公开(公告)号：CN118563408A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410482541.6

申请日：2024-04-22

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 陈小龙 ,  盛达 ,  杨云帆 ,  李辉 ,  王文军 ,  郭建刚

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B27/02 ,  C30B29/36 ,  C22C28/00

摘要： 本发明提供一种用于制备n型4H‑SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤：(1)将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上；(2)将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；(3)通入气体并控制生长炉内的气压；(4)加热所述石墨坩埚使得所述金属原料完全熔化以形成熔体；(5)下降所述籽晶使得籽晶与所述熔体接触，进而生长n型4H‑SiC单晶；其中，所述过渡金属选自Cr、Sc、V、Mn和Cu中的一种或几种。本发明的方法能够有效地降低4H‑SiC与熔体的界面能、稳定4H晶型、提高结晶质量并且能够大幅度提高晶体生长速度和降低成本。