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公开(公告)号：CN112541321B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202011507458.8
申请日：2020-12-18
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： G06F30/398 , G06F119/02
摘要： 本发明实施例公开了一种宇航密封集成电路早期筛查与风险预示方法及装置。所述方法包括：确定宇航密封集成电路的背景信息，依据背景信息对宇航密封集成电路进行物理解剖成多个单元；对解剖后的多个单元进行性能分析；确定宇航密封集成电路的最小独立要素；对各最小独立要素进行分析，并确定第一分析结果；将至少两个最小独立要素进行组合后分析，确定第二分析结果；基于宇航密封集成电路的应用环境，依据第一分析结果和第二分析结果确定宇航密封集成电路的风险等级。本发明能有效规避早期设计问题，在结构可靠性基因层面为器件把好关，可在早期预示现有试验方法无法暴露的问题，提高器件的自身固有可靠性。
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公开(公告)号：CN117855068A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311696366.2
申请日：2023-12-11
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： H01L21/607 , H01L21/66 , H01L21/67 , G06Q10/0639 , G06Q10/0635 , G06Q50/04
摘要： 本发明提供了一种热超声金丝键合工艺FMEA过程质量分析和控制方法，包括：根据宇航用器件热超声金丝键合工艺的工艺流程，对键合工艺各工序的功能进行分析；结合键合工艺各工序功能，对宇航用器件热超声金丝键合工艺各工序进行潜在失效模式分析，确定引线键合工艺中的潜在失效模式；对各潜在失效模式进行失效原因和机理分析，得到第一分析结果；对各潜在失效模式进行失效影响和风险分析，得到第二分析结果；根据第一分析结果和第二分析结果，输出FMEA分析结果；根据FMEA分析结果进行关键工艺要素识别和薄弱环节确定，得到工艺要素相应控制等级和关键工艺要素；根据工艺要素控制等级，形成工艺质量控制方法和要求，为产品引线键合过程控制与管理提供依据。
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公开(公告)号：CN109884515B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910148038.6
申请日：2019-02-28
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： G01R31/311
摘要： 本发明一种微光显微镜偏置装置，包括外部电源、上位机、处理器、双通道测试工位、多阵列拨码开关、系统接口和驱动模块；外部电源对被测器件、测试模块和驱动模块供电；上位机发送控制信号给处理器，处理器对控制信号进行处理得到电压信号，之后通过系统接口发送给驱动模块，驱动模块同时对双通道测试工位及多阵列拨码开关进行选通及控制，每个通道均通过拨码开关提供多种偏置电压及测试模式，用于微光显微镜中集成电路缺陷的定位和失效的检查。本发明能够对微光显微镜中的器件提供特定的偏置条件，运行真值表测试文件和按照测试向量对器件进行功能测试，并且能够进行单步执行、固定偏置绑定以及测试程序循环等模式的偏置和测试。
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公开(公告)号：CN108460209B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201810169184.2
申请日：2018-02-28
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 本发明公开了一种宇航用SiP器件的FMEA分析方法和系统，其中，该方法包括：根据宇航用SiP器件的组成结构，对宇航用SiP器件的各个模块进行层次定义；对宇航用SiP器件的各个模块进行潜在失效模式分析，确定宇航用SiP器件的各组成模块存在的潜在失效模式；对各潜在失效模式进行失效原因和机理分析，得到第一分析结果；对各潜在失效模式进行故障影响和严酷度分析，得到第二分析结果；根据第一分析结果和第二分析结果，输出FMEA分析结果表。本发明提供了一种适合宇航级SiP器件应用的FMEA分析方法。通过对SiP进行单元分解，并对每一潜在故障模式进行分析，从而得到该款器件的FMEA的分析结论，为元器件质量保证工作提供了有效的技术支撑。
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公开(公告)号：CN109884515A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910148038.6
申请日：2019-02-28
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： G01R31/311
