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公开(公告)号：CN116183555A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310409810.1
申请日：2023-04-17
申请人： 中国计量科学研究院
摘要： 本发明涉及一种压力接触式薄膜材料样品加载装置及其测试方法，样品腔开口设置在样品腔的前侧壁上，激光入射孔和样品腔下方孔同轴设置在样品腔的顶壁和底壁上；套管的顶部设有套管开孔，热电偶的探头和偶丝从套管开孔中穿出并露出于套管外部，套管的顶部从样品腔下方管垂直进入样品腔内，并与薄膜材料样品的基底背面压力接触，激光从激光入射孔入射到薄膜材料样品的表面。本申请保证热电偶与样品的压力保持固定一致且可调节，从而确保了温度测量的重复性，解决现有光功率分析法相变温度测量装置中热电偶与薄膜样品接触不稳和压力不固定等问题。且热电偶与样品表面非直接接触，避免了样品对探头的污染，进一步确保了温度测量的准确性。
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公开(公告)号：CN113488581A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110702230.2
申请日：2021-06-21
申请人： 中国计量科学研究院
IPC分类号： H01L41/33
摘要： 本发明实施例涉及压电材料技术领域，具体涉及一种高质量压电薄膜退火降温方法和制备方法。所述退火降温方法为在压电薄膜退火后包括第一段降温过程和第二段降温过程；所述第一段降温过程为在退火炉内以降温速率为0.5‑1℃/s降温至第一温度；所述第二段降温过程为在退火炉内以2‑3℃/s的降温速率从第一温度降温至第二温度。本发明通过控制退火后降温段数的降温速率、降温温度以及降温时长，使压电薄膜与衬底间由于热膨胀系数不同导致薄膜内部产生的应力得到缓慢释放，减少薄膜内部的裂纹，提升薄膜质量，进而降低漏电流，从而提升其电学性能。
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公开(公告)号：CN112034002A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010918916.0
申请日：2020-09-04
申请人： 中国计量科学研究院
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明实施例公开了一种热电材料塞贝克系数的测量装置和方法，该装置包括：加热炉，所述加热炉为气密封炉体；样品台，所述样品台包括冷端样品台和热端样品台，热电样品的一端固定于所述冷端样品台，所述热电样品的另一端固定于所述热端样品台；加热器，所述加热器安装于所述热端样品台；热电偶裸丝，所述热电偶裸丝包括第一热电偶裸丝和第二热电偶裸丝，所述第一热电偶裸丝套设于第一陶瓷管中，且所述第一热电偶裸丝的探头外露于所述第一陶瓷管并压紧于所述热电样品的表面；所述第二热电偶裸丝套设于第二陶瓷管中，且所述第二热电偶裸丝的探头外露于所述第二陶瓷管并压紧于所述热电样品的表面。其解决了塞贝克系数测量准确性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN111879808A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010918872.1
申请日：2020-09-04
申请人： 中国计量科学研究院
IPC分类号： G01N25/12
摘要： 本发明实施例公开了一种薄膜材料相变温度的测量装置，包括：光学组件；真空腔，所述真空腔的顶部开设有入光孔，所述入光孔与所述光学组件的入射光线相对设置；高温炉，所述高温炉设置于所述真空腔内，所述高温炉的底部和侧向均安装有电阻加热片，所述电阻加热片通过导线与电源连接；样品室，所述样品室设置于所述高温炉内，所述样品室通过导热结构与所述电阻加热片导热连接，且样品放置于所述样品室内，热电偶内嵌于所述样品室中，并通过探头与所述样品相接触。其提高了薄膜材料相变温度的测量准确性。
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公开(公告)号：CN108562378B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201810275623.8
申请日：2018-03-30
申请人： 中国计量科学研究院 , 武汉嘉仪通科技有限公司
IPC分类号： G01K15/00
摘要： 本发明实施例涉及一种温度校准的装置，包括：样品台(1)，样品台(1)处于真空红外加热条件下；石英托管(5)，连接并支撑样品台(1)，处于真空红外加热条件下；K型热电偶(2)，穿过所述石英托管(5)，其测温端置于所述样品台(1)之内；块状介质(3)，位于样品台(1)之内，块状介质(3)加工有孔；S型热电偶(4)，穿过石英托管(5)，其测温端插入所述块状介质(3)的孔之内，根据所述S型热电偶(4)测得的温度，对所述K型热电偶(2)所测量到的温度进行校准；其中，所述块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90，导热系数不低于60～70W/(m·K)。本发明实施例提供的温度校准的装置能够针对真空红外加热的特殊环境，对K偶进行温度校准。
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公开(公告)号：CN112034002B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010918916.0
