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公开(公告)号：CN116692790A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310875650.X
申请日：2023-07-18
申请人： 中山大学
IPC分类号： C01B21/064
摘要： 本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种硼源可高效循环利用的高纯度六方氮化硼制备方法。本发明提供了一种高纯度六方氮化硼制备方法，先用三聚氰胺和硼酸反应制得前驱体，经高温烧结得到含有六方氮化硼的产物，再对烧结产物进行多次浸泡与固液分离得到六方氮化硼产物和分离液，最后对分离液进行蒸发结晶即可将硼源进行回收并循环利用。本发明的制备方法所使用的原料易获得且成本低，无需其他添加剂加入，不仅可以高效制备高纯度、高结晶质量的六方氮化硼，而且产物中的硼可通过回收进行重复利用，使硼的利用率实现最大化，对硼进行高效循环利用的同时大大节约了成本。
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公开(公告)号：CN114314505A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111651342.6
申请日：2021-12-30
申请人： 中山大学
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00 , H01L31/0352 , H01L31/08
摘要： 本发明属于磷化硼材料制备技术领域，具体涉及超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备，本发明利用VLS生长机制成功合成了超长超硬同位素纯10BP微纳米线，克服了硼的高熔点与磷的低升华温度之间的热力学矛盾。具体是以镍粉为催化剂，以富含红磷和同位素的10B粉为前驱体，合成得到超长超硬10BP微纳米线。与在较低温度下合成的超硬材料相比，10BP微纳米线表现出优异的性能，其长度达到1.1cm，硬度相当高，达到了40GPa的超硬阈值(41GPa)。此外，将10BP微纳米线集成到探测器中，器件表现出良好的光响应和压电特性，证明了该材料在光电、应变传感和固态半导体核辐射检测中的应用前景。
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公开(公告)号：CN118147732A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410291141.7
申请日：2024-03-14
摘要： 本发明公开了一种二维结构(PEA)2PbBr4大尺寸单晶闪烁体的快速制备方法，该方法包括以下步骤：将苯乙胺氢溴酸盐和溴化铅加入有机溶剂中，搅拌得到前驱体溶液1，置于加热台上继续加热搅拌；降温至室温下过滤，得到颗粒状自发结晶(PEA)2PbBr4多晶料和室温饱和溶液；取另一容器，将所述(PEA)2PbBr4多晶料使用有机溶剂溶解得到新的前驱体溶液2；将所述室温饱和溶液用封口膜封住后扎孔，室温下静置进行自发结晶，得到(PEA)2PbBr4单晶籽晶；将所述(PEA)2PbBr4单晶籽晶漂浮在所述前驱体溶液2中，通过溶剂蒸发，在籽晶上进一步生长得到大尺寸(PEA)2PbBr4单晶闪烁体。本发明通过对生长过程的改良、溶质溶剂的合理选取以及籽晶的引入，在一周内生长出了厘米级均匀、透明的闪烁体单晶。
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