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公开(公告)号：CN102254998A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110200888.X
申请日：2011-07-18
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括如下步骤：步骤一、在衬底上依次形成背电极和铜铟镓硒光吸收层，形成样片；步骤二、在所述样片表面溅镀氧化锌薄膜；步骤三、将所述样片放入硒化室内在硫化氢的气氛下进行退火处理，将所述氧化锌薄膜转化为硫化锌缓冲层薄膜；及步骤四、在所述硫化锌缓冲层薄膜上依次形成阻挡层及窗口层，得到所述无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件。上述制备方法在退火过程中由于温度较高，因此能够提高薄膜的结晶质量。本发明还提供一种硫化锌缓冲层薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN101958371A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010507303.4
申请日：2010-10-13
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置，包括进样室，与进样室真空连接的铜铟镓硒蒸发室和样品运转室，与样品运转室真空连接的钼溅射室、激光光刻室、铜铟镓溅射室、硒化室及氧化锌溅射室。铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置还包括与样品运转室相连的过渡室和与过渡室相连且处于常压下的电化学反应室。上述铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置将整个铜铟镓硒太阳能电池制备模块整合到一起，实现玻璃衬底进样，太阳能电池产品出样的流水线作业。由于绝大部分制备室之间真空相连，可减少或降低样品制备过程中暴露在空气中引起的氧化和杂质污染问题，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN102231398B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110179746.X
申请日：2011-06-29
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜电池，包括依次叠合的玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层，所述玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层的表面均为粗糙度相同的绒面。上述铜铟镓硒薄膜电池的玻璃衬底表面为绒面，生长得到的薄膜电池表面不平整，从而起到陷光作用。当太阳光入射时，由于绒面结构的存在，其入射光会与电池表面形成一定角度，从而增加光生载流子在P-N结区产生的几率，最终提高光生电流。
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公开(公告)号：CN102270699A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110202078.8
申请日：2011-07-18
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：步骤一、在衬底上依次形成背电极和铜铟镓硒光吸收层，形成样片；步骤二、将二水合醋酸锌溶解于无水乙醇中，再加入稳定剂，加热形成溶胶；步骤三、将样片浸入所述溶胶中，浸渍时间为5～10秒，然后将样片从所述溶胶中提起；步骤四、将样片在100～200℃下干燥30分钟，使样片表面形成氧化锌薄膜；步骤五、将样片放入硒化室内在硫化氢的气氛下进行退火处理，将氧化锌薄膜转化为硫化锌缓冲层薄膜；及步骤六、在硫化锌缓冲层薄膜上依次形成阻挡层及窗口层。上述制备方法在退火过程中由于温度较高，因此能够提高薄膜的结晶质量。本发明还提供一种硫化锌缓冲层薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN101958371B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010507303.4
申请日：2010-10-13
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置，包括进样室，与进样室真空连接的铜铟镓硒蒸发室和样品运转室，与样品运转室真空连接的钼溅射室、激光光刻室、铜铟镓溅射室、硒化室及氧化锌溅射室，上述各室之间安装有隔离阀板。铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置还包括与样品运转室相连的过渡室和与过渡室相连且处于常压下的电化学反应室。上述铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置将整个铜铟镓硒太阳能电池制备模块整合到一起，实现玻璃衬底进样，太阳能电池产品出样的流水线作业。由于绝大部分制备室之间真空相连，可减少或降低样品制备过程中暴露在空气中引起的氧化和杂质污染问题，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN102254998B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110200888.X
申请日：2011-07-18
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括如下步骤：步骤一、在衬底上依次形成背电极和铜铟镓硒光吸收层，形成样片；步骤二、在所述样片表面溅镀氧化锌薄膜；步骤三、将所述样片放入硒化室内在硫化氢的气氛下进行退火处理，将所述氧化锌薄膜转化为硫化锌缓冲层薄膜；及步骤四、在所述硫化锌缓冲层薄膜上依次形成阻挡层及窗口层，得到所述无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件。上述制备方法在退火过程中由于温度较高，因此能够提高薄膜的结晶质量。本发明还提供一种硫化锌缓冲层薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN102231398A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110179746.X
申请日：2011-06-29
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜电池，包括依次叠合的玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层，所述玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层的表面均为粗糙度相同的绒面。上述铜铟镓硒薄膜电池的玻璃衬底表面为绒面，生长得到的薄膜电池表面不平整，从而起到陷光作用。当太阳光入射时，由于绒面结构的存在，其入射光会与电池表面形成一定角度，从而增加光生载流子在P-N结区产生的几率，最终提高光生电流。
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