叠置于所述外延层之上，其中，该有机薄膜层上设有两个开孔，用于裸露至少部分的两个所述源漏金属层。该人工神经元结构通过模拟生物神经元的工作原理，利用电化学反应提供的电荷调控半导体沟道中的载流子浓度分布，对多种电刺激实现对应的输出；具有含时变化的特性；可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合低功耗电路应用；同时还具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109427974B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710725264.7
申请日：2017-08-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化，其中，形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动，对有源层具有空穴掺杂的效果，从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题，提升产品的性能。
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公开(公告)号：CN106952962A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710161372.6
申请日：2017-03-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0653 , H01L29/66045 , H01L29/78612
摘要： 本公开提供一种薄膜晶体管和阵列基板。该薄膜晶体管包括源极、漏极以及有源层，该薄膜晶体管还包括：位于所述有源层与所述源极和/或所述漏极之间的阻挡层。本公开可以降低薄膜晶体管的关态电流并抑制双极性效应。
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公开(公告)号：CN109427976B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201710774682.5
申请日：2017-08-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成源极、漏极和有源层的步骤，其中，形成所述有源层的步骤包括：根据所述薄膜晶体管预设的阈值电压，设定有源层位于所述源极与所述漏极之间的沟槽长度；根据所述沟槽长度形成所述有源层。该薄膜晶体管的制备方法，通过改变有源层位于源极和漏极之间的沟槽长度实现了对薄膜晶体管的阈值电压的调控。该制备方法避免了在薄膜晶体管制备工艺中引入多余的步骤，不增加制备过程的工艺难度；而且对阈值电压的调控范围较大，具有有利于在实际电路应用中把薄膜晶体管的阈值电压调控在所需范围等优点。
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公开(公告)号：CN109427976A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710774682.5
申请日：2017-08-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成源极、漏极和有源层的步骤，其中，形成所述有源层的步骤包括：根据所述薄膜晶体管预设的阈值电压，设定有源层位于所述源极与所述漏极之间的沟槽长度；根据所述沟槽长度形成所述有源层。该薄膜晶体管的制备方法，通过改变有源层位于源极和漏极之间的沟槽长度实现了对薄膜晶体管的阈值电压的调控。该制备方法避免了在薄膜晶体管制备工艺中引入多余的步骤，不增加制备过程的工艺难度；而且对阈值电压的调控范围较大，具有有利于在实际电路应用中把薄膜晶体管的阈值电压调控在所需范围等优点。
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公开(公告)号：CN110137356A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910488469.7
申请日：2019-06-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
摘要： 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子装置，该薄膜晶体管包括衬底基板、以及设置于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、第一极和第二极，所述有源层的材料是一维半导体纳米材料，所述有源层包括第一极区、第二极区、第一沟道区和第二沟道区；所述第一极区和所述第二极区分别与所述第一极和所述第二极接触，所述第一沟道区分别与所述第一极区和所述第二沟道区直接连接，所述第二沟道区位于所述第一沟道区与所述第二极区之间；所述第二沟道区为第一掺杂区，所述第二沟道区与所述第一沟道区对应的能级不同。该薄膜晶体管可以有效降低关态漏电流并提高开态电流。
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公开(公告)号：CN110137356B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910488469.7
申请日：2019-06-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
摘要： 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子装置，该薄膜晶体管包括衬底基板、以及设置于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、第一极和第二极，所述有源层的材料是一维半导体纳米材料，所述有源层包括第一极区、第二极区、第一沟道区和第二沟道区；所述第一极区和所述第二极区分别与所述第一极和所述第二极接触，所述第一沟道区分别与所述第一极区和所述第二沟道区直接连接，所述第二沟道区位于所述第一沟道区与所述第二极区之间；所述第二沟道区为第一掺杂区，所述第二沟道区与所述第一沟道区对应的能级不同。该薄膜晶体管可以有效降低关态漏电流并提高开态电流。
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公开(公告)号：CN109427974A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710725264.7
申请日：2017-08-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化，其中，形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动，对有源层具有空穴掺杂的效果，从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题，提升产品的性能。
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