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公开(公告)号：CN102956417B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110245311.0
申请日：2011-08-25
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： H01J9/18
摘要： 本发明公开了一种无焊接柱状绝缘瓷多级降压收集极的装配及热挤压方法，涉及真空器件技术，该方法通过一系列高精度的装配模具及工艺措施，确保装配过程中陶瓷柱与各个电极之间的紧密配合及相对位置，而后采用热挤压的方法将装配好的陶瓷柱和各级收集极在热挤压专用模具上整体推入收集极外筒中。本发明方法由于使用非焊接手段，不会有焊料的流出、蒸散等问题，制备的多级降压收集极耐压性能优良，结构可靠。
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公开(公告)号：CN1571096A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03132811.3
申请日：2003-07-21
申请人： 中国科学院电子学研究所
摘要： 本发明涉及行波管的制造技术，特别是一种制造螺旋慢波结构的新型工艺。本发明有下列步骤：第一步，用模具把螺线和介质夹持杆固定在一起；第二步，把固定好的螺线、介质夹持杆按轴向送入过渡管壳；第三步，用弹性或塑性变形冷挤压的工艺方法，将过渡管壳与螺线与介质夹持杆挤压在一起，得到螺旋慢波结构过渡组件；第四步，先将管壳加热到800－1000℃，再把室温下的螺旋慢波结构过渡组件轴向送进高温下的管壳中，定位；第五步，将第四步得到的工件整体冷却到室温，靠管壳的收缩，使过渡组件与管壳抱紧，得到螺旋慢波结构产品。本发明方法特别适用于管壳结构较为复杂的复合管壳。
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公开(公告)号：CN102956417A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110245311.0
申请日：2011-08-25
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： H01J9/18
摘要： 本发明公开了一种无焊接柱状绝缘瓷多级降压收集极的装配及热挤压方法，涉及真空器件技术，该方法通过一系列高精度的装配模具及工艺措施，确保装配过程中陶瓷柱与各个电极之间的紧密配合及相对位置，而后采用热挤压的方法将装配好的陶瓷柱和各级收集极在热挤压专用模具上整体推入收集极外筒中。本发明方法由于使用非焊接手段，不会有焊料的流出、蒸散等问题，制备的多级降压收集极耐压性能优良，结构可靠。
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公开(公告)号：CN100461327C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410101870.4
申请日：2004-12-30
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 本发明一种金属纳米薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法涉及微波器件技术领域，是一种大发射电流密度，低蒸发的金属纳米粒子薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法。该方法在浸渍钡钨阴极表面沉积上一层厚度为0.1微米-0.6微米的锇、铱、铼、钌或其合金纳米粒子薄膜，纳米粒子直径约为10纳米-100纳米，以达到增大浸渍钡钨阴极发射电流密度，降低阴极蒸发的目的。
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公开(公告)号：CN100339928C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03132811.3
申请日：2003-07-21
申请人： 中国科学院电子学研究所
摘要： 本发明涉及行波管的制造技术，特别是一种制造螺旋慢波结构的新型工艺。本发明有下列步骤：第一步，用模具把螺线和介质夹持杆固定在一起；第二步，把固定好的螺线、介质夹持杆按轴向送入过渡管壳；第三步，用弹性或塑性变形冷挤压的工艺方法，将过渡管壳与螺线与介质夹持杆挤压在一起，得到螺旋慢波结构过渡组件；第四步，先将管壳加热到800-1000℃，再把室温下的螺旋慢波结构过渡组件轴向送进高温下的管壳中，定位；第五步，将第四步得到的工件整体冷却到室温，靠管壳的收缩，使过渡组件与管壳抱紧，得到螺旋慢波结构产品。本发明方法特别适用于管壳结构较为复杂的复合管壳。
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公开(公告)号：CN1801427A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200410101870.4
申请日：2004-12-30
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 本发明一种金属纳米薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法涉及微波器件技术领域，是一种大发射电流密度，低蒸发的金属纳米粒子薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法。该方法在浸渍钡钨阴极表面沉积上一层厚度为0.1微米－0.6微米的锇、铱、铼、钌或其合金纳米粒子薄膜，纳米粒子直径约为10纳米－100纳米，以达到增大浸渍钡钨阴极发射电流密度，降低阴极蒸发的目的。
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