公开(公告)号：CN106952728A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710370080.3

申请日：2017-05-23

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 邵涛 ,  王瑞雪 ,  林浩凡 ,  章程 ,  张帅

IPC分类号： H01G4/20 ,  H01G4/33

CPC分类号： H01G4/206 ,  H01G4/33

摘要： 本发明涉及一种利用大气压低温等离子体提高电容器储能密度的方法，包括：将待处理的电容器薄膜清洗、干燥；选定大气压低温等离子体产生设备，将所述电容器薄膜放置于大气压低温等离子体产生设备的等离子体产生区域；选定高压电源、前驱物和工作气体的种类，并调整放电参数和工作气体流速；进行等离子体沉积处理。本发明利用大气压低温等离子体处理电容器薄膜，电容器薄膜表面击穿场强可提高17％及以上,储能密度提高23％及以上。

公开(公告)号：CN106952728B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201710370080.3

申请日：2017-05-23

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 邵涛 ,  王瑞雪 ,  林浩凡 ,  章程 ,  张帅

IPC分类号： H01G4/20 ,  H01G4/33

摘要： 本发明涉及一种利用大气压低温等离子体提高电容器储能密度的方法，包括：将待处理的电容器薄膜清洗、干燥；选定大气压低温等离子体产生设备，将所述电容器薄膜放置于大气压低温等离子体产生设备的等离子体产生区域；选定高压电源、前驱物和工作气体的种类，并调整放电参数和工作气体流速；进行等离子体沉积处理。本发明利用大气压低温等离子体处理电容器薄膜，电容器薄膜表面击穿场强可提高17％及以上,储能密度提高23％及以上。