芯片级底部填充胶用二氧化硅填料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115818652B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202211477172.9

    申请日:2022-11-23

    Abstract: 本发明涉及一种芯片级底部填充胶用二氧化硅填料及其制备方法与应用,所述制备方法包括如下步骤:混合助溶剂溶液与硅源化合物,得到溶液A;混合催化剂水溶液与所得溶液A,得到悬浊液;固液分离所得悬浊液,干燥后,得到粉体A;煅烧所得粉体A,得到所述芯片级SiO2填料。本发明所述制备方法制备得到的芯片级二氧化硅填料的纯度高、球形度高、杂质离子含量低,并且粒径分布满足倒装芯片封装的要求。并且,通过助溶剂、催化剂以及硅源化合物配比的调控,制备得到的二氧化硅的平均粒径和切断点可以得到控制,无需后续的分级、筛分和级配工艺操作。

    一种柔性SERS基底的制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118218579A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410266099.3

    申请日:2024-03-08

    Abstract: 本发明提供了一种柔性SERS基底的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1)将柔性基底材料平放在介质阻挡放电等离子体反应器中,进行等离子体放电处理;S2)处理后的柔性基底材料以30度‑150度的角度放入贵金属离子溶液中浸泡;S3)将浸泡后的柔性基底材料转移到还原剂溶液中,再以反方向的角度进行还原反应;反应完成后,洗涤烘干即可。本发明的方法降低了制备的复杂性和时间消耗,具有更高的制备效率和更低的制备成本,同时制备得到的复合基底材料表面的纳米粒子粒度均一、分布均匀。

    芯片级底部填充胶用二氧化硅填料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115818652A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211477172.9

    申请日:2022-11-23

    Abstract: 本发明涉及一种芯片级底部填充胶用二氧化硅填料及其制备方法与应用,所述制备方法包括如下步骤:混合助溶剂溶液与硅源化合物,得到溶液A;混合催化剂水溶液与所得溶液A,得到悬浊液;固液分离所得悬浊液,干燥后,得到粉体A;煅烧所得粉体A,得到所述芯片级SiO2填料。本发明所述制备方法制备得到的芯片级二氧化硅填料的纯度高、球形度高、杂质离子含量低,并且粒径分布满足倒装芯片封装的要求。并且,通过助溶剂、催化剂以及硅源化合物配比的调控,制备得到的二氧化硅的平均粒径和切断点可以得到控制,无需后续的分级、筛分和级配工艺操作。

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