一种微阵列芯片的表面改性方法

    公开(公告)号:CN108855259A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810568211.3

    申请日:2018-06-05

    Abstract: 本发明属于表面改性技术领域,具体涉及一种微阵列芯片的表面改性方法,所述方法为采用氧化性物质与硅基芯片氧化生成具有亲水Si‑OH基团的芯片表面及微孔,覆盖微孔后利用硅烷类物质与芯片表面反应得到具有疏水性的芯片表面。本发明采用分步改性的方法对芯片表面进行改性,减少了芯片表面的液体残留,避免了样品以及检测信号间的交叉污染,降低了后期信号图像处理的难度,大大提高了生物样品检测的精度与灵敏度。与现有技术中通过对芯片表面涂覆亲水/疏水膜的方式来改变芯片表面的亲水及疏水性相比,本发明的改性方法得到的芯片其亲水及疏水性质更均匀稳定,在空气、弱酸或弱碱环境中不易被腐蚀氧化。

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