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公开(公告)号：CN100456514C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510016722.7
申请日：2005-04-18
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明属于一种有机存储器及其制造方法，涉及一种单层有机存储器及其制造方法。采用夹层结构，把有机薄膜NPB或染料掺杂的NPB夹在两个交叉的电极之间，其中一个电极为金属Ag电极。当在两个电极之间加电压，器件就会从一个状态开关到另一个状态，这样，通过改变电压，存储的信息就能够被读、写和擦掉，这个存储过程与所选有机材料和Ag电极密切相关。这种单层有机存储器具有制造工艺简单，成本低，体积小，存储容量大，功耗低，读写快，稳定性好的特点。
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公开(公告)号：CN100424909C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610016875.6
申请日：2006-05-25
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构，把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上，制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动，得到的器件的共基极增益接近于1，共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN1851954A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610016875.6
申请日：2006-05-25
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构，把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上，制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动，得到的器件的共基极增益接近于1，共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN1688038A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510016722.7
申请日：2005-04-18
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明属于一种有机存储器及其制造方法，涉及一种单层有机存储器及其制造方法。采用夹层结构，把有机薄膜NPB或染料掺杂的NPB夹在两个交叉的电极之间，其中一个电极为金属Ag电极。当在两个电极之间加电压，器件就会从一个状态开关到另一个状态，这样，通过改变电压，存储的信息就能够被读、写和擦掉，这个存储过程与所选有机材料和Ag电极密切相关。这种单层有机存储器具有制造工艺简单，成本低，体积小，存储容量大，功耗低，读写快，稳定性好的特点。
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