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公开(公告)号：CN111217320A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010040193.9
申请日：2020-01-15
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法，其步骤包括：1)在硅片表面制备硅金字塔结构，然后在所述硅金字塔表面上制备硫化镉种子层；其中，硅金字塔结构用于增加硅表面与硫化镉种子层的粘附性；2)用水热法在硫化镉种子层上生长硫化镉纳米线，得到硫化镉纳米线阵列；3)用去离子水对步骤2)得到的硫化镉纳米线阵列进行漂洗、晾干。本发明首次通过引入金字塔结构，结合水热生长法，在硅片表面实现硫化镉纳米线的生长；金字塔的引入，增加了硅表面与硫化镉种子层的粘附性，相对于在硅片表面引入硅柱结构来说，方法简单，成本低，易于操作。
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公开(公告)号：CN104199252B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410456863.X
申请日：2014-09-10
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种实现光刻胶微结构的方法，该方法包括：在衬底表面制备网状负胶微结构；将该网状负胶微结构从衬底上剥离并平铺在固体正胶衬底上，此固体正胶衬底放置于导电基底上；通过热压的方法，将该网状负胶微结构嵌入该固体正胶衬底表层，同时将该固体正胶衬底粘附在导电基底上；对上述表层已嵌入网状负胶微结构并已粘附在导电基底上的固体正胶衬底，在预设的掩模板下进行曝光、显影，得到光刻胶微结构。利用本发明，通过在正性光刻胶衬底表面热压一层网状负胶微结构，使得其经过曝光、显影后，得到的光刻胶微结构中各个易倾斜、倒塌的局部被表面的网状负胶微结构相连，成为一个整体，进而有效地防止了各个局部的倾斜、倒塌。
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公开(公告)号：CN104538283A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410797643.3
申请日：2014-12-18
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了一种硅片表面倒金字塔结构的制备方法，该方法包括：在硅片表面制备氯化铯岛结构；在带有氯化铯纳米岛结构的硅片表面蒸镀一层钛金属薄膜，放入去离子水中超声剥离，去掉氯化铯岛结构及其上的钛金属薄膜，在硅片表面得到多孔钛薄膜；以多孔钛薄膜为掩膜对硅片表面进行各向异性腐蚀；去除硅片表面的多孔钛薄膜，在硅片表面得到倒金字塔结构。本发明采用真空氯化铯镀膜、氯化铯自组装、真空热蒸发镀金属膜、剥离和湿法各向异性腐蚀技术完成，简化了制备工艺，降低了制备成本，克服了其在大规模产业化方面及在制备纳米量级小尺度金字塔阵列等方面被限制应用的缺陷，具有低成本和较强的工艺适应性能，便于推广和应用。
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公开(公告)号：CN111430872B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010150760.6
申请日：2020-03-06
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种LIGA技术的埋丝光刻胶片及其制备方法，其步骤包括：1)选取两片PMMA光刻胶片和一有机丝；2)将该有机丝放在两片PMMA光刻胶片之间；3)将两所述PMMA光刻胶片相对的两面融合在一起包裹该有机丝，得到埋丝光刻胶片。本发明提供了一种全新的埋丝方法，与传统埋丝方法截然不同，而且埋丝位置易于调控且效率高，埋丝光刻胶片的成品率高。
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公开(公告)号：CN105261555B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510542911.1
申请日：2015-08-28
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，该方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法包括：制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石压砧面的表面，然后在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极；摘除镂空金属掩膜版。本发明利用紫外光刻技术、套刻及离子束溅射镀膜技术完成在金刚石压砧上制备金属电极，能够在金刚石直径为300微米的圆形砧面上制备10微米宽的电极结构，该方法操作简单，避开了传统工艺中在金刚石砧面上的光刻过程，过程简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN105006495B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510346116.5
申请日：2015-06-19
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法，包括：对硅片进行三氯氧磷扩散形成P-N结结构；去除硅片背面及侧面的P-N结结构；在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极，并在硅片背面形成铝背电极层；在金属栅线电极之上及未被金属栅线电极覆盖的硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构，以氯化铯纳米圆岛结构为掩膜刻蚀硅片，将氯化铯纳米圆岛结构转移到硅表面上，去除氯化铯纳米圆岛结构，在未被金属栅线电极覆盖的硅片表面获得硅纳米柱状结构；高温烧结，使金属栅线电极与硅片形成欧姆接触。本发明相对于常规方法减少了紫外光刻及套刻等步骤，工艺程序简单很多，成本随之降低，工艺难度也有所降低，更加适合工业生产。
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公开(公告)号：CN105858591A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610188420.6
申请日：2016-03-29
申请人： 中国科学院高能物理研究所
CPC分类号： B81C1/00087 , B81B1/004
摘要： 本发明提供了一种金属微结构及其制作方法，其中方法首先在一平整的基片的表面涂覆一层光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影，以在基片的表面形成光刻胶图形，然后令基片发生形变，以使得所述光刻胶图形随所述基片一同发生形变，接着在基片表面上的非光刻胶图形处，进行金属镀膜，最后去除光刻胶和基片，得到金属微结构。本发明实现了具有不同轴线方向通孔的金属微结构，其在光学成像领域有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN113608285B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110735232.1
申请日：2021-06-30
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G02B3/00
摘要： 本发明公开了一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法。本方法为：1)在镀铬金的硅片上电镀Ni柱子阵列；2)在电镀有Ni柱子阵列的所述硅片上旋涂一层液态PMMA后进行烘干处理；3)运用套刻技术，将X射线掩膜版与所述硅片上的Ni柱子对准，然后进行曝光、显影后得到具有PMMA柱子阵列的样品，其中所述PMMA柱子阵列中每一PMMA柱子内部包含一Ni柱子；4)将步骤3)所得样品放入烘箱中加热，使得所述PMMA柱子阵列中的各PMMA柱子热熔为微透镜，得到微透镜阵列。本发明通过在PMMA柱子中加入Ni柱子，达到的增加微透镜接触角的效果，进而能够制备接触角较大的微透镜阵列。
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公开(公告)号：CN113608285A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110735232.1
申请日：2021-06-30
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G02B3/00
摘要： 本发明公开了一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法。本方法为：1)在镀铬金的硅片上电镀Ni柱子阵列；2)在电镀有Ni柱子阵列的所述硅片上旋涂一层液态PMMA后进行烘干处理；3)运用套刻技术，将X射线掩膜版与所述硅片上的Ni柱子对准，然后进行曝光、显影后得到具有PMMA柱子阵列的样品，其中所述PMMA柱子阵列中每一PMMA柱子内部包含一Ni柱子；4)将步骤3)所得样品放入烘箱中加热，使得所述PMMA柱子阵列中的各PMMA柱子热熔为微透镜，得到微透镜阵列。本发明通过在PMMA柱子中加入Ni柱子，达到的增加微透镜接触角的效果，进而能够制备接触角较大的微透镜阵列。
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公开(公告)号：CN108469644B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810169872.9
申请日：2018-02-28
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明提供了一种光栅及其制备方法，其中，该方法包括：对第一衬底进行第一处理，得到带有预定结构的第一金制图形，进而得到中间掩膜板；在第二衬底上制备纳米柱阵列，并采用该中间掩膜板对所述纳米柱阵列进行第二处理，得到带有预定结构的第二金制图形，进而得到最终掩膜板；以及采用所述最终掩膜板对PMMA片进行第三处理，得到正弦型位相光栅。本发明的制备方法简单，且能够制备得到表面形貌较为复杂的光栅。
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