摘要： 本发明一种微光显微镜偏置装置，包括外部电源、上位机、处理器、双通道测试工位、多阵列拨码开关、系统接口和驱动模块；外部电源对被测器件、测试模块和驱动模块供电；上位机发送控制信号给处理器，处理器对控制信号进行处理得到电压信号，之后通过系统接口发送给驱动模块，驱动模块同时对双通道测试工位及多阵列拨码开关进行选通及控制，每个通道均通过拨码开关提供多种偏置电压及测试模式，用于微光显微镜中集成电路缺陷的定位和失效的检查。本发明能够对微光显微镜中的器件提供特定的偏置条件，运行真值表测试文件和按照测试向量对器件进行功能测试，并且能够进行单步执行、固定偏置绑定以及测试程序循环等模式的偏置和测试。
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公开(公告)号：CN108460209A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810169184.2
申请日：2018-02-28
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种宇航用SiP器件的FMEA分析方法和系统，其中，该方法包括：根据宇航用SiP器件的组成结构，对宇航用SiP器件的各个模块进行层次定义；对宇航用SiP器件的各个模块进行潜在失效模式分析，确定宇航用SiP器件的各组成模块存在的潜在失效模式；对各潜在失效模式进行失效原因和机理分析，得到第一分析结果；对各潜在失效模式进行故障影响和严酷度分析，得到第二分析结果；根据第一分析结果和第二分析结果，输出FMEA分析结果表。本发明提供了一种适合宇航级SiP器件应用的FMEA分析方法。通过对SiP进行单元分解，并对每一潜在故障模式进行分析，从而得到该款器件的FMEA的分析结论，为元器件质量保证工作提供了有效的技术支撑。
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公开(公告)号：CN117870976A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311772785.X
申请日：2023-12-21
申请人： 中国空间技术研究院
摘要： 一种指定尺寸用器件用内部气氛测试装置及方法，气氛测试装置包括凹槽底座、固定装置，利于按相关标准进行内部气氛测试，解决了以往无法对指定尺寸器件进行内部气氛测试的问题，通过凹槽底板的设计，能够保证待测试器件的试验气体收集面形成规则平面，以便在保证密封性的同时进行测试，突破了该类器件无法进行内部气氛测试的瓶颈。
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公开(公告)号：CN108447796A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810209068.9
申请日：2018-03-14
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片结构参数分析方法，包括：确定半导体芯片所使用的安装材料，采用与所述安装材料相对应的获取方式，从器件中获取至少两个版图信息一致的半导体芯片；对获取到的至少两个半导体芯片中的第一半导体芯片进行横向去层，并识别各层结构信息，得到第一半导体芯片的横向结构信息；对获取到的至少两个半导体芯片中的第二半导体芯片进行纵向剖面制作，并识别得到第二半导体芯片的纵向结构信息；根据横向结构信息和纵向结构信息，确定半导体芯片的结构参数。通过本发明可以获取每层芯片的版图结构和芯片纵向的结构参数，为芯片失效分析、结构分析和芯片设计提供技术参考。
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公开(公告)号：CN111948506A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010621597.7
申请日：2020-06-30
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种半导体器件氢效应定量评价系统，包括气体预混合模块、样品试验模块、气体成分分析模块、真空保持模块和控制模块，气体预混合模块包括金属腔体、流量控制阀门、程控阀门和紊流机构，金属腔体为方形腔体，左右两个面上预留螺纹孔，用于安装流量控制阀门和阀门，紊流结构连接在金属腔体侧壁，位于流量控制阀门和程控阀门之间，对从流量控制阀门通入的气体充分混合。本发明中样品试验模块中的气体可以在试验过程中不断补充，保持氢气浓度恒定，确保试验样品处于稳定的氢气浓度中，进而确保氢效应评价结果准确。
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公开(公告)号：CN105158417B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510509195.7
申请日：2015-08-18
申请人： 中国空间技术研究院
摘要： 本发明涉及一种系统级封装器件的结构分析方法，在SiP器件结构单元分解的基础上，对SiP器件进行力、热、力热耦合、电磁的仿真分析与评价后，在评价中考虑了SiP器件各结构单元之间的影响，包括力、热、力热耦合和电磁等；然后又进行环境应力试验，对SiP器件综合全面的分析评价。本发明提高了分析结果的可靠性，满足了航天应用的可靠性要求。
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