抑制溅射污染的半球谐振子局域刻蚀装置及使用方法

    公开(公告)号:CN115332037B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210915314.9

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: H01J37/32 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及抑制溅射污染的半球谐振子局域刻蚀装置及使用方法,装置包括刻蚀遮挡板、固定束形筒、外套筒、可调束形筒、套筒固定转接架、转台、XY向位移台、Z向位移台、修调组装测试装置和支撑基板,方法为:1、组装构成半球谐振子局域刻蚀装置的各个零部件及将待刻蚀的半球谐振子工件安装在修调组装测试装置上;2、采用对心法调整转台、XY向位移台,使可调束形筒的中轴线对准半球谐振子的回转轴;调整Z向位移台,使预估刻蚀区域对准谐振子的相应Z向高度;3、在刻蚀区域直径确定后,先后确定可调束形筒与谐振子表面之间的距离、固定束形筒左端与可调束形筒右端之间的距离,离子源与固定束形筒左端之间的距离,并进行位置调整;4、开启离子源,对半球谐振子进行局域刻蚀操作。本发明避免了溅射镀膜效应污染。

    抑制溅射污染的半球谐振子局域刻蚀装置及使用方法

    公开(公告)号:CN115332037A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210915314.9

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: H01J37/32 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及抑制溅射污染的半球谐振子局域刻蚀装置及使用方法,装置包括刻蚀遮挡板、固定束形筒、外套筒、可调束形筒、套筒固定转接架、转台、XY向位移台、Z向位移台、修调组装测试装置和支撑基板,方法为:1、组装构成半球谐振子局域刻蚀装置的各个零部件及将待刻蚀的半球谐振子工件安装在修调组装测试装置上;2、采用对心法调整转台、XY向位移台,使可调束形筒的中轴线对准半球谐振子的回转轴;调整Z向位移台,使预估刻蚀区域对准谐振子的相应Z向高度;3、在刻蚀区域直径确定后,先后确定可调束形筒与谐振子表面之间的距离、固定束形筒左端与可调束形筒右端之间的距离,离子源与固定束形筒左端之间的距离,并进行位置调整;4、开启离子源,对半球谐振子进行局域刻蚀操作。本发明避免了溅射镀膜效应污染。