公开(公告)号：CN117855040A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410041557.3

申请日：2024-01-11

申请人： 中山大学

发明人： 张佰君 ,  李欣

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872

摘要： 本申请属于太赫兹倍频器技术领域，尤其涉及基于一种基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法及装置和太赫兹倍频器；本申请提供的基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法是基于单片集成技术的构思，在同一个外延片上同时制备微带线电路与肖特基二极管，接着剥离去除掉外延片的衬底结构，留下无衬底的肖特基二极管以及悬浮的微带电路构建的薄膜型太赫兹器件，克服了传统混合集成技术制备得到的太赫兹器件留有衬底、需要导电胶固定微带电路和肖特基二极管的缺陷，从而解决现有技术中采用混合集成技术制备得到的留有衬底的太赫兹器件性能有待提高的技术问题。

公开(公告)号：CN111863776B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202010748912.2

申请日：2020-07-30

申请人： 中山大学

发明人： 张佰君 ,  沈俊宇

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L33/38 ,  A61N5/06

摘要： 本发明公开了一种低噪声双面集成可注入生物光电极微探针及制备方法，微探针包括透明衬底、透明衬底正面的发光结构、透明衬底背面的记录电极结构和电磁屏蔽结构，所述记录电极结构与电磁屏蔽结构之间设有第一绝缘隔离层，所述记录电极结构包括记录电极、记录电极导线、记录电极焊盘和第一绝缘钝化层，所述记录电极通过记录电极导线与记录电极焊盘连接，所述第一绝缘钝化层上设有记录电极窗口、记录电极焊盘窗口和接地端窗口。该方法包括用于制备上述微探针结构的方法。通过使用本发明，可优化生物信号的记录质量。本发明作为一种低噪声双面集成可注入生物光电极微探针及制备方法，可广泛应用于生命科学半导体芯片领域。

公开(公告)号：CN111863777B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202010748932.X

申请日：2020-07-30

申请人： 中山大学

发明人： 张佰君 ,  沈俊宇

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L33/38

摘要： 本发明公开了一种低噪声单面集成可注入生物光电极微探针及制备方法，微探针包括发光二极管结构、记录电极和电磁屏蔽结构，所述发光二极管结构由下至上包括蓝宝石衬底、p型氮化镓、有源层、n型氮化镓、透明导电层、绝缘隔离层、绝缘钝化层，所述绝缘隔离层上设有发光二极管阳极结构和发光二极管阴极结构，所述电磁屏蔽结构由电磁屏蔽层结构和地线半包围结构构成。通过使用本发明，能够抑制电磁辐射给光电极带来的干扰，从而获得更高质量的生物信号。本发明作为一种低噪声单面集成可注入生物光电极微探针及制备方法，可广泛应用于生命科学半导体芯片领域。

公开(公告)号：CN111982995A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010777966.1

申请日：2020-08-05

申请人： 中山大学

发明人： 张佰君 ,  张敏杰

IPC分类号： G01N27/414

摘要： 本发明公开了一种集成式全固态pH传感器微探针及其制备方法，包括pH传感器、柔性线路板和针管，所述针管包括针管、针尖和针座，所述pH传感器包括感测模块、传输导线和引出电极，所述pH传感器的感测模块通过传输导线和引出电极与柔性线路板连接，所述pH传感器封装在针管内，所述感测模块封装在针尖部位，所述感测模块上边沿处于针尖斜切口切平面上，所述传输导线和引出电极分别位于针管和针座，所述柔性线路板封装在针座内。该方法包括：制备传感器；将传感器穿进针管；将柔性线路板与传感器焊接；调整好传感器在针管中的位置；将柔性线路板封装到针座。本发明作为一种集成式全固态pH传感器微探针及其制备方法，可广泛应用于微电子器件工艺领域。

公开(公告)号：CN102386223B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110339435.5

申请日：2011-11-01

申请人： 中山大学

发明人： 刘扬 ,  沈震 ,  张佰君

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开一种GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件，包括衬底（1）及生长于衬底（1）之上的外延层，其特征在于，外延层由下往上依次包括应力缓冲层（2）、GaN层（3）及异质结构势垒层（4），在栅极区域刻蚀异质结构势垒层（4）至GaN层（4）形成一凹槽，并在凹槽上选择生长p型GaN层（6），p型GaN层（6）及异质结构势垒层（4）表面沉积有绝缘介质层（7），在异质结构势垒层（4）表面源极及漏极区域刻蚀绝缘介质层，栅极区域蒸镀栅极金属（9），源、漏极区域上蒸镀欧姆接触金属（8）。本发明器件结构和制作工艺简单，稳定性高，可有效增大正向阈值电压同时修复等离子体处理造成的晶格损伤。

公开(公告)号：CN102709320A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210033746.3

