一类硫碲锌化合物光敏电阻材料

    公开(公告)号:CN101293668A

    公开(公告)日:2008-10-29

    申请号:CN200710008889.8

    申请日:2007-04-26

    Abstract: 一类硫碲锌化合物光敏电阻材料,涉及新型光敏电阻材料。该光敏电阻材料化合物的化学式为ZnTe1-xSx(0<x<1),特点是S元素部分替代Te元素并且S元素占据被替代Te元素的晶格位置,该类化合物为立方晶系,空间群为,单胞参数为a=b=c=5.1~6.4,α=β=γ=90°,Z=4。该类光敏电阻材料的制备可采用真空中高温固相合成法、布里奇曼法和真空热蒸镀法,分别得到它们的化合物及其单晶和薄膜材料。该类材料的带隙可通过x值来调控,响应波长较宽、灵敏度较高、结构稳定、组分均匀、制备工艺简单,性能可与现有的光敏电阻材料相媲美的新型无镉无铅光敏电阻材料。

    一类硫硒锌化合物光敏电阻材料

    公开(公告)号:CN101294305A

    公开(公告)日:2008-10-29

    申请号:CN200710008886.4

    申请日:2007-04-26

    Abstract: 一类硫硒锌化合物光敏电阻材料,涉及新型光敏电阻材料。该光敏电阻材料化合物的化学式为ZnSe1-xSx(0<x<1),特点是S元素部分替代Se元素并且S元素占据被替代Se元素的晶格位置,该类化合物为立方晶系,空间群为,单胞参数为a=b=c=5.1~5.9,α=β=γ=90°,Z=4。该类光敏电阻材料的制备可采用真空中高温固相合成法、布里奇曼法和真空热蒸镀法,分别得到它们的化合物及其单晶和薄膜材料。该类材料的带隙可通过x值来调控,响应波长较宽、灵敏度较高、结构稳定、组分均匀、制备工艺简单,性能可与现有的光敏电阻材料相媲美的新型无镉无铅光敏电阻材料。

Patent Agency Ranking