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公开(公告)号：CN101477951A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910036617.8
申请日：2009-01-13
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种增强型AlGaN/GaN场效应管的制作方法，即采用二次生长AlGaN层来制作增强型AlGaN/GaN HFET的方法，其包括以下步骤：(1)在衬底上先生长一层缓冲层，并在其上方生长一层GaN外延层；(2)在GaN外延层上生长第一AlGaN层，完成第一次材料生长；(3)在第一AlGaN层上淀积一层SiO2掩蔽膜，通过光刻的方法，保留形成栅极区域之上的SiO2掩蔽膜；(4)在未被掩蔽的第一AlGaN层上二次生长第二AlGaN层，完成第二次材料生长；(5)去除SiO2掩蔽膜；(6)在第二AlGaN层上形成源极和漏极，再在栅极区域上形成栅极。另外，本发明还公开了一种增强型AlGaN/GaN场效应管。本发明工艺简单，可靠性好，可以获得较高的阈值电压和跨导。
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公开(公告)号：CN101694833A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910193180.9
申请日：2009-10-20
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L21/33 , H01L29/861 , H01L29/40
摘要： 本发明公开了一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管的制作方法，包括：A、依次在衬底上生长缓冲层、GaN外延层、第一AlGaN层；B、在第一AlGaN层上生成掩蔽膜；C、在未被掩蔽的第一AlGaN层上生长第二AlGaN层，去除掩蔽膜形成凹槽；D、形成两个Ohmic电极并合金形成欧姆接触；E、蒸镀与两个Ohmic电极之一相连的Schottky电极。其中，Schottky电极蒸镀窗口通过选择区域生长(SAG)的方法形成。本发明还公开了一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管，该二极管采用Schottky-Ohmic复合结构实现对导电沟道的控制。当施加反向偏压时，Schottky接触可以耗尽二维电子气，关闭导电沟道；当施加正向偏压时，二维电子气导电沟道打开，形成导电通路。本发明器件结构简单、性能稳定、工艺流程中材料损伤少、可实现低的开启电压。
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公开(公告)号：CN101477951B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910036617.8
申请日：2009-01-13
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种增强型AlGaN/GaN场效应管的制作方法，即采用二次生长AlGaN层来制作增强型AlGaN/GaN HFET的方法，其包括以下步骤：(1)在衬底上先生长一层缓冲层，并在其上方生长一层GaN外延层；(2)在GaN外延层上生长第一AlGaN层，完成第一次材料生长；(3)在第一AlGaN层上淀积一层SiO2掩蔽膜，通过光刻的方法，保留形成栅极区域之上的SiO2掩蔽膜；(4)在未被掩蔽的第一AlGaN层上二次生长第二AlGaN层，完成第二次材料生长；(5)去除SiO2掩蔽膜；(6)在第二AlGaN层上形成源极和漏极，再在栅极区域上形成栅极。另外，本发明还公开了一种增强型AlGaN/GaN场效应管。本发明工艺简单，可靠性好，可以获得较高的阈值电压和跨导。
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