公开(公告)号：CN118913470A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410969622.9

申请日：2024-07-18

申请人： 中国计量科学研究院

发明人： 李旭 ,  孙建平 ,  王志刚 ,  田东辉 ,  李嘉豪 ,  高慧芳 ,  程芳 ,  张毅 ,  陶兴付 ,  李硕 ,  金森林 ,  李适

IPC分类号： G01K7/22 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10

摘要： 本发明公开了一种负温度系数热敏电阻温度传感器及其制造方法和应用，属于检测领域，热敏电阻温度传感器包括单晶硅基底块和生长在单晶硅基底块的二氧化硅层上的负温度系数热敏薄膜，所述负温度系数热敏薄膜为Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，其具有尖晶石结构。本发明通过引入Cu元素、在单晶硅基底进行1/3厚度预切割、采用两次磁控溅射工艺，优化了热敏薄膜的脆性和塑性，降低了热敏薄膜的面内残余应力，制备出了厚度超过7μm的Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，且热敏薄膜表面完好且与二氧化硅层结合良好，未发生开裂和脱落；其电阻小于500Ω，无需进行退火热处理；本发明的技术路线简单高效，生产效率和良品率非常高。