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公开(公告)号：CN111020529A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911242799.4
申请日：2019-12-06
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明提供的高性能混相MgGa2O4薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长MgGa2O4薄膜，通过生长温度、镁源、镓源和氧气流量的精确控制，实现了高质量MgGa2O4薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。
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公开(公告)号：CN110970529A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911241727.8
申请日：2019-12-06
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明提供的高性能混相ZnMgO薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgO薄膜，通过生长温度、锌源、镁源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnMgO薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。
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公开(公告)号：CN111816720A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010801451.0
申请日：2020-08-11
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/108 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种MgGa2O4紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长MgGa2O4薄膜；S2、在MgGa2O4薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的MgGa2O4紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备MgGa2O4薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的MgGa2O4薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含MgGa2O4薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
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公开(公告)号：CN111785793A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010800909.0
申请日：2020-08-11
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/108 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种ZnMgO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgO薄膜；S2、在ZnMgO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgO紫外探测器。与现有技术相比，本发明通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，混相结构的ZnMgO薄膜2能够同时满足高响应度和低暗电流，从而使ZnMgO紫外光电探测器具有更低的暗电流和更高的光响应速度。
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公开(公告)号：CN111816720B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010801451.0
申请日：2020-08-11
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/108 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种MgGa2O4紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长MgGa2O4薄膜；S2、在MgGa2O4薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的MgGa2O4紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备MgGa2O4薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的MgGa2O4薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含MgGa2O4薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
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公开(公告)号：CN111785795A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010800925.X
申请日：2020-08-11
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/108 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgGaO薄膜；S2、在ZnMgGaO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgGaO紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgGaO薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgGaO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含ZnMgGaO薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
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公开(公告)号：CN111785795B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010800925.X
申请日：2020-08-11
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/108 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgGaO薄膜；S2、在ZnMgGaO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgGaO紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgGaO薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgGaO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含ZnMgGaO薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
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公开(公告)号：CN111244202A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010196508.9
申请日：2020-03-19
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/036 , H01L31/108 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种ZnMgO紫外探测器，所述ZnMgO紫外探测器包括衬底；复合在所述衬底上的ZnMgO薄膜层；复合在所述ZnMgO薄膜层上的叉指电极层；复合在所述叉指电极层的叉指电极表面上的聚合物层。本发明提供的具体特定结构的ZnMgO紫外探测器，通过各层之间的配合与顺序，充分发挥了ZnMgO薄膜层优势，使得本发明制备的ZnMgO紫外探测器具有较低的暗电流和良好的器件稳定性。而且本发明提供的制备方法，步骤简单，条件温和，重复性好，过程可控，有利于规模化推广和应用。
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公开(公告)号：CN110970528A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911241719.3
申请日：2019-12-06
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明提供的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgGaO四元合金薄膜，通过生长温度、锌源、镁源、镓源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnMgGaO四元合金薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。
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