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公开(公告)号：CN118703968A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410723817.5
申请日：2024-06-05
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于低维半导体材料技术领域，具体涉及一种超长碲纳米管及其制备方法，包括以下步骤：以二氧化碲粉末作为反应前驱体，以氢氩混合气作为载气，以氢氩混合气体中氢气作为还原剂，将反应前驱体置于单端开口的石英管的封闭端，衬底置于单端开口的石英管的开口端，然后将放置反应前驱体的石英管一端放置在单温区管式炉的中心温区，以形成空间限域的生长环境，在标准大气压下通过一步化学气相沉积方法在所述衬底上制得超长碲纳米管。本发明方法利用空间限域策略解决生长过程中反应源浓度分布不均的局限，通过氢还原二氧化碲有效避免了碲纳米线结构的形成，且该方法操作便捷、工艺简单、制备成本低、重复性好等特点。
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公开(公告)号：CN116380869A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310585844.6
申请日：2023-05-23
IPC: G01N21/65 , G06F18/214 , G06N3/08 , G06N20/20
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应稀疏分解的拉曼光谱去噪方法，包括以下步骤：基于真实拉曼光谱构建静态字典；获取待处理拉曼光谱，并遍历静态字典中各物质光谱，进行相似度计算，查询相似度最高且满足预设条件的第一特征峰；当与各物质光谱的相似度均不满足预设条件时，根据所述待处理拉曼光谱构建动态字典，并生成第二特征峰；对待处理拉曼光谱进行稀疏分解，通过查询静态字典或动态字典，在所述待处理拉曼光谱中筛选出匹配的第一特征峰或第二特征峰，对所述待处理拉曼光谱进行校正，得到去噪光谱；本发明采用构建动态与静态结合的字典的对拉曼光谱中的谱峰进行校正实现去噪，提高了去噪效果。
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公开(公告)号：CN113278949A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110412003.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，采用钼箔、硫粉和硒粉作为生长源，溴化钠作为生长促进剂，通过一种面对面的短程垂直近稳态供源方式，借助氧气辅助生长制备出高质量、组分可调的单层硫硒化钼连续薄膜。本发明所述对钼箔进行表面盐浴处理，能够降低了钼源升华温度，有利于硫硒化钼的成核和二维生长；在生长中引入氧气，通过面对面的短程垂直近稳态供源方式能够控制硫硒化钼成核密度、单晶畴分布及其尺寸。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、可控性好、重复性高，由该方法制得的单层硫硒化钼材料晶体质量高，其合金组分比和带隙能够随硫/硒源质量比连续可调。
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公开(公告)号：CN107089683A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710290479.0
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国计量大学
IPC: C01G39/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G3/02 , H01L31/0328 , B01J27/051
CPC classification number: C01G39/06 , B01J27/051 , B01J35/004 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G3/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/34 , C01P2004/60 , H01L31/0328
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法，将氧化铜加入去离子水搅拌形成混合物，而后加入二水钼酸钠、硫脲和CTAB，之后将样品在水热温度为220℃下保温24h，之后采用去离子水和乙醇洗涤产物五次，并将产物置于真空干燥箱以60℃的温度干燥，得到空心微球状的二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料。利用水热法制备的二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜复合材料具有制备工艺简单、材料结晶性好，样品均一度高等特点。形成的纳米复合结构具有半导体异质结特性，能够抑制光生电子‑空穴的复合和促进电子‑空穴的分离的作用，因此在光催化和光伏电池领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106732589A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611040546.5
申请日：2016-11-18
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: B01J23/72 , B01J35/004 , B82Y30/00 , H01M4/364 , H01M4/483 , H01M4/587 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种氧化铜/氧化亚铜/石墨烯纳米复合材料的制备方法，用去离子水溶解一水乙酸铜，将氧化石墨烯溶液加入上述溶液，之后对其磁力搅拌，然后将氢氧化钠溶于去离子水，随后逐滴加入到上述混合溶液，磁力搅拌之后将不同质量的葡萄糖溶于去离子水，加入到混合溶液中，然后水热处理10小时，使其冷却至常温后，使用去离子水对产物多次洗涤，并将产物置于真空干燥箱以60℃的温度干燥，待干燥完成得到氧化铜与氧化亚铜不同质量比的该纳米复合材料粉末。利用水热法制备的氧化铜/氧化亚铜/石墨烯纳米复合材料样品具有结晶性好，均一度高，且微观形貌可控等特点，此复合材料可应用于光催化剂、储能器件以及传感器等领域。
