一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114597273B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202210198261.3

    申请日:2022-03-02

    摘要: 本发明公开了一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器以碳化硅单晶(1)为基体,碳化硅单晶(1)碳面注入多个微条形结构的n型碳化硅层(2),碳化硅单晶(1)硅面设有多个与n型碳化硅层(2)垂直的p型碳化硅结构(3);每一n型碳化硅层(2)上设置一下电极(4),碳化硅单晶(1)碳面上设置第一保护环,各下电极(4)之间、各下电极(4)与第一保护环之间以及第一保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6);每一p型碳化硅结构(3)上设置一上电极(5),在碳化硅单晶(1)硅面上设置第二保护环,各上电极(5)之间、各上电极(5)与第二保护环之间以及第二保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)。

    一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114597273A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210198261.3

    申请日:2022-03-02

    摘要: 本发明公开了一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器以碳化硅单晶(1)为基体,碳化硅单晶(1)碳面注入多个微条形结构的n型碳化硅层(2),碳化硅单晶(1)硅面设有多个与n型碳化硅层(2)垂直的p型碳化硅结构(3);每一n型碳化硅层(2)上设置一下电极(4),碳化硅单晶(1)碳面上设置第一保护环,各下电极(4)之间、各下电极(4)与第一保护环之间以及第一保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6);每一p型碳化硅结构(3)上设置一上电极(5),在碳化硅单晶(1)硅面上设置第二保护环,各上电极(5)之间、各上电极(5)与第二保护环之间以及第二保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)。

    一种空间主动激发X荧光谱仪的准直结构

    公开(公告)号:CN104597068A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201510009369.3

    申请日:2015-01-08

    IPC分类号: G01N23/223

    摘要: 本发明公开了一种空间主动激发X荧光谱仪的准直结构。本发明的准直结构包括源盒、源扣、多个激发源准直器和一探测器准直器,所述源盒中心设有圆台状凹陷,该圆台状凹陷底部中心设有一通孔、侧面位置设有多个台阶通孔,所述源扣中心设有一与所述通孔对应的通孔和多个与所述台阶通孔对应的盲孔;所述源扣与所述源盒可拆卸连接,每一台阶通孔与对应盲孔构成的半封闭空间内设有一所述激发源准直器,所述源扣中心的通孔与所述源盒中心的通孔构成的半封闭空间内设有所述探测器准直器。本发明在实现前端激发源准直组件的轻型化设计并实现放射源和探测器准直的同时,尽量增大放射源的照射面积,从而增加荧光激发效率。

    深空X荧光分析方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101576517B

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200810106009.5

    申请日:2008-05-07

    IPC分类号: G01N23/223

    摘要: 一种深空X荧光分析方法,涉及X荧光分析技术,在没有实际标样的条件下运用模拟标样对深空行星的荧光数据进行定量分析。该方法结合蒙特卡罗方法和基本参数法:应用太阳监视器测量到的不同时期太阳辐射X射线作为激发能谱,采用geant4软件包运用蒙特卡罗方法对不同样品的荧光光谱进行模拟,采用基于基本参数法编写的程序对在轨测量荧光能谱和模拟得到的标准能谱进行迭代运算,并根据卫星轨道数据和探测器的视场设计对数据进行网格划分,得到行星的元素分布数据。本发明方法无需携带标准样品,用蒙特卡洛模拟方法,方便而准确地得到模拟的标准样品能谱。而基本参数法是一种准确的计算方法,两种方法结合,得到准确的行星元素分布信息。