申请日：2020-09-04
申请人： 中国计量科学研究院
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明实施例公开了一种热电材料塞贝克系数的测量装置和方法，该装置包括：加热炉，所述加热炉为气密封炉体；样品台，所述样品台包括冷端样品台和热端样品台，热电样品的一端固定于所述冷端样品台，所述热电样品的另一端固定于所述热端样品台；加热器，所述加热器安装于所述热端样品台；热电偶裸丝，所述热电偶裸丝包括第一热电偶裸丝和第二热电偶裸丝，所述第一热电偶裸丝套设于第一陶瓷管中，且所述第一热电偶裸丝的探头外露于所述第一陶瓷管并压紧于所述热电样品的表面；所述第二热电偶裸丝套设于第二陶瓷管中，且所述第二热电偶裸丝的探头外露于所述第二陶瓷管并压紧于所述热电样品的表面。其解决了塞贝克系数测量准确性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN108195478A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810275515.0
申请日：2018-03-30
申请人： 中国计量科学研究院 , 武汉嘉仪通科技有限公司
摘要： 本发明实施例涉及一种温度测量的装置，包括：样品台(1)，所述样品台(1)处于真空红外加热条件下；石英托管(2)，所述石英托管(2)连接并支撑样品台(1)，处于真空红外加热条件下；块状介质(3)，位于所述样品台(1)之内，所述块状介质(3)加工有孔；热电偶(4)，所述热电偶(4)穿过石英托管(2)，其测温端插入块状介质(3)的所述孔之内；其中，块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90，导热系数不低于60～70W/(m·K)。本发明实施例提供一种温度测量的装置能够针对真空红外加热的特殊环境，准确测量样品台内的温度。
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公开(公告)号：CN118913470A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410969622.9
申请日：2024-07-18
申请人： 中国计量科学研究院
摘要： 本发明公开了一种负温度系数热敏电阻温度传感器及其制造方法和应用，属于检测领域，热敏电阻温度传感器包括单晶硅基底块和生长在单晶硅基底块的二氧化硅层上的负温度系数热敏薄膜，所述负温度系数热敏薄膜为Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，其具有尖晶石结构。本发明通过引入Cu元素、在单晶硅基底进行1/3厚度预切割、采用两次磁控溅射工艺，优化了热敏薄膜的脆性和塑性，降低了热敏薄膜的面内残余应力，制备出了厚度超过7μm的Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，且热敏薄膜表面完好且与二氧化硅层结合良好，未发生开裂和脱落；其电阻小于500Ω，无需进行退火热处理；本发明的技术路线简单高效，生产效率和良品率非常高。
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公开(公告)号：CN108562378A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810275623.8
申请日：2018-03-30
申请人： 中国计量科学研究院 , 武汉嘉仪通科技有限公司
IPC分类号： G01K15/00
摘要： 本发明实施例涉及一种温度校准的装置，包括：样品台(1)，样品台(1)处于真空红外加热条件下；石英托管(5)，连接并支撑样品台(1)，处于真空红外加热条件下；K型热电偶(2)，穿过所述石英托管(5)，其测温端置于所述样品台(1)之内；块状介质(3)，位于样品台(1)之内，块状介质(3)加工有孔；S型热电偶(4)，穿过石英托管(5)，其测温端插入所述块状介质(3)的孔之内，根据所述S型热电偶(4)测得的温度，对所述K型热电偶(2)所测量到的温度进行校准；其中，所述块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90，导热系数不低于60～70W/(m·K)。本发明实施例提供的温度校准的装置能够针对真空红外加热的特殊环境，对K偶进行温度校准。
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公开(公告)号：CN212433027U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021907952.9
申请日：2020-09-04
申请人： 中国计量科学研究院
IPC分类号： G01N25/12
摘要： 本实用新型实施例公开了一种薄膜材料相变温度的测量装置，包括：光学组件；真空腔，所述真空腔的顶部开设有入光孔，所述入光孔与所述光学组件的入射光线相对设置；高温炉，所述高温炉设置于所述真空腔内，所述高温炉的底部和侧向均安装有电阻加热片，所述电阻加热片通过导线与电源连接；样品室，所述样品室设置于所述高温炉内，所述样品室通过导热结构与所述电阻加热片导热连接，且样品放置于所述样品室内，热电偶内嵌于所述样品室中，并通过探头与所述样品相接触。其提高了薄膜材料相变温度的测量准确性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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