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公开(公告)号：CN106290305A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610930012.3
申请日：2016-10-26
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/658
Abstract: 本发明公开了基于光纤倏逝场辅助表面增强拉曼散射基底，包括有机玻璃层，D形光纤，输出光纤，一分多光纤耦合器，输入光纤，透明纳米膜，纳米金属膜。有机玻璃层上刻有紧密排布的D形光纤槽，D形光纤分别粘合到D形光纤槽；所述的D形光纤为输出光纤末端机械磨制或化学腐蚀制成；所述的输出光纤连接一分多光纤耦合器，一分多光纤耦合器通过输入光纤连接激光光源；所述的透明纳米膜覆盖于粘合了D形光纤的有机玻璃层上，透明纳米膜上涂覆有纳米金属膜。该基底采用在有机玻璃底上紧密排布多根D形光纤，覆盖透明纳米膜，再涂覆纳米金属膜的方式制备。该基底制备简单，产生光纤倏逝场强，能有效辅助增强拉曼散射，提高检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN119939226A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510429388.5
申请日：2025-04-08
Applicant: 中国计量大学
IPC: G06F18/213 , G06F18/23213 , G06F18/24 , G06F18/25 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的拉曼光谱异常数据检测方法及系统，属于拉曼光谱异常检测技术领域。其方法包括根据检测到的光谱峰值位置得到对应的峰值注意力指导系数；基于原始光谱数据的局部增强特征和全局特征得到多尺度注意力系数；将峰值注意力指导系数和多尺度注意力系数进行组合，并在此基础上得注意力拉曼光谱特征数据；利用降维网络对注意力拉曼光谱特征数据进行多层逐步降维，并利用升维网络进行重构；利用降维后的拉曼光谱特征数据以及重构拉曼光谱数据，得到拉曼光谱异常数据检测结果。本发明通过峰值感知注意力机制，能够同时分析拉曼光谱的整体特征和小尺度特征峰，对于拉曼光谱特征的提取和重构有较强针对性和提升。
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公开(公告)号：CN119555662A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411788483.6
申请日：2024-12-06
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种快速广谱检测沙门氏菌的方法，涉及细菌检测技术领域。包括以下步骤：(1)标记SERS探针的制备；(2)Fe3O4@Au@Ag磁性复合材料的制备；(3)Fe3O4@Au@AgNPs与Ag@4MBA@AuNPs结合构建适配体传感器；(4)沙门氏菌的SERS检测。本发明基于贵金属纳米粒子与磁性复合材料构建的新型的表面增强拉曼散射(SERS)适配体传感器，根据竞争法原理产生沙门氏菌浓度越高，拉曼信号越弱的的反比关系，对不同沙门氏菌进行超灵敏的快速现场检测。
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公开(公告)号：CN114959635A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210479949.9
申请日：2022-05-05
Applicant: 中国计量大学
IPC: C23C16/30 , B01J27/051 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法，其制备方案包括以下步骤：首先以氧化钼粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，在双温区管式炉中加热反应生长出单层二硫化钼；然后以硫化锡粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，以生长有二硫化钼的衬底作为生长基底，在双温区管式炉中加热反应生长出硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结。本发明制备的异质结由一维硫化锡和二维单层的二硫化钼所构成，所述硫化锡纳米线外延生长在所述二硫化钼的表面；该异质结材料化学性质稳定，光谱响应范围宽，且具有II型的能带结构便于光生载流子分离，在光电器件领域具有广泛的应用前景。本发明所采用的分步化学气相沉积法制备所述硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结具有晶体质量高、制备成本低、工艺简单、可重复高等优点。
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公开(公告)号：CN113278948A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110410386.3
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化锡/二硫化锡异质结材料及其制备方法，使用硫粉作为硫源，硫化锡粉末作为锡源，在标准大气压条件下，采用一步化学气相沉积方法在氟金云母片上得到高结晶性、分布均匀的一维硫化锡/二维二硫化锡混合维度异质结材料。本发明所采用的制备方法操作简便、重复性好，通过简单地调节硫粉温区和硫化锡温区的温度的得到了高质量混合维度异质结中最佳生长参数。通过本发明所制得的一维硫化锡/二维二硫化锡混合维度异质结具有独特的光电特性，在纳米电子和光电子器件领域具有潜在的应用价值。
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