公开(公告)号：CN102956417A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110245311.0

申请日：2011-08-25

申请人： 中国科学院电子学研究所

发明人： 马天军 ,  赵丽 ,  唐伯俊 ,  邓峰 ,  吕艳杰 ,  刘胜英 ,  郁素德 ,  胡京军 ,  王鑫

IPC分类号： H01J9/18

摘要： 本发明公开了一种无焊接柱状绝缘瓷多级降压收集极的装配及热挤压方法，涉及真空器件技术，该方法通过一系列高精度的装配模具及工艺措施，确保装配过程中陶瓷柱与各个电极之间的紧密配合及相对位置，而后采用热挤压的方法将装配好的陶瓷柱和各级收集极在热挤压专用模具上整体推入收集极外筒中。本发明方法由于使用非焊接手段，不会有焊料的流出、蒸散等问题，制备的多级降压收集极耐压性能优良，结构可靠。

公开(公告)号：CN102956417B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110245311.0

申请日：2011-08-25

申请人： 中国科学院电子学研究所

发明人： 马天军 ,  赵丽 ,  唐伯俊 ,  邓峰 ,  吕艳杰 ,  刘胜英 ,  郁素德 ,  胡京军 ,  王鑫

IPC分类号： H01J9/18

摘要： 本发明公开了一种无焊接柱状绝缘瓷多级降压收集极的装配及热挤压方法，涉及真空器件技术，该方法通过一系列高精度的装配模具及工艺措施，确保装配过程中陶瓷柱与各个电极之间的紧密配合及相对位置，而后采用热挤压的方法将装配好的陶瓷柱和各级收集极在热挤压专用模具上整体推入收集极外筒中。本发明方法由于使用非焊接手段，不会有焊料的流出、蒸散等问题，制备的多级降压收集极耐压性能优良，结构可靠。