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公开(公告)号:CN101210177A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200610135387.7
申请日:2006-12-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 系列单发射源白光荧光粉及其制备方法,涉及系列白光荧光粉及其制备。本发明制备的化合物为AnBxOy(n=1-10,x=3-20,y=3-31,A为质子化的脂肪胺)。该系列化合物以B和O为框架构造元素,以脂肪胺为模板剂。所述的质子化的脂肪胺为含碳1~10个的脂肪胺。该系列材料采用溶剂热法合成,应用于发光和显示技术。
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公开(公告)号:CN101077525A
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200610082131.4
申请日:2006-05-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 表面活性剂辅助的高能球磨法制备纳米铜铟硒太阳能电池材料,涉及一种制备纳米铜铟硒(CIS)太阳能电池材料的新方法。采用将铜、铟和硒三种单质为原料,采用高能球磨法制备,包括微米级CIS纯相的制备和纳米级CIS材料的制备两个过程,在纳米级CIS材料的制备过程中加入吡啶类表面活性剂。得到结构稳定,组份单一,颗粒均匀的纳米铜铟硒(CIS)太阳能电池材料。
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公开(公告)号:CN101293668A
公开(公告)日:2008-10-29
申请号:CN200710008889.8
申请日:2007-04-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01G9/08 , C01B19/00 , H01L31/0296 , H01L31/0272
Abstract: 一类硫碲锌化合物光敏电阻材料,涉及新型光敏电阻材料。该光敏电阻材料化合物的化学式为ZnTe1-xSx(0<x<1),特点是S元素部分替代Te元素并且S元素占据被替代Te元素的晶格位置,该类化合物为立方晶系,空间群为,单胞参数为a=b=c=5.1~6.4,α=β=γ=90°,Z=4。该类光敏电阻材料的制备可采用真空中高温固相合成法、布里奇曼法和真空热蒸镀法,分别得到它们的化合物及其单晶和薄膜材料。该类材料的带隙可通过x值来调控,响应波长较宽、灵敏度较高、结构稳定、组分均匀、制备工艺简单,性能可与现有的光敏电阻材料相媲美的新型无镉无铅光敏电阻材料。
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公开(公告)号:CN101114679A
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200610107970.7
申请日:2006-07-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/208 , C03C17/22
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法,涉及一种制备铜铟硒纳米薄膜材料的工艺流程。本方法选择N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为分散溶剂,优选参数为:旋浮液浓度0.6mmol/L;低/高阶段旋涂转速与时间分别是500rpm/9s,5000rpm/30s;退火温度与时间为100度2小时。旋涂法不需要高温高真空,对仪器要求低,薄膜的生产成本低,有利于实现大规模的应用化生产。
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公开(公告)号:CN101210177B
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN200610135387.7
申请日:2006-12-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 系列单发射源白光荧光粉及其制备方法,涉及系列白光荧光粉及其制备。本发明制备的化合物为AnBxOy(n=1-10,x=3-20,y=3-31,A为质子化的脂肪胺)。该系列化合物以B和O为框架构造元素,以脂肪胺为模板剂。所述的质子化的脂肪胺为含碳1~10个的脂肪胺。该系列材料采用溶剂热法合成,应用于发光和显示技术。
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公开(公告)号:CN101294305A
公开(公告)日:2008-10-29
申请号:CN200710008886.4
申请日:2007-04-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一类硫硒锌化合物光敏电阻材料,涉及新型光敏电阻材料。该光敏电阻材料化合物的化学式为ZnSe1-xSx(0<x<1),特点是S元素部分替代Se元素并且S元素占据被替代Se元素的晶格位置,该类化合物为立方晶系,空间群为,单胞参数为a=b=c=5.1~5.9,α=β=γ=90°,Z=4。该类光敏电阻材料的制备可采用真空中高温固相合成法、布里奇曼法和真空热蒸镀法,分别得到它们的化合物及其单晶和薄膜材料。该类材料的带隙可通过x值来调控,响应波长较宽、灵敏度较高、结构稳定、组分均匀、制备工艺简单,性能可与现有的光敏电阻材料相媲美的新型无镉无铅光敏电阻材料。
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