申请日：2012-02-15

申请人： 中山大学

发明人： 刘扬 ,  倪毅强 ,  张佰君

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种纵向导通的GaN基MISFET器件，包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和形成于导电GaN衬底上的外延层，所述外延层由下往上依次包括第一n型轻掺杂GaN层，二次生长掩膜介质层，非掺杂GaN层和异质结势垒层，所述外延层中部形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极区域，源极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结势垒层接触的源极，漏极置于导电GaN衬底背面。本发明制作方法直接采用绝缘介质掩膜层作为电流阻挡层，并在栅极刻蚀区域通过侧向外延技术获得高质量、低导通电阻接入区，实现了一种稳定纵向导通的GaNMISFET器件。

公开(公告)号：CN101660187B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910192331.9

申请日：2009-09-15

申请人： 中山大学

发明人： 张佰君 ,  黄智聪 ,  王钢

IPC分类号： C25D11/16 ,  H01L21/02 ,  H01L27/00 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开一种基于预成型阳极氧化铝的亚微米图形衬底制作方法，其包括以下步骤：在衬底上先镀上一铝层；在铝层表面均匀涂敷一微球结构层，并在微球表面蒸镀耐蚀性金属，蒸镀的耐蚀性金属将通过微球结构层间隙沉积在铝层表面，再将微球结构层去除；用稀酸进行腐蚀，在铝层上所蒸镀的金属之间形成凹坑，完成预成型的过程；利用浓酸将铝层上的耐蚀性金属去除；对铝层进行阳极氧化，形成具有预设孔洞结构图形的氧化铝层；利用氧化铝层作为掩模，通过刻蚀将氧化铝层上的孔洞结构图形转移到衬底上；去除氧化铝层，得到亚微米图形的衬底。本发明具有操作简单、快速、成本较低、孔径可控的优点。

公开(公告)号：CN101699638A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910193468.6

申请日：2009-10-30

申请人： 中山大学

发明人： 张佰君 ,  蚁泽纯 ,  凌敏捷 ,  吴昊 ,  冼钰伦

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开了一种荧光粉膜层制作方法及其得到的荧光粉膜层封装方法。本发明的特点是在封装过程中采用旋涂荧光粉胶的方法独立制作荧光粉膜层，再将荧光粉膜层覆盖在涂有隔热材料的LED芯片上，最后固化隔热材料完成白光LED荧光粉的涂覆。该LED的芯片数量为一个或多个。本发明工艺简单，制作成本不高，能准确控制荧光粉膜层的厚度，大大提高LED产品的光色一致性，适用于大规模的工业化生产，并且采用热隔离的封装方式能改善LED的散热问题，减少光衰，使光色更为稳定。

公开(公告)号：CN101694833A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200910193180.9

申请日：2009-10-20

申请人： 中山大学

发明人： 刘扬 ,  文于华 ,  李佳林 ,  贺致远 ,  江灏 ,  张佰君 ,  王钢

IPC分类号： H01L21/33 ,  H01L29/861 ,  H01L29/40

摘要： 本发明公开了一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管的制作方法，包括：A、依次在衬底上生长缓冲层、GaN外延层、第一AlGaN层；B、在第一AlGaN层上生成掩蔽膜；C、在未被掩蔽的第一AlGaN层上生长第二AlGaN层，去除掩蔽膜形成凹槽；D、形成两个Ohmic电极并合金形成欧姆接触；E、蒸镀与两个Ohmic电极之一相连的Schottky电极。其中，Schottky电极蒸镀窗口通过选择区域生长(SAG)的方法形成。本发明还公开了一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管，该二极管采用Schottky-Ohmic复合结构实现对导电沟道的控制。当施加反向偏压时，Schottky接触可以耗尽二维电子气，关闭导电沟道；当施加正向偏压时，二维电子气导电沟道打开，形成导电通路。本发明器件结构简单、性能稳定、工艺流程中材料损伤少、可实现低的开启电压。

公开(公告)号：CN117832084A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410044082.3

申请日：2024-01-11

申请人： 中山大学

发明人： 张佰君 ,  李欣

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/67

摘要： 本申请公开一种肖特基二极管的制备方法及装置，通过获取包含硅衬底的外延材料，对外延材料进行清洗，并对清洗后的外延材料进行隔离处理，得到隔离外延片；对隔离外延片进行刻蚀，得到第一外延片；在第一外延片的刻蚀区域进行欧姆金属沉积，并剥离形成欧姆金属图形；在形成欧姆金属图形后对第一外延片进行高温快速退火，以形成欧姆接触，得到第二外延片；对第二外延片进行光刻处理，并进行肖特基金属沉积，以形成肖特基金属接触，得到第三外延片；对第三外延片的硅衬底进行剥离处理，以得到肖特基二极管。该方案可以直接消除硅衬底本身对肖特基二极管带来的损耗，得到电学特性优异、损耗小的肖特基二极管。