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公开(公告)号：CN102255026B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010241753.3
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法，该方法首先外延生长缓冲层及垂直结构GaNLED外延片，然后剥离衬底，再制备导电增透层，最后制作焊线电极。该垂直结构氮化镓发光二极管芯片顺序包括：金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极；导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层。采用本发明制备方法制备出的垂直结构氮化镓发光二极管芯片，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，获得更高的光学萃取效率以及外量子效率；此外，采用双性金属氧化物制作缓冲层，可大大降低后续剥离衬底的成本，能够获得更高良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102255020A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010241754.8
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/12
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法；该垂直结构氮化镓发光二极管的外延片包括衬底，以及顺序覆着在衬底一侧的ZnO缓冲层、GaN成核层、高温GaN层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层；该制造方法包括如下步骤：选取衬底并在衬底上生长缓冲层、缓冲层预处理、生长GaN成核层、生长高温GaN层、多量子阱LED全结构的生长。采用了本发明技术方案的一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法，能够获得质量完美的GaN外延薄膜，因而提高了外延材料的质量；此外，ZnO缓冲层易被酸碱腐蚀而自剥离，可大大降低后续剥离衬底的成本，因而能够获得更高的良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102255026A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010241753.3
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法，该方法首先外延生长缓冲层及垂直结构GaNLED外延片，然后剥离衬底，再制备导电增透层，最后制作焊线电极。该垂直结构氮化镓发光二极管芯片顺序包括：金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极；导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层。采用本发明制备方法制备出的垂直结构氮化镓发光二极管芯片，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，获得更高的光学萃取效率以及外量子效率；此外，采用双性金属氧化物制作缓冲层，可大大降低后续剥离衬底的成本，能够获得更高良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102251277B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201010241752.9
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化锌透明导电膜及其制造方法。该氧化锌透明导电膜包括顺序附着在衬底材料一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层；圆冠纳米柱状ZnO层具有若干的圆冠纳米柱状表面；所述圆冠纳米柱状ZnO层之圆冠的跨度为10至1000nm，圆冠顶部距ZnO主体层10至600nm。该制造方法包括如下步骤：生长衬底预处理；预沉积；ZnO成核层生长；ZnO主体层生长；圆冠纳米柱状ZnO层生长。采用本发明氧化锌透明导电膜的制造方法得到的ZnOTCL，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，具有光子晶体特性的表面形貌，对光学的萃取效率更高；能极大的提高LED外量子效率，促进LED行业的长足发展，有利于实现环保节能、可持续发展的目标。
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公开(公告)号：CN102255020B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010241754.8
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/12
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法；该垂直结构氮化镓发光二极管的外延片包括衬底，以及顺序覆着在衬底一侧的ZnO缓冲层、GaN成核层、高温GaN层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层；该制造方法包括如下步骤：选取衬底并在衬底上生长缓冲层、缓冲层预处理、生长GaN成核层、生长高温GaN层、多量子阱LED全结构的生长。采用了本发明技术方案的一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法，能够获得质量完美的GaN外延薄膜，因而提高了外延材料的质量；此外，ZnO缓冲层易被酸碱腐蚀而自剥离，可大大降低后续剥离衬底的成本，因而能够获得更高的良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102251277A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010241752.9
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化锌透明导电膜及其制造方法。该氧化锌透明导电膜包括顺序附着在衬底材料一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层；圆冠纳米柱状ZnO层具有若干的圆冠纳米柱状表面；所述圆冠纳米柱状ZnO层之圆冠的跨度为10至1000nm，圆冠顶部距ZnO主体层10至600nm。该制造方法包括如下步骤：生长衬底预处理；预沉积；ZnO成核层生长；ZnO主体层生长；圆冠纳米柱状ZnO层生长。采用本发明氧化锌透明导电膜的制造方法得到的ZnOTCL，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，具有光子晶体特性的表面形貌，对光学的萃取效率更高；能极大的提高LED外量子效率，促进LED行业的长足发展，有利于实现环保节能、可持续发展的目标。
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