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公开(公告)号：CN118275501A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410624539.8
申请日：2024-05-20
申请人： 中山大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明涉及晶体生长领域，公开了获得生长界面及溶质边界层等效电路模型的方法及晶体生长分析方法，包括以下具体步骤：构建提拉法系统；将分析仪器与提拉法系统连接；将提拉法系统的籽晶放入熔体中下晶；通过分析仪器给提拉法系统的生长界面及溶质边界层外加变化的电场并测量晶体生长界面及溶质边界层的I‑V曲线；基于晶体生长界面及溶质边界层的I‑V曲线，得到晶体生长界面及溶质边界层的等效电子元件；基于等效电子元件，得到生长界面及溶质边界层的等效电路模型。本发明解决了现有技术难以获取晶体生长界面和溶质运动信息的问题，且具有可以节省人力和物料成本、更高效的改进晶体生长工艺的特点。
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公开(公告)号：CN116892055A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310814696.0
申请日：2023-07-04
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种在提拉法生长晶体过程中测量晶体塞贝克系数的方法和装置，其中方法如下：在晶体生长过程中，通过对籽晶杆造成可调的周期性温度波动，记录晶体生长过程中籽晶的周期性波动的温度T和周期性波动的界面相本征电动势U；通过多个波动周期的叠加，将晶体的电信号和熔体的电信号以及其他的干扰信号区分开，然后根据周期性波动的温度T和对应周期性波动的界面相本征电动势U求得晶体塞贝克系数。本发明通过在籽晶端造成周期性温度波动的方式，可以将晶体和熔体的电信号区分开，从而求得晶体的塞贝克系数。这种方法不会干扰到晶体的正常生长，而且在较短时间内通过数据的叠加就能获得晶体的塞贝克系数，能在生长过程中实时的测量。
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公开(公告)号：CN116856048A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310814677.8
申请日：2023-07-04
申请人： 中山大学
IPC分类号： C30B15/22
摘要： 本发明公开了一种在提拉法生长晶体过程中修正晶体界面电动势基线的方法，包括如下：在晶体生长的过程中，在当前一段时间内通过对籽晶杆造成可调的周期性温度波动，记录当前一段时间内晶体生长过程中籽晶的周期性波动的温度T和周期性波动的界面电动势U；通过设定阈值条件，过滤温度T、界面电动势U中干扰数据；根据保留下的温度T、界面电动势U计算当前一段时间内的固相塞贝克系数；获得下一段时间内的固相塞贝克系数，以及获取下一段时间内温度中值点，计算得到下一段时间内温度中值点对应的界面电动势；将上一段时间内温度中值点对应的界面电动势与下一段时间内温度中值点对应的界面电动势连接，得到晶体生长过程中的界面电动势基线。
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公开(公告)号：CN118256989A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410680735.7
申请日：2024-05-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： C30B15/26
摘要： 本发明涉及晶体生长领域，公开了提拉法生长晶体过程中原位观测和调控界面翻转的方法，用于诊断提拉法长晶系统中生长界面的状态，包括以下具体步骤：在晶体生长过程中，实时采集提拉法长晶系统中晶体和熔体之间的界面电动势U；同步记录界面电动势U随时间的运动轨迹，若观测到U随时间的运动轨迹出现突然的反向变化，即判断所生长晶体将要发生界面翻转，从而实现了对界面翻转的原位观测。本发明解决了现有技术存在的难以适应复杂晶体生长环境、条件要求苛刻的问题，且具有可以节省人力和物料成本，可以指导时变的温度场和对流场的特点。
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公开(公告)号：CN111063500A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN202010028283.6
申请日：2020-01-10
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种改性磁性纳米颗粒、非极性溶剂基磁性液体及制备方法和用途。所述改性磁性纳米颗粒的制备方法为：制备Fe3O4磁性纳米颗粒；将Fe3O4磁性纳米颗粒与硅源进行溶胶-凝胶化反应，得到包裹二氧化硅的磁性纳米颗粒后，与乙醇、氨水混合，在20～75℃水浴条件下搅拌均匀，得到磁性混合液；将改性液按一定速度加入磁性混合液中进行改性反应，即得。本发明制备的改性磁性纳米颗粒，颗粒粒径、形貌分布均匀，粒径可控，在极性溶剂和非极性溶剂中均有很好的分散性，均可形成光子晶体结构且具有良好的磁学性能、光学性能和化学稳定性能，可用于光子晶体以及电子纸等的制备，在电子、光学、化工等领域有巨大应用前景。
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