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公开(公告)号：CN107093643B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710205623.6
申请日：2017-04-05
申请人： 大连理工大学 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/117 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。本发明解决了高性能氮化镓位置灵敏辐射探测器的制备难题，实现新型氮化镓位置灵敏辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN114597273A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210198261.3
申请日：2022-03-02
申请人： 中国科学院高能物理研究所 , 大连理工大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/117 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器以碳化硅单晶(1)为基体，碳化硅单晶(1)碳面注入多个微条形结构的n型碳化硅层(2)，碳化硅单晶(1)硅面设有多个与n型碳化硅层(2)垂直的p型碳化硅结构(3)；每一n型碳化硅层(2)上设置一下电极(4)，碳化硅单晶(1)碳面上设置第一保护环，各下电极(4)之间、各下电极(4)与第一保护环之间以及第一保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)；每一p型碳化硅结构(3)上设置一上电极(5)，在碳化硅单晶(1)硅面上设置第二保护环，各上电极(5)之间、各上电极(5)与第二保护环之间以及第二保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)。
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公开(公告)号：CN107093643A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710205623.6
申请日：2017-04-05
申请人： 大连理工大学 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/117 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/117 , H01L31/035281 , H01L31/1848
摘要： 本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。本发明解决了高性能氮化镓位置灵敏辐射探测器的制备难题，实现新型氮化镓位置灵敏辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN114597273B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210198261.3
申请日：2022-03-02
申请人： 中国科学院高能物理研究所 , 大连理工大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/117 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器以碳化硅单晶(1)为基体，碳化硅单晶(1)碳面注入多个微条形结构的n型碳化硅层(2)，碳化硅单晶(1)硅面设有多个与n型碳化硅层(2)垂直的p型碳化硅结构(3)；每一n型碳化硅层(2)上设置一下电极(4)，碳化硅单晶(1)碳面上设置第一保护环，各下电极(4)之间、各下电极(4)与第一保护环之间以及第一保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)；每一p型碳化硅结构(3)上设置一上电极(5)，在碳化硅单晶(1)硅面上设置第二保护环，各上电极(5)之间、各上电极(5)与第二保护环之间以及第二保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)。
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公开(公告)号：CN110265500A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910499916.9
申请日：2019-06-11
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/118 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种4H-SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器，其特征在于，包括一像素阵列，其中该像素阵列中每个像素单元的结构自下而上依次为欧姆接触、SiC衬底、SiC外延层以及肖特基接触。其中每个像素单元会同时测量粒子的能量、到达每一个像素单元的时间以及单位时间内所探测到的粒子数等信息，根据这些数据之间的差异，所设计的结构实现一定的位置分辨能力。而且相较于传统单元SiC辐射探测器，所设计的像素辐射探测器，当其中某个像素单元出现损坏时并不影响整个探测器继续工作。
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公开(公告)号：CN110265500B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910499916.9
申请日：2019-06-11
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/118 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种4H‑SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器，其特征在于，包括一像素阵列，其中该像素阵列中每个像素单元的结构自下而上依次为欧姆接触、SiC衬底、SiC外延层以及肖特基接触。其中每个像素单元会同时测量粒子的能量、到达每一个像素单元的时间以及单位时间内所探测到的粒子数等信息，根据这些数据之间的差异，所设计的结构实现一定的位置分辨能力。而且相较于传统单元SiC辐射探测器，所设计的像素辐射探测器，当其中某个像素单元出现损坏时并不影响整个探测器继续工作。
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公开(公告)号：CN108461404B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201810532221.1
申请日：2018-05-23
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/443 , H01L29/45
摘要： 本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10‑6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空或惰性气体；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。本发明创新在于设计了一种基于镁金合金的新型氧化镓欧姆接触电极，其制备工艺简单，对氧化镓材料无损伤，特别适用于研制电子浓度较低的氧化镓基器件。
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公开(公告)号：CN109860058A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811555045.X
申请日：2018-12-19
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/34 , H01L21/4763 , H01L29/267
摘要： 本发明属于半导体材料制备技术领域，提供一种氧化镓/铜镓氧异质结的制备方法。该方法是把氧化镓材料进行预处理后，将铜源预沉积或者放置在氧化镓单晶或薄膜的表面上，然后将这种带有铜源的氧化镓放置在高温管内，而后在一定的条件下热处理一定时间，使得铜原子能可控的扩散到氧化镓中，形成相应的铜镓氧合金，进而与未发生铜扩散的氧化镓形成界面特性好的氧化镓/铜镓氧异质结。本发明突出的优势是能够制备出高质量的铜镓氧材料，其所需设备和工艺过程简单，可控性高；可以形成界面理想的氧化镓/铜镓氧异质结，获得理想的结特性；利用本发明所提铜扩散技术可以进行多种类器件集成制造，进而研制出传统生长技术无法制备出的铜镓氧基新型器件。
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公开(公告)号：CN104916684B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510319284.5
申请日：2015-06-11
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，提供一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的第一GaN层，第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入凹槽中的第二GaN层和第二势垒层；位于除凹槽以外的第一GaN层上的第一势垒层；位于第一势垒层和第二势垒层上的介质层；与第一GaN层接触的源电极和漏电极，且源电极和漏电极的侧面从下到上依次与第一势垒层和介质层接触；与介质层接触的栅电极。本发明能够获得HEMT器件的常关型操作模式，实现大阈值电压的同时有效减小器件的导通电阻，栅极结构还具有电容小，器件开关速度快等特点。
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公开(公告)号：CN106816366A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710079419.4
申请日：2017-02-16
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/225
摘要： 本发明属于半导体材料制备技术领域，具体提供了一种锡掺杂n型氧化镓制备方法。将适量的锡掺杂源以适当的方法预沉积在氧化镓材料上，然后将氧化镓材料以适当的形式放置在耐高温管内，而后在一定的温度下热处理一定时间，使得锡原子能可控的扩散到氧化镓材料中，并激活为有效施主，进而实现氧化镓材料的n型掺杂。本发明能够在氧化镓材料制备完成后实现掺杂，并且其所需设备和工艺过程简单，掺杂可控性高；利用本发明所提锡掺杂技术，不仅能够进行基于n型氧化镓材料的纵向器件结构制备，特别是还可以进行横向器件结构制备和多种类器件集成制造，进而研制出传统掺杂技术无法制备出的氧化镓基新型器件。
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